X射线装置制造方法及图纸

管理装置(70)具备：消耗程度检测部(72)，其根据对发射器施加的电压、电流或通电时间来检测发射器的消耗程度；附着量估计部(73)，其基于发射器的消耗程度、以及存储在存储部(71)中的发射器的消耗程度与导电体附着于外壳的附着量的关系，来估计导电体附着于外壳的附着量；以及沿面放电估计部(74)，其基于发射器的消耗程度、存储在存储部(71)中的发射器的消耗程度与导电体附着于外壳的附着量的关系、以及存储在存储部(71)中的导电体附着于外壳的附着量与针对外壳的沿面放电的概率的关系，来估计发生沿面放电的概率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】X射线装置
本专利技术涉及一种具备在外壳内配设有发射器和靶的X射线产生部的X射线装置。
技术介绍
作为具备X射线管的X射线产生部的寿命，能够列举X射线管的放电寿命。例如，对于因X射线管的真空度降低而引起的空间放电，以往根据X射线管的真空度来预测放电的危险度(参照专利文献1)。另外，也利用来自X射线产生部的X射线的曝光次数来预测放电的危险度。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-100174号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题作为成为X射线管的放电寿命的根源的放电，除空间放电之外，不仅能够列举因X射线管的真空度降低而引起的空间放电，还能够列举因构成发射器的导电体附着于构成X射线管的外壳的内周面而产生的沿面放电。关于因构成该发射器的导电体附着于外壳的内表面而产生的沿面放电，难以预测危险度。另外，在利用来自X射线产生部的X射线的曝光次数来预测放电的危险度的情况下，由于放电的危险度根据X射线曝光时的管电压、管电流以及曝光时间等X射线条件而不同，因此产生危险度的预测精度不准确这样的问题。本专利技术是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够更准确地估计构成发射器的导电体附着于外壳的附着量的X射线装置。用于解决问题的方案第一专利技术的特征在于，具备：X射线产生部，其具有发射器、靶以及外壳，其中，所述发射器由导电体构成，用于发射电子，所述靶由于从所述发射器发射出的电子与所述靶碰撞而产生X射线，所述外壳用于收纳所述发射器和所述靶；消耗程度检测部，其检测所述发射器的消耗程度；存储部，其存储所述发射器的消耗程度与构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量的关系；以及附着量估计部，其基于所述发射器的消耗程度、以及存储在所述存储部中的所述发射器的消耗程度与构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量的关系，来估计构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量。即，第一专利技术所涉及的X射线装置具备：X射线产生部，其具有发射器、靶以及外壳，其中，所述发射器由导电体构成，用于发射电子，所述靶由于从所述发射器发射出的电子与所述靶碰撞而产生X射线，所述外壳用于收纳所述发射器和所述靶；存储部，其存储所述发射器的消耗程度与构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量的关系；以及处理器，其执行以下的处理。(1)检测发射器的消耗程度。(2)基于发射器的消耗程度、存储在存储部中的发射器的消耗程度与构成发射器的导电体附着于外壳的附着量的关系，来估计构成发射器的导电体附着于外壳的附着量。关于第二专利技术，所述消耗程度检测部根据对所述发射器施加的电压、电流或通电时间来检测所述发射器的消耗程度。即，处理器执行根据对发射器施加的电压、电流或通电时间来检测发射器的消耗程度的处理。关于第三专利技术，还具备温度传感器，所述附着量估计部利用由所述温度传感器检测出的所述X射线产生部的温度或所述X射线产生部内的绝缘油的温度，来估计构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量。即，处理器执行以下处理：利用由温度传感器检测出的X射线产生部的温度或X射线产生部内的绝缘油的温度，来估计构成发射器的导电体附着于外壳的附着量。关于第四专利技术，还具备姿势传感器，所述姿势传感器检测所述X射线产生部的姿势，所述附着量估计部利用由所述姿势传感器检测出的所述X射线产生部的姿势，来估计构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量。即，处理器执行以下处理：利用由姿势传感器检测出的X射线产生部的姿势，来估计构成发射器的导电体附着于外壳的附着量。关于第五专利技术，所述存储部还存储构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量与发生针对所述外壳的沿面放电的概率的关系，X射线装置还具备沿面放电估计部，所述沿面放电估计部基于所述发射器的消耗程度、存储在所述存储部中的所述发射器的消耗程度与构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量的关系、以及存储在所述存储部中的构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量与针对所述外壳的沿面放电的概率的关系，来估计发生沿面放电的概率。即，存储部还存储构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量与发生针对所述外壳的沿面放电的概率的关系，处理器执行以下处理：基于发射器的消耗程度、存储在存储部中的发射器的消耗程度与构成发射器的导电体附着于外壳的附着量的关系、以及存储在存储部中的构成发射器的导电体附着于外壳的附着量与针对外壳的沿面放电的概率的关系，来估计发生沿面放电的概率。关于第六专利技术，在由所述沿面放电估计部估计出的发生沿面放电的概率超过了预先设定的设定值时，执行警告显示。即，处理器执行以下处理：在由沿面放电估计部估计出的发生沿面放电的概率超过了预先设定的设定值时，进行警告显示。关于第七专利技术，所述存储部还存储构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量与穿过所述外壳的X射线的透过率的关系、或者构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量与穿过所述外壳的X射线的谱的关系，X射线装置还具备图像处理部，所述图像处理部基于构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量、所述存储部中存储的构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量与穿过所述外壳的X射线的透过率的关系、或者基于构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量、以及存储在所述存储部中的构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量与穿过所述外壳的X射线的谱的关系，来变更显示部中显示的X射线图像的图像处理条件。即，存储部还存储构成所述发射器的导电体附着于外壳的附着量与穿过外壳的X射线的透过率的关系、或者构成发射器的导电体附着于外壳的附着量与穿过外壳的X射线的谱的关系，X射线装置具备处理器，所述处理器执行以下处理：基于构成所述发射器的导电体附着于外壳的附着量、存储在存储部中的构成发射器的导电体附着于外壳的附着量与穿过外壳的X射线的透过率的关系、或者基于构成所述发射器的导电体附着于外壳的附着量、以及存储在存储部中的构成发射器的导电体附着于外壳的附着量与穿过外壳的X射线的谱的关系，来变更显示部中显示的X射线图像的图像处理条件。专利技术的效果根据第一专利技术和第二专利技术，能够基于发射器的消耗程度来估计构成发射器的导电体附着于外壳的附着量。根据第三专利技术，能够利用由温度传感器检测出的X射线产生部的温度或X射线产生部内的绝缘油的温度，来更准确地估计构成发射器的导电体附着于外壳的附着量。根据第四专利技术，通过利用由姿势传感器检测出的X射线产生部的姿势，能够在考虑了由X射线产生部的姿势引起的温度分布的基础上更准确地估计构成发射器的导电体附着于外壳的附着量。根据第五专利技术和第六专利技术，能够基于发射器的消耗程度来估计发生沿面放电的概率，能够利用该概率来警告放电寿命将尽。根据第七专利技术，能够基于发射器的消耗程度来识别穿过外壳的X射线的透过率或穿过外壳的X射线的谱。由此，能够变更显示部中显示的X射线图像的图像处理条件，从而通过显示部显示恰当的图像。附图说明图1是构成本专利技术所涉及的X射线装置的一部分的X射线透视摄影装置的概要图。...

