单晶培养装置制造方法及图纸

课题在于提供可降低单晶的温度梯度的同时防止杂质混入导致的单晶的成品率的急剧变差的单晶培养装置。本发明专利技术的单晶培养装置90通过提拉法由坩埚1内的原料的熔融液12培养单晶13，其具备：覆盖坩埚1的上方的空间16的上部耐火材料容器10b、覆盖上部耐火材料容器10b的外周的绝热保温结构14和覆盖绝热保温结构14的外周的绝缘性陶瓷材料15。

【技术实现步骤摘要】
单晶培养装置
本专利技术涉及通过提拉法培养单晶的单晶培养装置。
技术介绍
提拉法也称为丘克拉斯基法，是将原料在坩埚内加热熔融，制成熔融液的状态后，使晶种与熔融液接触，通过在旋转的同时进行提拉而培养单晶的方法。该方法中，单晶不与坩埚接触，不产生因坩埚导致的机械变形，因此有容易制作高品质大口径的结晶的优点。因此，半导体硅(Si)、化合物半导体的砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)、氧化物结晶的钇铝石榴石(Y3Al5O12;YAG)、蓝宝石(Al2O3)、铌酸锂(LiNbO3;LN)、钽酸锂(LiTaO3;LT)、锗酸铋(Bi4Ge3O12;BGO)等各种结晶通过该方法制造。这些中，铌酸锂(LN)和钽酸锂(LT)是用于电子仪器、光学仪器的重要的单晶材料，特别是，广泛用于声表面波(SurfaceAcousticWave;SAW)仪器。专利文献1记载了利用提拉法的钽酸锂单晶的制造方法。专利文献1中记载的单晶提拉装置由加入原料并保持将该原料熔融得到的熔融液的坩埚、构成用于加热原料的加热装置的工作线圈、包含安本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.单晶培养装置，其是通过提拉法由坩埚内的原料的熔融液培养单晶的单晶培养装置，其具备：/n覆盖前述坩埚的上方的空间的上部耐火材料容器、/n覆盖前述上部耐火材料容器的外周的绝热保温结构、和/n覆盖前述绝热保温结构的外周的绝缘性陶瓷材料。/n

【技术特征摘要】
20191004 JP 2019-1834491.单晶培养装置，其是通过提拉法由坩埚内的原料的熔融液培养单晶的单晶培养装置，其具备：
覆盖前述坩埚的上方的空间的上部耐火材料容器、
覆盖前述上部耐火材料容器的外周的绝热保温结构、和
覆盖前述绝热保温结构的外周的绝缘性陶瓷材料。


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【专利技术属性】
技术研发人员：阿部淳，森山隼，桑原由则，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP