铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器及其制备方法，铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器，它包括：基体、叉指间隙、叉指电极5，所述的叉指电极5为石墨涂层，涂在基体上；在叉指间隙上涂GaS层；所述的叉指电极5铅笔绘在基体上，所述的叉指电极5接电部设有蒸镀金层；所述的涂GaS层，将GaS悬浊液滴加在叉指间隙上，加热烘干至深黄色；所述的涂GaS层为多层，重复滴加GaS悬浊液，加热烘干；得到了在二维材料探测器领域可观的结果：在532nm激光照射条件下拥有较高的响应度R=109.2A/W和较大的探测率D*=1.94×109Jones。

【技术实现步骤摘要】
铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器及其制备方法
本专利技术属于光电探测
，具体涉及铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器及其制备方法。
技术介绍
近年来，光电技术蓬勃发展，探测器技术已经渗透到人民群众生产和生活的各个角落，红外成像，光道通讯和军事化监控等应用发展比较成熟。但是，其中发展较早的Si基光电探测器处于一种瓶颈状态，虽然其从可见到红外部分的探测性能已经比较优秀，但是随着器件工艺越来越精细，尺寸把控精准之际，“摩尔定律”的极限把Si基的光电探测排除到经典物理理论之外。不仅如此，Si基光电探测器的较差的光吸收系数和较窄的光谱响应也限制其应用。所以，吸收效率高，频谱响应宽以及柔性较好的新型探测材料的空白需要被填补。随着二维层状材料的科研探索，一些新型二维材料为光电探测领域提供了新机遇和新挑战。高响应，宽波段，可拉伸的光电探测器的未来逐渐明晰TMDs的制备工艺，表征手段和光电性质调控已经逐步被深刻挖掘和探索。组成决定结构，结构决定性质，选择一种拥有高导电性，灵敏光电调控的材料成为了当下的热点问题。而传统制备工艺，如物理气相沉积，化学气相沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器，它包括：基体、叉指间隙、叉指电极（5），其特征在于：所述的叉指电极（5）为石墨涂层，涂在基体上；在叉指间隙上涂GaS层。/n

【技术特征摘要】
1.铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器，它包括：基体、叉指间隙、叉指电极（5），其特征在于：所述的叉指电极（5）为石墨涂层，涂在基体上；在叉指间隙上涂GaS层。


2.根据权利要求1所述的铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器，其特征在于：所述的叉指电极（5）是用铅笔在基体上绘制的。


3.根据权利要求2所述的铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器，其特征在于：所述的叉指电极（5）接电部设有蒸镀金层。


4.根据权利要求3所述的铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器，其特征在于：所述的涂GaS层，将GaS悬浊液滴加在叉指间隙上，加热烘干至深黄色。


5.根据权利要求1、2、3或4所述的铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器，其特征在于：所述的涂GaS层为多层，重复滴加GaS悬浊液，加热烘干。


6.根据权利要求5所述的铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器，其特征在于：所述的涂GaS层为5-10层。


7.根据权利要求6所述的铅绘电极二维材料纸基GaS光电探测器，其特征在于：所述的基体上涂GaS层，然后在涂GaS层上铅笔绘制叉指电极（5）。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘为振，仲玮恒，李远征，杨旭慧，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22