【技术保护点】
1.一种X射线装置，其特征在于，具备：/nX射线产生部，其具有发射器、靶以及外壳，其中，所述发射器由导电体构成，用于发射电子，所述靶由于从所述发射器发射出的电子与所述靶碰撞而产生X射线，所述外壳用于收纳所述发射器和所述靶；/n消耗程度检测部，其检测所述发射器的消耗程度；/n存储部，其存储所述发射器的消耗程度与构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量的关系；以及/n附着量估计部，其基于所述发射器的消耗程度、以及存储在所述存储部中的所述发射器的消耗程度与构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量的关系，来估计构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180911 JP 2018-1697691.一种X射线装置，其特征在于，具备：
X射线产生部，其具有发射器、靶以及外壳，其中，所述发射器由导电体构成，用于发射电子，所述靶由于从所述发射器发射出的电子与所述靶碰撞而产生X射线，所述外壳用于收纳所述发射器和所述靶；
消耗程度检测部，其检测所述发射器的消耗程度；
存储部，其存储所述发射器的消耗程度与构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量的关系；以及
附着量估计部，其基于所述发射器的消耗程度、以及存储在所述存储部中的所述发射器的消耗程度与构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量的关系，来估计构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量。


2.根据权利要求1所述的X射线装置，其特征在于，
所述消耗程度检测部根据对所述发射器施加的电压、电流或通电时间来检测所述发射器的消耗程度。


3.根据权利要求1所述的X射线装置，其特征在于，
还具备温度传感器，
所述附着量估计部利用由所述温度传感器检测出的所述X射线产生部的温度或所述X射线产生部内的绝缘油的温度，来估计构成所述发射器的导电体附着于所述外壳的附着量。


4.根据权利要求1所述的X射线装置，其特征在于，
还具备姿势传感器，所述姿势传感器检测所述X射线产生部的姿势，
所述附着量估计部利用由所述姿势传感器检测出的所述X射线产生部的姿势，来估计构成所述发射器的导电体附着于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：浦田朋晃，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP