介质波导滤波器及其介质陶瓷银层加工方法技术

本申请提供了一种介质波导滤波器及其介质陶瓷银层加工方法，所述方法包括：将介质波导滤波器的介质陶瓷表面喷银形成银层；烘干介质陶瓷上的所述银层；按照预设的清扫图层对烘干后的银层实施激光雕刻，完成所述银层的表面图形加工；烧结固化所述银层。本申请通过先对介质陶瓷烘干后的银层进行激光雕刻然后烧结的方式，对介质波导滤波器的介质陶瓷进行银层加工，避免加工过程中产生意外损伤，提升介质波导滤波器整体的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
介质波导滤波器及其介质陶瓷银层加工方法
本专利技术涉及介质波导滤波器的生产加工技术，具体而言，本专利技术涉及一种介质陶瓷银层加工方法。
技术介绍
随着5G时代的快速发展，小型化、轻量化、低成本已成为介质波导滤波器未来的发展趋势。近年来，以微波介质材料为基础的小型化介质滤波器引起了业界的广泛关注，其中介质波导滤波器已广泛应用于5G天线中，并在5G基站中批量应用。介质陶瓷银面加工工艺中，需要在介质陶瓷表面金属化后镀银层表面局部去银，完成端口激励图形和耦合窗口图形的刻制，但随着介质波导滤波器的发展，相比传统的加工工艺，现如今的工艺更为复杂，精度要求更高。现有常用的介质陶瓷银面去银方法包括：烧结后银层激光雕刻加工工艺及定制特定丝网印刷加工工艺。烧结后银层激光雕刻加工工艺中，采用大功率雕刻图层和小功率清扫图层相结合的方式轰击烧结后的介质波导滤波器的介质陶瓷表面，完成介质陶瓷表面局部刻制及去银，但采用激光轰击的刻制及去银的方式对烧结后的介质陶瓷表面的损伤较大，易导致表面产生裂痕，影响介质波导滤波器的可靠性，且刻制及去银后的介质陶瓷表面边缘留有碳化物残留，对高敏感耦合窗口有重大影响。特定丝网印刷加工工艺虽然可以保证介质波导滤波器去银区域无损伤，但因现有以陶瓷为介质的介质波导滤波器为模具干压成型，介质陶瓷表面的边缘均有倒角，通常只能采用表面喷银工艺为介质陶瓷表面上银，而丝网印刷难以解决产品倒角处上银问题，且因去银图形对位置和尺寸要求精度较高，现有的丝网精度难以满足介质波导滤波器的去银要求，其工艺成本较高。r>
技术实现思路
鉴本专利技术的首要目的旨在提供一种介质陶瓷银层加工方法。本专利技术的另一个目的旨在提供以该介质陶瓷银层加工方法制备而得的介质波导滤波器。为实现以上目的，本专利技术提供以下技术方案：适应于本专利技术的首要目的而提供的一种介质陶瓷银层加工方法，其包括如下步骤：将介质波导滤波器的介质陶瓷表面喷银形成银层；烘干介质陶瓷上的所述银层；按照预设的清扫图层对烘干后的银层实施激光雕刻，完成所述银层的表面图形加工；烧结固化所述银层。进一步的实施例中，将介质波导滤波器的介质陶瓷表面喷银形成银层的步骤中，采用喷银机对介质陶瓷表面喷银，其喷银气压设定为：0.17±0.05Pa，银浆粘度控制为：1.1±0.10Pas。进一步的实施例中，烘干介质陶瓷上的所述银层的步骤中，将喷银后的介质陶瓷置入高温环境中烘干预定时长，烘干温度设置为120-180℃之间的任意值。优选的实施例中，所述预定时长不小于10分钟。进一步的实施例中，按照预设的清扫图层对烘干后的银层实施激光雕刻，完成介质陶瓷的表面图形加工的步骤中，包括：以激光雕刻机接收过程控制参数；以所述过程控制参数驱动激光雕刻机按照预设的清扫图层对烘干后的图层进行雕刻；在激光雕刻机按照完成雕刻后，完成所述银层的表面图形加工。优选的实施例中，所述过程控制参数中：激光脉冲宽度设置为0至40ns之间的任意数值。优选的实施例中，所述过程控制参数中：标刻次数被设置为多次，以控制激光雕刻机按照所述清扫图层执行多次雕刻。进一步的实施例中，烧结固化所述银层的步骤中，将介质陶瓷置于烧银炉中，适应银层所用银浆的烧结曲线，控制烧银炉变化不同温度以烧结固化所述银层。优选的实施例中，其特征在于，所述烧银炉在时域或者空域上提供多个温区分别对所述银层施以不同温度的烧结加工。优选的实施例中，所述介质陶瓷经过的多个温区的温度按照彼此相对的低温-高温-低温布置。优选的实施例中，所述不同温度的变化区间为500-950℃。进一步的实施例中，烘干介质陶瓷上的所述银层的步骤之后，优先执行如下步骤：检测烘干后银层的厚度是否达到预设区间，在其达到预设值后才继续执行后续步骤。优选的实施例中，所述预设区间为：10-15μm。适应于本专利技术的另一目的而提供的一种介质波导滤波器，其包括所述的介质陶瓷银层加工方法所制备的介质陶瓷。本专利技术提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术先对介质波导滤波器的介质陶瓷表面的银层实施激光雕刻再对该银层实施烧结的方式，确保介质波导滤波器的介质陶瓷表面在激光雕刻的过程中，不出现因烧结后介质陶瓷表面的硬度较高而导致表面出现损伤的情况，保证了介质波导滤波器整体的可靠性。其次，在完成了介质陶瓷表面银层的激光雕刻后，再对其进行烧结，可利用烧结炉的高温，高温清除银层因激光雕刻而在器件边缘产生的碳化物，防止碳化物影响了介质波导滤波器的高敏感耦合窗口。另外，本专利技术是基于现有的介质陶瓷银面加工工艺而进行优化的新型工艺，即本专利技术所述的介质陶瓷银层加工方法具有可行性，并无增加工艺成本。附图说明本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本申请的介质陶瓷银层加工方法的典型实施例的流程示意图；图2为本申请的介质陶瓷银层加工方法的另一个实施例的流程示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本专利技术的实施例。虽然附图中显示了本专利技术的某些实施例，然而应当理解的是，本专利技术可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本专利技术。应当理解的是，本专利技术的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本专利技术的保护范围。本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。应当理解，本专利技术的方法实施方式中记载的各个步骤可以按照不同的顺序执行，和/或并行执行。此外，方法实施方式可以包括附加的步骤和/或省略执行示出的步骤。本专利技术的范围在此方面不受限制。本文使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“连接”可以是直接相接，也可是通过中间部件(元件)间接连接。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”；术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”；术语“一些实施例”表示“至少一些实施例”。其他术语的相关定义将在下文描述中给出。需要注意，本专利技术中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对装置、模块或单元进行区分，并非用于限定这些装置、模块或单元一定为不同的装置、模块或单元，也并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。请参阅图1，本专利技术的一种介质陶瓷银层加工方法，在其典型实施例中，其包括如下步骤：步骤S11，将介质波导滤波器的介质陶瓷表面喷银形成银层：通过使用喷银装置在介质波导滤波器的介质陶瓷表面上进行喷银，使该介质陶瓷的表面形成银层。进一步的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质陶瓷银层加工方法，其特征在于，包括如下步骤：/n将介质波导滤波器的介质陶瓷表面喷银形成银层；/n烘干介质陶瓷上的所述银层；/n按照预设的清扫图层对烘干后的银层实施激光雕刻，完成所述银层的表面图形加工；/n烧结固化所述银层。/n

