阴极活性物质、其制备方法以及具有包括所述阴极活性物质的阴极的锂二次电池技术

本发明专利技术涉及一种用于锂二次电池的阴极活性物质及其制备方法，该阴极活性物质包括：碳基材料；以及位于所述碳基材料上并以SiCx(0.07＜x＜0.7)表示的含硅非晶涂层，其中所述含硅非晶涂层包括粒径为5nm或更小的硅颗粒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阴极活性物质、其制备方法以及具有包括所述阴极活性物质的阴极的锂二次电池
本专利技术为在韩国产业通商资源部的资金支持下完成的研究开发结果，其课题号为1415156147，课题名称为“用于超长寿命EES的锂二次电池(>450Wh/L)材料和单元电池工艺技术的开发”。本专利技术涉及一种阴极活性物质、其制备方法以及具有包括所述阴极活性物质的阴极的锂电池。
技术介绍
锂二次电池具有优异的充放电效率和容量，并且没有记忆效应，并且即使在不使用时自然放电程度也很少，因此自商业化以来，已被用作便携式电子设备的核心部分。近来，锂二次电池的用途已经从使用诸如吸尘器、电动工具等中小型电池的领域扩展至使用诸如电动车、储能装置和各种机器人等中型电池的领域。其中，主要使用采用碳基阴极材料的锂二次电池，因为其具有较高的价格竞争力和优异的能量寿命特性。但是，其仍然具有低密度和低放电容量的局限性。因此，已经尝试了提供改善的能量密度和容量的用于锂二次电池的阴极。从提高能量密度和容量的观点出发，已经尝试了使用理论能量密度为3600mAh/g的硅作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于锂二次电池的阴极活性物质，其包括：碳基材料；以及/n含硅非晶涂层，其位于所述碳基材料上并以SiC

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180814 KR 10-2018-00948651.一种用于锂二次电池的阴极活性物质，其包括：碳基材料；以及
含硅非晶涂层，其位于所述碳基材料上并以SiCx表示，
在所述SiCx中，x为0.07＜x＜0.7，
所述含硅非晶涂层包括粒径为5nm或更小的硅颗粒。


2.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
在SiCx中，x为0.2＜x＜0.5。


3.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述硅颗粒包括结晶硅颗粒。


4.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述含硅非晶涂层在微分容量分析(dQ/dV)中0.43V处没有峰。


5.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述硅纳米颗粒的粒径为3nm至5nm。


6.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述含硅非晶涂层包括硅纳米颗粒和碳基质，
基于100重量份的所述含硅非晶涂层，所述碳基质占10重量份至60重量份。


7.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述含硅非晶涂层的厚度为5nm至4000nm。


8.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述含硅非晶涂层设置于所述碳基材料的部分或全部表面。


9.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
所述碳基材料包括天然石墨、人造石墨、硬碳、软碳或其组合。


10.根据权利要求1所述的用于锂二次电池的阴极活性物质，其中，
在所述含硅非晶涂层上设置包括非...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹在弼，成宰庆，马知荣，
申请(专利权)人：SJ新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR