电子设备的抗核屏蔽结构及制作方法、电子设备技术

本发明专利技术提供一种电子设备的抗核屏蔽结构，包括外壳和电路装置；所述电路装置设置于所述外壳内，所述外壳和所述电路装置之间形成空腔，所述空腔内填充有屏蔽层。屏蔽层包括胶体层和分散设置于胶体层内的屏蔽颗粒，相比于现有技术中采用镀膜技术而言，该实施例制作简单、制作成本低；相比于现有技术中采用重金属屏蔽结构而言，该实施例采用胶体和屏蔽颗粒制作，并且外壳是利用的设备本身的外壳，具有结构灵活度高的优点。同时，屏蔽填充料还能很好的渗入各个电子零部件之间的间隙中，起到了增强电子零部件的散热能力，提升产品的抗震性和防护性能的作用。本发明专利技术还提供一种电子设备的抗核屏蔽结构的制作方法及电子设备。

【技术实现步骤摘要】
电子设备的抗核屏蔽结构及制作方法、电子设备
本专利技术涉及电子设备的抗核加固
，尤其涉及一种电子设备的抗核屏蔽结构及制作方法、电子设备。
技术介绍
目前主流的电子设备中大多包含了容易被γ射线损坏和被中子质子流干扰的电子零部件(如：含铝元素零件、IC芯片、场效应管、逻辑电路装置、采样电路装置等)，导致控制环路不稳定、采样电路装置性能漂移、零部件早衰等问题，所以一般应用于核辐射环境中的电子设备都需要采用抗核加固技术进行保护。现有技术中抗核加固技术主要包括镀膜屏蔽技术和重金属加固技术两种，镀膜屏蔽技术主要用于航空、航天、军事等特殊领域，其性能好、体积小，但技术难度高、成本高昂、供应渠道少；而重金属屏蔽容器技术主要用于核工业、医疗等
，相对成本较低、技术难度低、采购渠道多，但其体积大、重量大、结构灵活性差，限制了抗核加固产品的应用灵活性，同时又因为各种抗核加固产品的外形尺寸差别很大，导致了无法标准化而造成产品生产加工效率低。鉴于此，有必要提供一种新型的电子设备的抗核屏蔽结构及制作方法、电子设备，以解决或至少缓解上述技术缺陷。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种电子设备的抗核屏蔽结构及制作方法、电子设备，旨在解决现有技术中电子设备的抗核屏蔽结构成本高或结构灵活性差的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种电子设备的抗核屏蔽结构，包括：外壳和电路装置；所述电路装置设置于所述外壳内，所述外壳和所述电路装置之间形成空腔，所述空腔内填充有屏蔽层，所述屏蔽层包括胶体层和分散设置于所述胶体层内的屏蔽颗粒。可选地，所述屏蔽颗粒为纯度高于99.95％的铅颗粒，所述铅颗粒的尺寸大小为100目～500目。可选地，所述所述屏蔽颗粒为钨镍铁合金颗粒，所述钨镍铁合金颗粒的尺寸大小为100目～500目。可选地，所述胶体层为改性沥青或环氧树脂胶或有机硅胶，所述改性沥青或所述环氧树脂胶或有机硅胶的导热系数大于0.5W/m.k。可选地，所述电子设备的抗核屏蔽结构还包括绝缘层，所述绝缘层均匀设置于所述电路装置的外表面，所述绝缘层的厚度大于1.5mm。可选地，所述绝缘层由环氧树脂或者有机硅胶材料制成。为实现上述目的，本专利技术还提供一种电子设备，所述电子设备包括上述所述的电子设备的抗核屏蔽结构。为实现上述目的，本专利技术还提供一种电子设备的抗核屏蔽结构的制作方法，所述电子设备的抗核屏蔽结构的制作方法应用于制作上述所述的电子设备的抗核屏蔽结构，包括以下步骤：将改性沥青在加工容器中加热至130℃，加入屏蔽颗粒进行混合搅拌，控制混合搅拌过程中温度在110℃-130℃，形成流动胶体；其中，所述改性沥青占比不大于30％，所述屏蔽材料占比不小于70％；将所述流动胶体倒入外壳和电路装置形成的空腔中，待温度降低至室温后，流动胶体固化形成所述屏蔽层。为实现上述目的，本专利技术还提供一种电子设备的抗核屏蔽结构的制作方法，所述电子设备的抗核屏蔽结构的制作方法应用于制作上述所述的电子设备的抗核屏蔽结构，包括以下步骤：将环氧树脂或有机硅胶加入加工容器中，向加工容器加入固化剂和屏蔽颗粒进行混合搅拌，形成流动胶体；其中，所述环氧树脂或有机硅胶占比不大于30％，所述屏蔽材料占比不小于70％；将所述流动胶体倒入外壳和电路装置形成的空腔中，流动胶体固化后形成所述屏蔽层。可选地，所述将所述流动胶体倒入外壳和电路装置形成的空腔中，流动胶体固化后形成所述屏蔽层的步骤之前，还包括：通过多次喷涂或浸泡的方式使得电路装置表面均匀覆盖一层绝缘层。本专利技术的上述技术方案中，电子设备的抗核屏蔽结构包括外壳和电路装置；所述电路装置设置于所述外壳内，所述外壳和所述电路装置之间形成空腔，所述空腔内填充有屏蔽层。上述方案中，外壳指电子设备的外壳部分，电路装置指的是电路部分，在外壳和电路装置之间形成空腔，在空腔内填充屏蔽层，可以隔绝电路装置和外界的接触，防止γ射线和中子质子流等的干扰，起到屏蔽作用，屏蔽层包括胶体层和分散设置于胶体层内的屏蔽颗粒。具体地，由颗粒状的屏蔽材料与可固化的流动性胶体混合而成的流动性屏蔽材料组成(以下简称：屏蔽填充料)。当把屏蔽填充料倒入外壳中，依靠材料的自流动特性可以快速的将空腔填满，当屏蔽填充料固化后即形成了一个完整闭合的屏蔽层。相比于现有技术中采用镀膜技术而言，该实施例制作简单、制作成本低；相比于现有技术中采用重金属屏蔽结构而言，该实施例采用胶体和屏蔽颗粒制作，并且外壳是利用的设备本身的外壳，具有结构灵活度高的优点。具体地，可以将电路部分设置在外壳的中心，即电路部分到外壳内壁的各个距离相等，这样屏蔽效果更好。该电子设备的抗核屏蔽结构具有制作简单、成本低和结构灵活度高的优点。同时，屏蔽填充料还能很好的渗入各个电子零部件之间的间隙中，起到了增强电子零部件的散热能力，提升产品的抗震性和防护性能的作用。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本专利技术实施例电子设备的抗核屏蔽结构的结构示意图；图2为本专利技术另一实施例一种电子设备的抗核屏蔽结构的制作方法的流程图；图3本专利技术又一实施例一种电子设备的抗核屏蔽结构的制作方法的第一实施例的流程图；图4本专利技术又一实施例一种电子设备的抗核屏蔽结构的制作方法的第二实施例的流程图。附图标号说明：1、加工容器；2、外壳；3、屏蔽层；31、屏蔽颗粒；32、胶体层；4、绝缘层；5、电路装置；6、腔体。本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施方式，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本专利技术的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。需要说明，本专利技术实施方式中所有方向性指示(诸如上、下……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，在本专利技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。并且，本专利技术各个实施方式之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。参见图1，本专利技术提供一种电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备的抗核屏蔽结构，其特征在于，包括：/n外壳和电路装置；所述电路装置设置于所述外壳内，所述外壳和所述电路装置之间形成空腔，所述空腔内填充有屏蔽层，所述屏蔽层包括胶体层和分散设置于所述胶体层内的屏蔽颗粒。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子设备的抗核屏蔽结构，其特征在于，包括：
外壳和电路装置；所述电路装置设置于所述外壳内，所述外壳和所述电路装置之间形成空腔，所述空腔内填充有屏蔽层，所述屏蔽层包括胶体层和分散设置于所述胶体层内的屏蔽颗粒。


