一种凹凸结构式拓片的脱酸保护方法技术

本申请提供一种凹凸结构式拓片的脱酸保护方法，包括如下步骤：1)使用等离子体气流活化拓片表面，去除拓片表面的惰性层；所述等离子体气流活化是通过空气将反应室中气体等离子放电产生的等离子体带出，产生等离子体气流对拓片进行活化处理；2)将脱酸剂雾化后浸润拓片进行脱酸处理。本方法在不破坏拓片表面凹凸结构和其表面染料、墨迹的前提下完成对拓片的脱酸。

【技术实现步骤摘要】
一种凹凸结构式拓片的脱酸保护方法
本申请涉及文物脱酸保护领域，特别是涉及一种凹凸结构式拓片的脱酸保护方法。
技术介绍
拓片，是指将碑文石刻、甲骨青铜、钱币画像等器物表面的形状及其上面的文字、图案拓下来的一种纸片，将纸张贴附在器物的硬表面上，用拓印结合染料将器物表面的文字和图案清晰地复制到纸张上。拓片是记录中华民族悠久历史和文化的重要载体之一，是我国一项古老的传统技艺，很多散失损毁的碑刻，青铜器等文物，因为有拓片的存在才得以保存记录。拓片用纸多为高吸水性的宣纸，古代拓片染料多采用墨汁，现代拓片通常以铅笔代替，其主要成分都为石墨。拓片纸的主要组成为纤维素，由于拓片本身的特点和其保存时间、环境的特殊性，使得拓片纸容易出现酸化(即拓片整体呈现酸性)，在酸性环境下，拓片纸中的纤维素会在氢离子的催化作用下发生水解，造成纤维分子链的断裂，使得拓片表面的凹凸结构受到影响，整体强度下降。同时也可能造成印染墨迹脱落，导致拓片表面保存的文字和图案等受到破坏，造成拓片表面信息的流失。因此有必要及时对酸化的拓片纸进行脱酸保护。由于拓片表面存在凹凸不平的结构，而且由于拓片保存时间较久，表面存在惰性层，这使得拓片的脱酸不同于普通纸张的脱酸，需要特殊的脱酸剂和脱酸方法。目前拓片采用的脱酸方法主要为浸泡脱酸法和喷涂脱酸法，浸泡脱酸法是将拓片直接浸泡在脱酸液中，由于有机溶剂脱酸液会对拓片表面的油墨造成破坏，所以一般选用水性脱酸液对拓片进行浸泡；喷涂脱酸法是利用悬浮于有机溶剂中的碱性纳米氧化镁等微固体颗粒喷涂拓片，达到脱酸的效果。但是上述两种方法中，在水性脱酸液中直接浸泡会使拓片中的水含量过高，造成拓片纤维的变形，破坏拓片的结构；有机溶剂中的微固体颗粒在喷涂过程中，会对拓片产生冲刷作用，对拓片表面的凹凸外形结构造成破坏。且上述两种脱酸方法都无法去除拓片表面的惰性层，所以脱酸效果不理想。
技术实现思路
基于此，有必要针对如何在不破坏拓片表面的凹凸结构和染料、墨迹的情况下，完成对拓片的有效脱酸的技术问题，提供一种凹凸结构式拓片的脱酸保护方法。本专利技术所提供的技术方案为：一种凹凸结构式拓片的脱酸保护方法，包括如下步骤：1)使用等离子体气流活化拓片表面，去除拓片表面的惰性层；所述等离子体气流活化是通过空气将反应室中气体等离子放电产生的等离子体带出，产生等离子体气流对拓片进行活化处理；2)将脱酸剂雾化后浸润拓片进行脱酸处理。上述技术方案中，采用等离子体气流对待脱酸拓片进行处理，可以去除拓片表面的惰性层，并且在拓片表面引入自由基和其他活性粒子，提高拓片表面的反应活性，增加拓片表面脱酸剂的吸附量，提高拓片的脱酸效果。其次，拓片进行等离子体活化的过程，拓片不直接在等离子体反应室中活化，而是通过空气将反应室中气体放电产生的等离子体带出，利用等离子体气流对拓片进行活化处理。由于拓片表面的染料中包含石墨，如果直接在等离子体发生室中对其进行处理，拓片表面富集石墨的部分会在等离子电场下被点燃，最终导致拓片纸本体、表面图案和凹凸结构受到破坏，因此本技术方案能够在不破坏拓片表面凹凸结构和染料、墨迹的情况下，完成对拓片的脱酸，脱酸过程操作简单，脱酸效果明显。以下还提供了若干可选方式，但并不作为对上述总体方案的额外限定，仅仅是进一步的增补或优选，在没有技术或逻辑矛盾的前提下，各可选方式可单独针对上述总体方案进行组合，还可以是多个可选方式之间进行组合。可选的，所述等离子体为冷等离子体。冷等离子体由电子、自由基和正负离子组成，具有很高的反应活性，冷等离子体中电子温度很高，但是离子等重粒子的温度较低，使得冷等离子体气流整体处于低温状态，可去除拓片表面的惰性层而不破坏纸本体和纸面信息。可选的，所述等离子体由气体介质阻挡放电、辉光放电或电晕放电的形式产生。