发光器件和包括该发光器件的设备制造技术

提供了一种发光器件和包括其的设备。所述发光器件包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；数量为n的发光单元，位于第一电极与第二电极之间；以及数量为n‑1的电荷产生单元，位于相邻的发光单元之间。发光单元均包括发射层，并且电荷产生单元中的至少一个包括n型电荷产生层、p型电荷产生层以及位于n型电荷产生层与p型电荷产生层之间的中间层。p型电荷产生层包括第一材料和第二材料，第一材料包括空穴传输有机化合物、无机绝缘化合物或它们的任何组合，第二材料包括至少一种无机半导体化合物，中间层包括第三材料，并且第三材料选自于有机化合物、无机半导体化合物和无机绝缘化合物。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和包括该发光器件的设备本申请要求于2019年10月4日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0123351号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种发光器件和一种包括该发光器件的设备。
技术介绍
发光器件可以将电能转换成光能。这样的发光器件的示例包括使用用于发射层的有机材料的有机发光器件和/或使用用于发射层的量子点的量子点发光器件等。在发光器件中，第一电极位于基底上，并且空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极顺序地形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域移向发射层，从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域移向发射层。然后，作为载流子的空穴和电子可以在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。
技术实现思路
本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种串联发光器件和包括其的设备，该串联发光器件包括位于电荷产生单元中的中间层。另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，所述发光器件包括：/n第一电极；/n第二电极，面对所述第一电极；/n数量为n的发光单元，位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及/n数量为n-1的电荷产生单元，位于相邻的发光单元之间，/n其中，n是2或更大的自然数，/n所述发光单元均包括发射层，/n所述电荷产生单元中的至少一个包括n型电荷产生层、p型电荷产生层以及位于所述n型电荷产生层与所述p型电荷产生层之间的中间层，/n所述p型电荷产生层包括第一材料和第二材料，/n所述第一材料包括空穴传输有机化合物、无机绝缘化合物或它们的任何组合，/n所述第二材料包括至少一种无机半导体化合物，/n所述中间层包括第三材料，并且/n所述第三材...

【技术特征摘要】
20191004 KR 10-2019-01233511.一种发光器件，所述发光器件包括：
第一电极；
第二电极，面对所述第一电极；
数量为n的发光单元，位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及
数量为n-1的电荷产生单元，位于相邻的发光单元之间，
其中，n是2或更大的自然数，
所述发光单元均包括发射层，
所述电荷产生单元中的至少一个包括n型电荷产生层、p型电荷产生层以及位于所述n型电荷产生层与所述p型电荷产生层之间的中间层，
所述p型电荷产生层包括第一材料和第二材料，
所述第一材料包括空穴传输有机化合物、无机绝缘化合物或它们的任何组合，
所述第二材料包括至少一种无机半导体化合物，
所述中间层包括第三材料，并且
所述第三材料选自于有机化合物、无机半导体化合物和无机绝缘化合物。


2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一材料的体积等于或大于所述第二材料的体积。


3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一材料包括所述空穴传输有机化合物，并且所述第一材料与所述第二材料的体积比在99:1至80:20的范围内，或者
所述第一材料包括所述无机绝缘化合物，并且所述第一材料与所述第二材料的体积比在99:1至50:50的范围内。


4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第三材料是所述有机化合物。


5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第三材料的带隙为2.5eV或更大。


6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第三材料的最低未占分子轨道能级为-4.5eV至-6.5eV。


7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述n型电荷产生层包括第四材料和第五材料，
所述第四材料包括碱金属、碱土金属、镧系金属、过渡金属、后过渡金属或它们的任何组合，并且
所述第五材料包括至少一种电子传输有机化合物。


8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第五材料的最低未占分子轨道能级小于所述第三材料的最低未占分子轨道能级。


9.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第五材料的最低未占分子轨道能级与所述第三材料的最低未占分子轨道能级之间的差为1eV或更小。


10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极是阳极，
所述第二电极是阴极，并且
所述发光器件包括：
第n发光单元，位于所述第一电极与所述第二电极之间；
第n-1发光单元，位于所述第一电极与所述第n发光单元之间；以及
第n-1电荷产生单元，位于所述第n发光单元与所述第n-1发光单元之间，
其中，所述第n发光单元包括第n发射层，所述第n-1发光单元包括第n-1发射层；
第n-1空穴传输区域位于所述第一电极与所述第n-1发射层之间；
第n-1电子传输区域位于所述第n-1发射层与所述第n-1电荷产生单元之间；
第n空穴传输区域位于所述第n-1电荷产生单元与所述第n发射层之间；以及
第n电子传输区域位于所述第n发射层与所述第二电极之间，
其中，空穴传输区域均独立地包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、第一缓冲层或它们的任何组合，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东赞，文智永，李东熙，李智慧，李哲淳，李学忠，李海明，韩沅锡，尹智焕，赵尹衡，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR