一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法技术

本发明专利技术是一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法，其步骤如下：来料检查；纯水冲洗；盐酸浸泡；乙二酸浸泡；表面喷砂；硝酸和氢氟酸浸泡；纯水浸泡；超声波清洗；氮气吹扫；干燥。本发明专利技术通过采用盐酸浸泡，便于去除钼材质部件表面大部分的沉积污染物，通过使用喷砂机对钼材质部件进行喷砂处理，便于清除钼材质部件表面的氧化层，通过采用硝酸和氢氟酸混合溶液浸泡钼材质部件，可以去除钼材质部件表面玷污的微量金属，使用超声波清洗和氮气清扫钼材质部件表面，大大减少了钼材质部件表面的颗粒污染物，采用此方法降低了钼材质部件的单次重量损耗，减少了钼材质部件母材的损耗，增加了钼材质部件的使用次数，降低了客户端的使用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法
本专利技术涉及半导体设备精密备件洗净
，尤其涉及一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法。
技术介绍
半导体制程设备、光电制程设备中的离子注入工艺腔体的核心备件在使用过程中钼材质部件表面易沉积污染物，需要定期洗净再生。离子注入设备中钼材质部件的传统清洗方法，是只使用喷砂作业去除表面膜层，这种方法工艺单一，操作方便，但是不能完全去除钼部件表面的沉积污染物，对于对颗粒污染物要求较高的离子注入腔体，是不能满足使用要求的，而且只采用单一喷砂工艺，喷砂时间较长，对母材的损耗很大，减少了钼部件的使用次数同时也增加了客户的使用成本。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，而提供一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法。本专利技术为实现上述目的，采用以下技术方案：一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法，其步骤如下：(1)来料检查对待清洗钼材质部件进行外观检查，确认有无缺损；(2)纯水冲洗使用水枪对清洗钼材质部件进行全面冲洗，去除钼材质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法，其特征在于，其步骤如下：/n(1)来料检查/n对待清洗钼材质部件进行外观检查，确认有无缺损；/n(2)纯水冲洗/n使用水枪对清洗钼材质部件进行全面冲洗，去除钼材质部件表面疏松的膜层；/n(3)盐酸浸泡/n将待清洗部件浸入盐酸溶液中，盐酸溶液中盐酸和水的体积配比为1:1，浸泡1小时以上，去除钼材质部件表面附着的膜层，取出后立即使用纯水冲洗，冲洗时间3分钟；/n(4)乙二酸浸泡/n将经步骤(3)盐酸浸泡并冲洗后的钼材质部件浸入乙二酸溶液中，乙二酸溶液中乙二酸和水的体积配比为1:2，浸泡10分钟，去除钼材质部件表面残留膜层，取出后立即使用纯水冲洗，冲洗时...

【技术特征摘要】
1.一种去除钼材质表面金属导电薄膜的清洗方法，其特征在于，其步骤如下：
(1)来料检查
对待清洗钼材质部件进行外观检查，确认有无缺损；
(2)纯水冲洗
使用水枪对清洗钼材质部件进行全面冲洗，去除钼材质部件表面疏松的膜层；
(3)盐酸浸泡
将待清洗部件浸入盐酸溶液中，盐酸溶液中盐酸和水的体积配比为1:1，浸泡1小时以上，去除钼材质部件表面附着的膜层，取出后立即使用纯水冲洗，冲洗时间3分钟；
(4)乙二酸浸泡
将经步骤(3)盐酸浸泡并冲洗后的钼材质部件浸入乙二酸溶液中，乙二酸溶液中乙二酸和水的体积配比为1:2，浸泡10分钟，去除钼材质部件表面残留膜层，取出后立即使用纯水冲洗，冲洗时间3分钟；
(5)表面喷砂
对经步骤(4)清洗完毕后的钼材质部件采用喷砂机进行喷砂处理，喷砂时间为3-5分钟，去除钼材质部件表面氧化层，喷砂机的参数如下：压力为4-5kg/cm2，喷砂枪头与部件距离为15-20厘米，角度60-90度，喷砂介质为氧化硅；
(6)硝酸和氢氟酸浸泡
将喷砂完毕的钼材质部件浸入硝酸和氢氟酸的混合溶液中，硝酸和氢氟酸的混合溶液中硝酸、氢氟酸和水的体积配比为1:1:98，浸泡3-5分钟，然后立即取出，使用纯水进行冲洗；
(7)纯水浸泡
将经步骤(6)清洗完毕后的钼材质部件浸入纯水中浸泡30分钟以上，然后使用压缩空气吹干部件表面的水迹；
(8)超声波清洗
将步骤(7)吹干水迹后的钼材质部件流转至100级洁净间，然后将钼材质部件放入超声...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆帅帅，张代龙，马有杰，贺贤汉，
申请(专利权)人：富乐德科技发展天津有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12