【技术实现步骤摘要】
GIS导体检测温度的多级校准方法、装置、介质及终端设备
本专利技术涉及GIS温度
,尤其涉及一种GIS导体检测温度的多级校准方法、装置、介质及终端设备。
技术介绍
六氟化硫气体绝缘金属全封闭开关配电设备(GAS—INSTULATEDSWITCHGEAR简称GIS)的内部导体触头接触故障会导致局部发热严重,进而引起GIS设备内部和外壳温度分布发生变化。当GIS设备的GIS过热会击穿导致变电设备发生故障。GIS中的母线导体、隔离开关和断路器由于触头接触不良造成的过热故障,已经严重影响到电力系统的安全稳定运行。目前变电站对GIS进行温度检测的常规手段多为红外测温巡视,一方面巡视不具备及时性,另一方面只能通过外壳温升的分布差异作为过热判据,灵敏度差、准确率低。现有对检测GIS设备的温度没有校准,无法知晓检测的温度是否准确,不能保证得到的GIS设备的检测温度是GIS设备实际的温度,从而导致监控GIS设备出现失误,损坏GIS设备以及变电设备。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种GIS导体检测温度的多级校准方法、装置、介质及终端设备,用于解决现有检测的GIS导体温度知识对GIS设备壳体表面检测的温度,让检测的温度不能真实反映GIS导体内部的实际温度的技术问题。为了实现上述目的,本专利技术实施例提供如下技术方案:一种GIS导体检测温度的多级校准方法,应用于GIS红外测温装置上,包括以下步骤:S10.对所述GIS红外测温装置的测温进行一级校准,得到校准后的第一GIS红外测 ...
【技术保护点】
1.一种GIS导体检测温度的多级校准方法,应用于GIS红外测温装置上,其特征在于,包括以下步骤:/nS10.对所述GIS红外测温装置的测温进行一级校准,得到校准后的第一GIS红外测温装置;/nS20.获取检测的GIS设备壳体的第一实测温度和GIS设备导体内部的第一标称温度,根据所述第一实测温度和所述第一标称温度对所述第一GIS红外测温装置进行二级校准,得到第二GIS红外测温装置;/nS30.获取检测的GIS设备壳体的第二实测温度和GIS设备导体内部的第二标称温度,根据所述第二实测温度和所述第二标称温度对所述第二GIS红外测温装置进行三级校准,得到第三GIS红外测温装置;/nS40.获取检测的GIS设备壳体的第三实测温度和GIS设备导体内部的第三标称温度,根据所述第三实测温度和所述第三标称温度对所述第三GIS红外测温装置进行四级校准,得到第四GIS红外测温装置,所述第四GIS红外测温装置检测GIS设备壳体的温度作为GIS设备导体的实测温度。/n
【技术特征摘要】
1.一种GIS导体检测温度的多级校准方法,应用于GIS红外测温装置上,其特征在于,包括以下步骤:
S10.对所述GIS红外测温装置的测温进行一级校准,得到校准后的第一GIS红外测温装置;
S20.获取检测的GIS设备壳体的第一实测温度和GIS设备导体内部的第一标称温度,根据所述第一实测温度和所述第一标称温度对所述第一GIS红外测温装置进行二级校准,得到第二GIS红外测温装置;
S30.获取检测的GIS设备壳体的第二实测温度和GIS设备导体内部的第二标称温度,根据所述第二实测温度和所述第二标称温度对所述第二GIS红外测温装置进行三级校准,得到第三GIS红外测温装置;
S40.获取检测的GIS设备壳体的第三实测温度和GIS设备导体内部的第三标称温度,根据所述第三实测温度和所述第三标称温度对所述第三GIS红外测温装置进行四级校准,得到第四GIS红外测温装置,所述第四GIS红外测温装置检测GIS设备壳体的温度作为GIS设备导体的实测温度。
2.根据权利要求1所述的GIS导体检测温度的多级校准方法,其特征在于,在步骤S10中,对所述GIS红外测温装置的测温进行一级校准,得到校准后的第一GIS红外测温装置的步骤包括:
对所述GIS红外测温装置中单片机的温度采集端输入温度电压值,采集所述GIS红外测温装置中单片机输出的采集电压值;
若所述温度电压值与所述采集电压值比较不一致,采用零漂校准公式对所述GIS红外测温装置中单片机输出的电压值进行校准;
其中,所述零漂校准公式为:Ui=0.998*U0-0.385,式中,Ui为校准后的第一GIS红外测温装置中单片机输出的电压值,U0为GIS红外测温装置中单片机输出的采集电压值。
3.根据权利要求1所述的GIS导体检测温度的多级校准方法,其特征在于,在步骤S20中,得到第二GIS红外测温装置的步骤包括:
将所述第一GIS红外测温装置设置在所述GIS设备壳体的可视窗口上,所述第一GIS红外测温装置检测得到第一实测温度;
采用具有热偶线的测温触头设置在所述GIS设备导体中,所述测温触头检测得到第一标称温度;
根据所述第一实测温度、所述第一标称温度以及对所述第一GIS红外测温装置进行二级校准,得到第二GIS红外测温装置;
其中,所述二级校准公式为ΔT=(2.87/100000)*T1^3-0.008512*T1^2+0.9416*T1-21.77,T2=T1+ΔT,式中,T1为第一实测温度,T2为第二GIS红外测温装置检测GIS导体的温度值,ΔT为第一实测温度与第一标称温度之间的拟合误差。
4.根据权利要求1所述的GIS导体检测温度的多级校准方法,其特征在于,在步骤S30中,得到第三GIS红外测温装置的步骤包括:
将所述第二GIS红外测温装置设置在安装有红外玻璃的所述GIS设备壳体的可视窗口上,所述第二GIS红外测温装置检测得到第二实测温度;
采用具有热偶线的测温触头设置在所述GIS设备导体中,所述测温触头检测得到第二标称温度;
根据所述第二实测温度、所述第二标称温度以及三级校准公式对所述第二GIS红外测温装置进行三级校准,得到第三GIS红外测温装置;
其中,所述三级校准公式为ΔT'=0.0001356*T2'^3-0.0315*T...
【专利技术属性】
技术研发人员:李盈,王增彬,庞小峰,孙帅,赵晓凤,姚聪伟,宋坤宇,杨贤,吕鸿,吴吉,
申请(专利权)人:广东电网有限责任公司电力科学研究院,
类型:发明
国别省市:广东;44
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