【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双向半导体断路器
本专利技术涉及断路器，更具体而言，涉及一种双向半导体断路器。
技术介绍
在半导体断路器中，通常使用缓冲电路(SnubberCircuit)，以保护半导体免受半导体开关时产生的电压引起的损伤。另外，电力用半导体断路器也同样需要缓冲电路以降低开关时产生的电压。作为缓冲电路，可以例举电容C缓冲器、电阻-电容RC缓冲器、充放电型(Charge-dischargetype)电阻-电容-二极管RCD缓冲器、以及放电抑制型(Discharge-suppressingtype)缓冲电路。下面，对其中的充放电型(Charge-dischargetype)RCD缓冲器的动作进行详细说明。在缓冲器仅由并联接线于电力用半导体的电容C构成的情况下，当故障电流消除后再次接通断路器的电力用半导体时，会发生浪涌电流问题。具体而言，在发生故障之后，缓冲器的电容C充电为DC链路电压VDC。因此，当重新接通断路器时，电容电压通过电力用半导体直接放电，从而会产生浪涌电流。为了减小如上所述的电力用半导体和电容的浪涌电流，需要...
【技术保护点】
1.一种双向半导体断路器，其中，包括：/n主电路部，连接在电源与负载之间，所述主电路部由第一半导体开关和第二半导体开关串联配置；以及/n缓冲电路部，其一端连接于所述第一半导体开关的前端，其另一端连接于所述第二半导体开关的后端，从而所述缓冲电路部并联连接于所述第一半导体开关和所述第二半导体开关，/n所述缓冲电路部包括：/n第一电路线，由第一电容和第一二极管串联配置；/n第二电路线，并联连接于所述第一电路线，所述第二电路线由第二电容和第二二极管串联配置；以及/n第三电路线，其一端连接于所述第一电路线，其另一端连接于所述第二电路线，所述第三电路线由第一电阻和第二电阻串联配置。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180827 KR 10-2018-0100543;20190411 KR 10-2019-001.一种双向半导体断路器，其中，包括：
主电路部，连接在电源与负载之间，所述主电路部由第一半导体开关和第二半导体开关串联配置；以及
缓冲电路部，其一端连接于所述第一半导体开关的前端，其另一端连接于所述第二半导体开关的后端，从而所述缓冲电路部并联连接于所述第一半导体开关和所述第二半导体开关，
所述缓冲电路部包括：
第一电路线，由第一电容和第一二极管串联配置；
第二电路线，并联连接于所述第一电路线，所述第二电路线由第二电容和第二二极管串联配置；以及
第三电路线，其一端连接于所述第一电路线，其另一端连接于所述第二电路线，所述第三电路线由第一电阻和第二电阻串联配置。
2.根据权利要求1所述的双向半导体断路器，其中，还包括，
第一续流电路，在所述断路器的输入部由第三二极管和第三电阻构成，用于抑制在所述断路器的阻断动作时产生的过电压，
所述第一续流电路包括：
所述第三二极管，在所述第一半导体开关的电源侧节点并联连接于所述电源；以及
所述第三电阻，并联连接在所述第三二极管与接地之间。
3.根据权利要求2所述的双向半导体断路器，其中，还包括，
第二续流电路，在所述断路器的输出部由第四二极管和第四电阻构成，
所述第二续流电路包括：
所述第四二极管，在所述第二半导体开关的负载侧节点并联连接于所述负载；以及
所述第四电阻，并联连接在所述第四二极管与接地之间。
4.根据权利要求1所述的双向半导体断路器，其特征在于，
所述电源包括电源侧电感成分，所述负载包括负载侧电感成分。
5.根据权利要求4所述的双向半导体断路器，其特征在于，
在作为因短路而引起的故障时间点的t1之前开始，使所述缓冲电路部的所述第一电容的电压保持为与所述电源的电压相同，从而在所述第一半导体开关和所述第二半导体开关断开的t2时间点，在所述电源侧节点或所述负载侧节点中流动的故障电流不会再增加。
6.根据权利要求5所述的双向半导体断路器，其特征在于，
在作为所述故障时间点的t1以后，当在所述第一半导体开关和所述第二半导体开关中流动的电流达到保护级别时，在所述t2时间点从电流传感器接收断开信号，从而所述第一半导体开关和所述第二半导体开关断开。
7.根据权利要求6所述的双向半导体断路器，其特征在于，
在所述t2时间点，故障电流Ifw开始经由所述第二续流电路流动，
在所述t2时间点之后的t3时间点，从所述第一电感器经由所述缓冲电路部的所述第一电路线流动的电流变为零，
所述故障电流Ifw增加到所述t3时间点，且从所述t3时间点开...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈政煜，张寿亨，康圣熙，宋雄侠，薛承基，朴东焄，申东浩，
申请(专利权)人：LS电气株式会社，首尔大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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