【技术特征摘要】
1.一种介质陶瓷银层加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
将介质波导滤波器的介质陶瓷表面喷银形成银层；
烘干介质陶瓷上的所述银层；
按照预设的清扫图层对烘干后的银层实施激光雕刻，完成所述银层的表面图形加工；
烧结固化所述银层。


2.根据1所述的介质陶瓷银层加工方法，其特征在于，将介质波导滤波器的介质陶瓷表面喷银形成银层的步骤中，采用喷银机对介质陶瓷表面喷银，其喷银气压设定为：0.17±0.05Pa，银浆粘度控制为：1.1±0.10Pas。


3.根据1所述的介质陶瓷银层加工方法，其特征在于，烘干介质陶瓷上的所述银层的步骤中，将喷银后的介质陶瓷置入高温环境中烘干预定时长，烘干温度设置为120-180℃之间的任意值。


4.根据3所述的介质陶瓷银层加工方法，其特征在于，所述预定时长不小于10分钟。


5.根据1所述的介质陶瓷银层加工方法，其特征在于，按照预设的清扫图层对烘干后的银层实施激光雕刻，完成介质陶瓷的表面图形加工的步骤中，包括：
以激光雕刻机接收过程控制参数；
以所述过程控制参数驱动激光雕刻机按照预设的清扫图层对烘干后的图层进行雕刻；
在激光雕刻机按照完成雕刻后，完成所述银层的表面图形加工。


6.根据5所述的介质陶瓷银层加工方法，其特征在于，所述过程控制参数中：激光脉冲宽度设置为0至40ns之...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾卓玮，林显添，丁海，
申请(专利权)人：京信射频技术广州有限公司，京信通信技术广州有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44