光传感器和显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种光传感器和显示装置，该光传感器包括衬底、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、保护层，其中，光传感器包括光传感器电路，光传感器电路包括光传感器晶体管和开关晶体管，光传感晶体管包括第一有源图案，开关晶体管包括第二有源图案，第一有源图案的材料包括非晶硅，第一有源图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃；本申请实施例通过采用光传感晶体管和开关晶体管形成光传感器电路，并在结构设计中，采用非晶硅作为光传感晶体管的第一有源图案，使得第一有源层图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃，从而提高了光传感晶体管的光生载流子数量，从而使得光传感器的响应较高，提高了指纹或者指纹识别成功率。

【技术实现步骤摘要】
光传感器和显示装置
本申请涉及传感
，尤其是涉及一种光传感器和显示装置。
技术介绍
随着电子商务的快速发展，现有线上交易系统为了实现安全性，会采用指纹或者掌纹识别，但现有的指纹识别光学传感器存在成本高，体积大和图像失真等问题，因此会设计基于硅芯片的传感器，但基于硅芯片的传感器容易发生静电击穿，还会受到环境影响，导致基于硅芯片的传感器性能较差，且由于指纹或者指纹的反射光较弱，且指纹间距较小，使得传感器需要在较小的占比面积内实现较高的高光响应，但现有的光传感器在无法满足需求，且在高负压下，现有的光传感器容易出现Poole-Frenkel效应，导致光传感器的明暗电流比和可靠性降低。所以，现有的指纹识别光传感器存在响应较低，导致识别成功率较差的技术问题。
技术实现思路
本申请实施例提供一种光传感器和显示装置，用以解决现有的指纹识别光传感器存在响应较低，导致识别成功率较差的技术问题。本申请实施例提供一种光传感器，该光传感器包括：衬底；栅极层，设置于所述衬底一侧；栅极绝缘层，设置于所述栅极层远离所述衬底的一侧；有源层，设置于所述栅极绝缘层远离所述栅极层的一侧，所述有源层图案化形成有第一有源图案和第二有源图案；源漏极层，图案化形成有第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；保护层，设置于所述源漏极层上，并形成有过孔；其中，所述光传感器包括光传感器电路，所述光传感器电路包括光传感晶体管和开关晶体管，所述光传感晶体管包括第一有源图案，所述开关晶体管包括第二有源图案，所述第一有源图案的材料包括非晶硅，所述第一有源图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃。在一些实施例中，所述第一有源图案的厚度大于所述第二有源图案的厚度，且所述第一有源图案的宽长比等于或者大于所述第二有源图案的宽长比。在一些实施例中，所述第一有源图案的厚度大于所述第二有源图案的厚度，且所述第一有源图案的体积小于或者等于所述第二有源图案的体积。在一些实施例中，所述第一有源图案包括非掺杂有源部分和掺杂有源部分，所述非掺杂有源部分包括高速非晶硅部分和低速非晶硅部分，所述高速非晶硅部分的厚度范围为所述低速非晶硅部分的厚度的40至60倍。在一些实施例中，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层图案化形成有第一有源图案，所述第二有源层图案化形成有第二有源图案。在一些实施例中，所述光传感器还包括金属图案，所述金属图案通过所述保护层的过孔连接所述第一源极和第二漏极或者连接所述第一漏极和第二源极。同时，本申请实施例提供一种显示装置，该显示装置包括光传感器和显示面板，所述光传感器包括：衬底；栅极层，设置于所述衬底一侧；栅极绝缘层，设置于所述栅极层远离所述衬底的一侧；有源层，设置于所述栅极绝缘层远离所述栅极层的一侧，所述有源层图案化形成有第一有源图案和第二有源图案；源漏极层，图案化形成有第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；保护层，设置于所述源漏极层上，并形成有过孔；其中，所述光传感器包括光传感器电路，所述光传感器电路包括光传感晶体管和开关晶体管，所述光传感晶体管包括第一有源图案，所述开关晶体管包括第二有源图案，所述第一有源图案的材料包括非晶硅，所述第一有源图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃。在一些实施例中，所述显示装置还包括像素电极层和金属图案，所述像素电极层设置于所述保护层上，所述像素电极层刻蚀形成有金属图案和像素电极。在一些实施例中，所述显示装置还包括公共电极层，所述公共电极层刻蚀形成有遮光图案，所述遮光图案设置于所述开关晶体管对应区域。在一些实施例中，所述显示装置还包括平坦化层，所述平坦化层对应所述光传感晶体管的厚度小于对应所述开关晶体管的厚度。有益效果：本申请实施例提供一种光传感器和显示装置，所述光传感器包括衬底、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、保护层，所述栅极层设置于所述衬底一侧，所述栅极绝缘层设置于所述栅极层远离所述衬底的一侧，所述有源层设置于所述栅极绝缘层远离所述栅极层的一侧，所述有源层图案化形成有第一有源图案和第二有源图案，所述源漏极层图案化形成有第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，所述保护层设置源漏极层上，并形成有过孔，其中，所述光传感器包括光传感器电路，所述光传感器电路包括光传感器晶体管和开关晶体管，所述光传感晶体管包括第一有源图案，所述开关晶体管包括第二有源图案，所述第一有源图案的材料包括非晶硅，所述第一有源图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃；本申请实施例通过采用光传感晶体管和开关晶体管形成光传感器电路，并在结构设计中，采用非晶硅作为光传感晶体管的第一有源图案，使得第一有源层图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃，从而提高了光传感晶体管的光生载流子数量，从而使得光传感器的响应较高，提高了指纹或者指纹识别成功率。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请实施例提供的光传感器的第一种示意图。图2为本申请实施例提供的光传感器的光传感器电路的示意图。图3为本申请实施例提供的光传感器的第二种示意图。图4为本申请实施例提供的显示装置的示意图。图5为本申请实施例提供的光传感器的光传感晶体管的示意图。图6为本申请实施例提供的光传感晶体管的测试结果曲线图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光传感器，其特征在于，包括：/n衬底；/n栅极层，设置于所述衬底一侧；/n栅极绝缘层，设置于所述栅极层远离所述衬底的一侧；/n有源层，设置于所述栅极绝缘层远离所述栅极层的一侧，所述有源层图案化形成有第一有源图案和第二有源图案；/n源漏极层，图案化形成有第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；/n保护层，设置于所述源漏极层上，并形成有过孔；/n其中，所述光传感器包括光传感器电路，所述光传感器电路包括光传感晶体管和开关晶体管，所述光传感晶体管包括第一有源图案，所述开关晶体管包括第二有源图案，所述第一有源图案的材料包括非晶硅，所述第一有源图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃。/n

