光调制器用接合体、光调制器及光调制器用接合体的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种光调制器用接合体、光调制器及光调制器用接合体的制造方法。在将由铌酸锂等形成的光波导用材料与支撑基板接合而成的光调制器用接合体及光调制器中，抑制光波导用材料因退火处理而开裂，并且，改善光调制器对频率的光响应特性。光调制器用接合体(6)具备支撑基板(4)；光波导用材料(7)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于支撑基板(4)上；以及光波导(8)，其存在于光波导材料(7)。支撑基板(4)由选自由氧化镁及镁－硅复合氧化物构成的组中的材质形成。

【技术实现步骤摘要】
光调制器用接合体、光调制器及光调制器用接合体的制造方法
本专利技术涉及光调制器用接合体、光调制器及光调制器用接合体的制造方法。
技术介绍
已知有将由铌酸锂形成的光波导用基板与支撑基板接合而得到的光调制器。根据专利文献1，将铌酸锂基板和低介电常数基板借助有机物或低熔点玻璃进行接合。根据专利文献2，将由铌酸锂形成的光波导用基板借助粘接层而与由铌酸锂或钽酸锂形成的支撑基板进行接合。根据专利文献3，使铌酸锂的外延膜在硅或蓝宝石的单晶基板上生长，将其用作光波导用基板。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平01-18121专利文献2：日本特许4667932专利文献3：日本特开2015-14716
技术实现思路
例如，使钛扩散于铌酸锂结晶中得到的光波导如下制作，即，在铌酸锂结晶基板上堆积金属钛膜，于1000℃左右的温度经过数小时的热扩散，由此制作出上述光波导。在该加工时，铌酸锂结晶的结晶性劣化，因此，需要进行600～1000℃的退火工序，以便改善该结晶性劣化。但是，在像这样的高温的退火工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光调制器用接合体，其具备：/n支撑基板；/n光波导用材料，该光波导用材料由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于所述支撑基板上；以及/n光波导，该光波导存在于所述光波导用材料，/n所述光调制器用接合体的特征在于，/n所述支撑基板由选自由氧化镁及镁－硅复合氧化物构成的组中的材质形成。/n

【技术特征摘要】
20191004 JP 2019-1835831.一种光调制器用接合体，其具备：
支撑基板；
光波导用材料，该光波导用材料由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于所述支撑基板上；以及
光波导，该光波导存在于所述光波导用材料，
所述光调制器用接合体的特征在于，
所述支撑基板由选自由氧化镁及镁－硅复合氧化物构成的组中的材质形成。


2.根据权利要求1所述的光调制器用接合体，其特征在于，
所述镁－硅复合氧化物为块滑石或镁橄榄石。


3.根据权利要求1或2所述的光调制器用接合体，其特征在于，
在所述支撑基板与所述光波导用材料之间具有接合层。


4.根据权利要求3所述的光调制器用接合体，其特征在于，
所述接合层由氧化物膜形成。


5.一种光调制器，其特征在于，
具备电极和权利要求1～4中的任一项所述的光调制器用接合体，
所述电极设置于所述光波导用材料上，对在所述光波导中传播的光进行调制。


6.一种光调...

【专利技术属性】
技术研发人员：多井知义，鹈野雄大，近藤顺悟，小林义政，菱木达也，小林博治，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP