【技术实现步骤摘要】
真空灭弧室的主屏蔽罩及真空灭弧室
本专利技术涉及真空灭弧室的主屏蔽罩及真空灭弧室。
技术介绍
随着电力工业的不断发展及社会对环保要求的提高,真空灭弧室正在向高电压的输配电方向发展,应用真空灭弧室的开关设备也在向着高电压、小型化方向发展。真空灭弧室的体积对开关设备的整体体积来说是重要因素,因此,真空灭弧室的高电压、小型化是开关设备小型化的基础。然而,随着电压等级的提高,对真空灭弧室产品内部绝缘性能的要求也越来越高。现有的真空灭弧室如公开号为CN208548315U的中国专利文献中公开的一种真空灭弧室,包括中空的外壳,外壳的轴向两端设有静触头组件和动触头组件,外壳内于轴向中部设有屏蔽筒。其中静触头组件包括静导电杆和静触头,动触头组件包括动导电杆、波纹管以及动触头,动导电杆导向设置在导向套中;外壳为相互拼接的两段式结构,两段外壳之间通过中封环固定连接;屏蔽筒形成主屏蔽罩,用于包围在动触头和静触头的结合处的外侧,其外周面上设有环形限位凸起(即上述专利文献中的限位裙边),用于固定到中封环上,用于起到均衡电场的作用。但是 ...
【技术保护点】
1.真空灭弧室的主屏蔽罩(50),用于包围在动触头(45)和静触头(34)的结合处的外侧;/n其特征在于,所述主屏蔽罩(50)为陶瓷材质;/n主屏蔽罩(50)的外周面上设有金属化层;/n所述金属化层环绕主屏蔽罩(50)的外周面设置,形成中封环连接部位,用于与真空灭弧室的两段外壳(10)之间的金属中封环(20)焊接固定以实现主屏蔽罩(50)的固定。/n
【技术特征摘要】
1.真空灭弧室的主屏蔽罩(50),用于包围在动触头(45)和静触头(34)的结合处的外侧;
其特征在于,所述主屏蔽罩(50)为陶瓷材质;
主屏蔽罩(50)的外周面上设有金属化层;
所述金属化层环绕主屏蔽罩(50)的外周面设置,形成中封环连接部位,用于与真空灭弧室的两段外壳(10)之间的金属中封环(20)焊接固定以实现主屏蔽罩(50)的固定。
2.根据权利要求1所述的主屏蔽罩(50),其特征在于,所述主屏蔽罩(50)的外周面上设有环形凸起(52),环形凸起(52)的表面设有所述金属化层。
3.根据权利要求1或2所述的主屏蔽罩(50),其特征在于,所述主屏蔽罩(50)的内壁面在主屏蔽罩(50)轴向上为平直壁面。
4.根据权利要求1或2所述的主屏蔽罩(50),其特征在于,所述主屏蔽罩(50)的内壁面与端面之间设有倒角(51),并且/或者,所述主屏蔽罩(50)的外周面与端面之间设有倒角(51)。
5.真空灭弧室,包括:
外壳(10),外壳(10)设有两段,两段外壳(10)沿真空灭弧室轴向对接;
主屏蔽罩(50),用于包围在动触头(45)和静触头(34)的结合处的外侧;
金属中封环(20),焊接固定在两段外壳(10)之间,供主屏蔽罩(50)焊接固定;
其特征在于,所述主屏蔽罩(50)为陶瓷材质;
主屏蔽罩...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘世柏,李小钊,赵芳帅,薛从军,李锟,刘心悦,亓春伟,齐大翠,王宇浩,刘畅,姚新伟,李仁峰,刘晶晶,郑乐乐,海竣超,李相兵,苏文豪,郭润涛,白丽娜,孙宇,陈高攀,霍然,姚锋娟,齐婵,焦淑敏,
申请(专利权)人:天津平高智能电气有限公司,平高集团有限公司,国家电网有限公司,
类型:发明
国别省市:天津;12
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