一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜及其制备方法，包括以下步骤：步骤1、配制质子酸溶液，溶剂使用去离子水；步骤2、称取氧化剂溶解于上述酸溶液中，充分搅拌使其完全溶解；步骤3、取吡咯单体滴入上述溶液中，逐渐可观察到液面有聚吡咯薄膜形成，随着聚合时间的增加，薄膜愈发明专利技术显，反应在恒温下进行；步骤4、用洁净的衬底将步骤3生成的薄膜从液面捞出，用去离子水清洗，以除去薄膜表面的反应溶液残留；步骤5、步骤4所得薄膜烘干后即可得到高结晶质量聚吡咯薄膜。

【技术实现步骤摘要】
一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜及其制备方法
本专利技术涉及导电聚吡咯薄膜的制备方法，具体涉及一种通过化学氧化的方法在液面制备高质量导电聚吡咯薄膜及其制备方法。
技术介绍
导电聚合物属于一种导电高分子材料，聚吡咯作为常见导电聚合物之一，其除了具有传统高分子材料质量轻，易于加工，机械性能好和成本低廉等优点外，其还具有可以通过改变制备条件，使其导电性能连续可调的优点，这极大的拓展了其应用范围，相关报道表明导电聚合物在有机太阳能电池、印刷电子电路、有机发光二极管、制动器、电致变色、超级电容器、化学传感器和生物传感器、柔性透明显示器和电磁屏蔽等方面有极大的应用前途。聚吡咯是通过吡咯单体的氧化聚合而得到，其制备方法通常有两种：化学氧化法和电化学氧化法。其中，化学氧化法是通过氧化剂在酸溶液中将吡咯单体氧化后经过质子酸掺杂形成导电聚吡咯，此方法制备的聚吡咯通常为粉末，且X射线衍射没有出现明显的衍射峰。而电化学氧化法可以制备聚吡咯薄膜，但是需要在固定的基底上，难以有效地剥离转移。
技术实现思路
本专利技术设计了一种高结晶质量聚吡本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：/n步骤1、配制质子酸溶液，溶剂使用去离子水；/n步骤2、称取氧化剂溶解于上述酸溶液中，充分搅拌使其完全溶解；/n步骤3、取吡咯单体滴入上述溶液中，逐渐可观察到液面有聚吡咯薄膜形成，随着聚合时间的增加，薄膜愈专利技术显，反应在恒温下进行；/n步骤4、用洁净的衬底将步骤3生成的薄膜从液面捞出，用去离子水清洗，以除去薄膜表面的反应溶液残留；/n步骤5、步骤4所得薄膜烘干后即可得到高结晶质量聚吡咯薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤1、配制质子酸溶液，溶剂使用去离子水；
步骤2、称取氧化剂溶解于上述酸溶液中，充分搅拌使其完全溶解；
步骤3、取吡咯单体滴入上述溶液中，逐渐可观察到液面有聚吡咯薄膜形成，随着聚合时间的增加，薄膜愈发明显，反应在恒温下进行；
步骤4、用洁净的衬底将步骤3生成的薄膜从液面捞出，用去离子水清洗，以除去薄膜表面的反应溶液残留；
步骤5、步骤4所得薄膜烘干后即可得到高结晶质量聚吡咯薄膜。


2.根据权利要求1所述的高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1中所述质子酸为盐酸、硫酸、高氯酸、十二烷基苯磺酸或樟脑磺酸。


3.根据权利要求1所述的高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1中所述质子酸溶液pH值范围为0.5—3。


4.根据权利要求1所述的高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2中所述氧化剂为过硫酸铵、高锰酸钾、过氧化氢或三氯化铁。

...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炳生，卞万朋，王月飞，马剑钢，刘益春，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22