【技术特征摘要】
1.一种光传感器，其特征在于，包括：
衬底；
栅极层，设置于所述衬底一侧；
栅极绝缘层，设置于所述栅极层远离所述衬底的一侧；
有源层，设置于所述栅极绝缘层远离所述栅极层的一侧，所述有源层图案化形成有第一有源图案和第二有源图案；
源漏极层，图案化形成有第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；
保护层，设置于所述源漏极层上，并形成有过孔；
其中，所述光传感器包括光传感器电路，所述光传感器电路包括光传感晶体管和开关晶体管，所述光传感晶体管包括第一有源图案，所述开关晶体管包括第二有源图案，所述第一有源图案的材料包括非晶硅，所述第一有源图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃。


2.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述第一有源图案的厚度大于所述第二有源图案的厚度，且所述第一有源图案的宽长比等于或者大于所述第二有源图案的宽长比。


3.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述第一有源图案的厚度大于所述第二有源图案的厚度，且所述第一有源图案的体积小于或者等于所述第二有源图案的体积。


4.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述第一有源图案包括非掺杂有源部分和掺杂有源部分，所述非掺杂有源部分包括高速非晶硅部分和低速非晶硅部分，所述高速非晶硅部分的厚度范围为所述低速非晶硅部分的厚度的40至60倍。


5.如权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层图案化形成有第一有源图案，所述第二有源层图案化形成有第二有...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡广烁，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44