【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本公开主张2019/09/17申请的美国正式申请案第16/573,549号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。更具体地，一种具有衬垫的半导体装置与其相关制造方法。
技术介绍
半导体装置被用于各种电子设备的应用当中，例如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。为满足对计算能力不断增长的需求，半导体装置的尺寸不断地缩小。然而，半导体装置微型化的过程使其制造方面遭遇着各种问题，这些问题将影响半导体装置最终的电特性、品质和产率。因此，在提高半导体装置的性能、质量、良率、效能和可靠性等方面仍然面临挑战。上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开的一方面提供一种半导体装置，该半导体装置包括一第一导电体、一第二导电体和该第一导电体分离设置、多个衬垫分别对应地贴设于该第...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一第一导电体；/n一第二导电体和该第一导电体分离设置；/n多个衬垫分别对应地贴设于该第一导电体的侧表面及该第二导电体的侧表面；以及/n一第一绝缘区段设置于该第一导电体和该第二导电体之间。/n
【技术特征摘要】
20190917 US 16/573,5491.一种半导体装置，包括：
一第一导电体；
一第二导电体和该第一导电体分离设置；
多个衬垫分别对应地贴设于该第一导电体的侧表面及该第二导电体的侧表面；以及
一第一绝缘区段设置于该第一导电体和该第二导电体之间。
2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一第一掺杂区域设置于该第一导电体的顶面及该第一导电体的侧表面。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一绝缘区段包括一嵌入部及一延伸部，该嵌入部设置于所述多个衬垫之间，而该延伸部设置于该嵌入部上。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该延伸部的两侧分别对应地设置于该第一导电体的顶面的一部分及该第二导电体的顶面的一部分上。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其中该延伸部的宽度大于或等于该第一导电体和该第二导电体间的水平距离。
6.如权利要求5所述的半导体装置，还包括一第一导电垫和一第二导电垫，其中该第一导电垫设置于该第一导电体的顶面，该第二导电垫设置于该第二导电体的顶面。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一导电垫包括一第一底部导电层及一第一中间导电层，该第一底部导电层设置于该第一导电体的顶面，该第一中间导电层设置于该第一底部导电层上。
8.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一导电垫包括一第一底部导电层、一第一中间导电层及一第一顶部导电层，该第一底部导电层设置于该第一导电体的顶面，该第一中间导电层设置于该第一底部导电层上，该第一顶部导电层设置于该第一中间导电层上。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该第一底部导电层的一侧覆盖该延伸部的顶面的一部分。
10.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一导电垫是由铝、银、白金、铅、镍、金...
【专利技术属性】
技术研发人员：许平，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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