气体介质阻挡放电即在放电电极上附着特定的介电材料，击穿电极之间的气体完成放电；辉光放电是指在一定气压下正离子轰击阴极电极表面产生二次电子完成放电；而电晕放电是在曲率半径较小的尖端电极附近，利用较高强度的局部电场，使气体发生电离和激励完成放电。进一步优选，所述等离子体由气体介质阻挡放电的方式产生，该方法在常压下即可完成，且气体放电能量水平高、分布均匀，能够使凹凸结构的拓片得到充分均匀活化。可选的，所述等离子体由空气、氮气或惰性气体中的一种或多种放电产生。所述惰性气体包括氦气和氩气等。可选的，所述拓片在等离子体气流中活化处理的时间为2～5min。由于拓片表面存在灰尘等污渍组成的惰性层，需要等离子气流活化去除，所以等离子体气流处理的时间不能过短，对应地，长时间的等离子体处理会对拓片表面的凹凸结构和染料、墨迹等造成影响。进一步优选，所述拓片在等离子体气流中活化处理的时间为3～4min。可选的，所述步骤2)中脱酸剂为水性脱酸液。由于有机脱酸剂的溶剂为溶解和渗透性好的有机溶液，可能会对拓片表面的染料和油墨等造成破坏。可选的，所述水性脱酸剂为氢氧化钙溶液、氢氧化镁溶液、碳酸氢钙溶液或者碳酸氢镁溶液中的一种或多种。可选的，所述脱酸剂雾化的方式包括机械雾化、介质雾化或者超声雾化。本专利技术的有益效果如下：(1)本专利技术提供的方法在不破坏拓片表面凹凸结构和其表面染料、墨迹的前提下完成对拓片的脱酸。(2)本专利技术采用的等离子体气流处理为非接触式的干法操作，对设备和环境的需求不高，可以清除拓片表面的惰性层、提高水性脱酸剂在纸面的浸润性，提高后续的脱酸效果。(3)本专利技术提供的雾化脱酸工艺流程简单，雾化后的脱酸剂在拓片上的分布均匀，脱酸过程温和，不会破坏拓片表面结构且脱酸效果显著。附图说明图1为实施例1中酸化拓片在脱酸处理前后的图片；图2为对比例1中酸化拓片在等离子体反应室中直接处理后的图片。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。为了更好地描述和说明本申请的实施例，可参考一幅或多幅附图，但用于描述附图的附加细节或示例不应当被认为是对本申请的专利技术创造、目前所描述的实施例或优选方式中任何一者的范围的限制。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。实施例1选择酸化的拓片(宣纸材质)，采用直流高压电源在等离子体反应室中通过介质阻挡放电的方式产生等离子体，气体采用氦气，反应电压为60V，电流为0.3A，通入空气将反应室中气体放电产生的等离子体带出，产生等离子体气流，待反应室中出现稳定的脉冲电流细丝时，开始计时，等离子体气流处理拓片的时间为3min，等离子体处理完成之后，关闭电源，取出拓片将其放入脱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种凹凸结构式拓片的脱酸保护方法，其特征在于，包括如下步骤：/n1)使用等离子体气流活化拓片表面，去除拓片表面的惰性层；所述等离子体气流活化是通过空气将反应室中气体等离子放电产生的等离子体带出，产生等离子体气流对拓片进行活化处理；/n2)将脱酸剂雾化后浸润拓片进行脱酸处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种凹凸结构式拓片的脱酸保护方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)使用等离子体气流活化拓片表面，去除拓片表面的惰性层；所述等离子体气流活化是通过空气将反应室中气体等离子放电产生的等离子体带出，产生等离子体气流对拓片进行活化处理；
2)将脱酸剂雾化后浸润拓片进行脱酸处理。


2.根据权利要求1所述的凹凸结构式拓片的脱酸保护方法，其特征在于，所述等离子体为冷等离子体。


3.根据权利要求1所述的凹凸结构式拓片的脱酸保护方法，其特征在于，所述等离子体由气体介质阻挡放电、辉光放电或电晕放电的形式产生。


4.根据权利要求1所述的凹凸结构式拓片的脱酸保护方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张溪文，陈炳铨，施文正，徐绍艳，
申请(专利权)人：杭州众材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33