2.根据权利要求1所述的电子设备的抗核屏蔽结构，其特征在于，所述屏蔽颗粒为纯度高于99.95％的铅颗粒，所述铅颗粒的尺寸大小为100目～500目。


3.根据权利要求1所述的电子设备的抗核屏蔽结构，其特征在于，所述所述屏蔽颗粒为钨镍铁合金颗粒，所述钨镍铁合金颗粒的尺寸大小为100目～500目。


4.根据权利要求1所述的电子设备的抗核屏蔽结构，其特征在于，所述胶体层为改性沥青或环氧树脂胶或有机硅胶，所述改性沥青或所述环氧树脂胶或有机硅胶的导热系数均大于0.5W/m.k。


5.根据权利要求1所述的电子设备的抗核屏蔽结构，其特征在于，所述电子设备的抗核屏蔽结构还包括绝缘层，所述绝缘层均匀设置于所述电路装置的外表面，所述绝缘层的厚度大于1.5mm。


6.根据权利要求5所述的电子设备的抗核屏蔽结构，其特征在于，所述绝缘层由环氧树脂或者有机硅胶材料制成。


7.一种电子设备，所述电子设备包括权利要求1-6中任一项所述的电子设备的抗核屏蔽结构。


8.一种电子设备的抗核屏蔽结构的制作方法，其特征在于，所述电子设备的抗核屏蔽...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉庆贵，
申请(专利权)人：湘潭市神钜机电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43