一种用于ITO导电膜的保护膜制造技术

技术编号:27933184 阅读:20 留言:0更新日期:2021-04-02 14:12
本实用新型专利技术提供了一种用于ITO导电膜的保护膜,涉及ITO导电膜领域,包括从下往上依次贴合的基材、抗静电层和亚克力胶层;所述抗静电层采用将抗静电剂涂布在所述基材上固化后形成,所述抗静电层的厚度为0.1‑2μm;本实用新型专利技术提供的一种用于ITO导电膜的保护膜,在贴合过程中,撕除离型膜时静电很快消散,环境中异物灰尘不会吸附到胶层表面,降低环境中颗粒物的影响,提高了产品良率;由于消除了静电影响,可实现在线贴合,减少覆膜机设备的投入,减少了一道制程的损耗,提高了产出率,节约了制造成本;并且抗静电层的厚度采用0.1‑2μm,在节省成本的前提下,能够起到较好的消除静电效果;克服了现有ITO用保护膜良率低以及无法在线贴合的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种用于ITO导电膜的保护膜
本技术涉及ITO导电膜领域,特别是涉及一种用于ITO导电膜的保护膜。
技术介绍
随着智能触摸显示设备的兴起,透明导电膜需求量巨大,透明导电膜技术路线中,ITO导电膜因为电阻稳定、成本低等优势成为市场主流。ITO透明导电膜成为主流触控薄膜,其是通过在双面硬化膜的一面溅射ITO导电层实现导电效果,但是ITO蚀刻纹路明显,且因为ITO后道制程多,容易产生划伤问题,所以需要在非镀膜面贴合保护膜。现有的ITO用保护膜对贴膜环境洁净度要求高,由于静电吸附异物易造成异物点和凹凸点,其异物点不良多,良率低,无法实现在线贴合。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术所要解决的问题是提供一种用于ITO导电膜的保护膜,以克服现有ITO用保护膜良率低以及无法在线贴合的缺陷。(二)技术方案为解决所述技术问题,本技术提供一种用于ITO导电膜的保护膜,包括从下往上依次贴合的基材、抗静电层和亚克力胶层;所述抗静电层采用将抗静电剂涂布在所述基材上固化后形成;所述抗静电剂为离子型、高分子型或金属氧化物型。所述抗静电层的厚度为0.1-2μm,优选为0.1-0.5μm。本保护膜通过调整保护膜内部结构,能够导出静电,减少异物吸附,解决了在线贴膜问题,减少了损耗,提高了良率,降低了成本;并且抗静电层厚度选用0.1-2μm,在节省成本的前提下,能够起到较好的消除静电效果。进一步的,所述基材的厚度为23-188μm,优选50-125μm。所述基材的材料为PET、COP、TAC、PC、PMMA、SRF和PI中的任意一种。进一步的,所述亚克力胶层的材料为耐高温亚克力胶;所述亚克力胶层的厚度为5-30μm,优选10-15μm;所述亚克力胶层的上端还贴合有离型膜。(三)有益效果本技术提供的一种用于ITO导电膜的保护膜,通过基材、抗静电层和亚克力胶层的配合,通过在基材上涂布抗静电层以形成导电通路,在抗静电层上涂布亚克力胶层,降低阻抗和撕膜电压;在贴合过程中,撕除离型膜时静电很快消散,环境中异物灰尘不会吸附到胶层表面,降低环境中颗粒物的影响,提高了产品良率;由于消除了静电影响,可实现在线贴合,减少覆膜机设备的投入,减少了一道制程的损耗,提高了产出率,节约了制造成本;并且抗静电层的厚度采用0.1-2μm,在节省成本的前提下,能够起到较好的消除静电效果;克服了现有ITO用保护膜良率低以及无法在线贴合的缺陷。附图说明图1为现有ITO导电膜的结构示意图;图2为本技术一种用于ITO导电膜的保护膜结构示意图;图3为本技术一种用于ITO导电膜的保护膜贴合后的结构示意图;图中各个附图标记的对应的部件名称是:1、基材;2、抗静电层;3、亚克力胶层;4、离型膜。具体实施方式下面结合附图和实施例,对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术,但不用来限制本技术的范围。参阅图2,本技术提供一种用于ITO导电膜的保护膜,包括从下往上依次贴合的基材1、抗静电层2和亚克力胶层3。抗静电层2采用将抗静电剂涂布在基材1上固化后形成。抗静电剂为离子型、高分子型或金属氧化物型。抗静电层2的厚度为0.1-2μm,优选0.1-0.5μm。抗静电层2的厚度选用过大时会增加成本,选用较小时会影响抗静电效果;本实施例中,抗静电层2的厚度采用0.1μm,在节省成本的前提下,能够获得最好的抗静电效果。基材1的厚度为23-188μm,优选50-125μm。基材1的材料为PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、COP(环烯烃聚合物)、TAC(三醋酸纤维素)、PC(聚碳酸酯)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、SRF和PI(聚酰亚胺)中的任意一种。本实施例中,基材1的材料选用PET。亚克力胶层的材料为耐高温亚克力胶;亚克力胶层3的厚度为5-30μm,优选10-15μm;亚克力胶层3的上端还贴合有离型膜4。参阅图1,现有的ITO导电膜包括基材、分别设置在基材上下两端的硬化层以及在上侧硬化层上溅射的ITO导电层;参阅图3,贴合时,先制备ITO导电膜的双面硬化层结构,然后撕去离型膜4,将亚克力胶层3贴合在下层的硬化层上,最后再在上侧硬化层上溅射的ITO导电层。本实施例提供的一种用于ITO导电膜的保护膜,结构简单,制作方便;通过基材、抗静电层和亚克力胶层的配合,通过在基材上涂布抗静电层以形成导电通路,在抗静电层上涂布亚克力胶层,降低阻抗和撕膜电压;在贴合过程中,撕除离型膜时静电很快消散,环境中异物灰尘不会吸附到胶层表面,降低环境中颗粒物的影响,提高了产品良率;由于消除了静电影响,可实现在线贴合,减少覆膜机设备的投入,减少了一道制程的损耗,提高了产出率,节约了制造成本;克服了现有ITO用保护膜良率低以及无法在线贴合的缺陷。以上所述仅是本技术的优选实施方式,应当指出,对于本
的普通技术人员来说,在不脱离本技术技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网
...

【技术保护点】
1.一种用于ITO导电膜的保护膜,其特征在于:包括从下往上依次贴合的基材(1)、抗静电层(2)和亚克力胶层(3);所述抗静电层(2)采用将抗静电剂涂布在所述基材(1)上固化后形成,所述抗静电层(2)的厚度为0.1-2μm。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于ITO导电膜的保护膜,其特征在于:包括从下往上依次贴合的基材(1)、抗静电层(2)和亚克力胶层(3);所述抗静电层(2)采用将抗静电剂涂布在所述基材(1)上固化后形成,所述抗静电层(2)的厚度为0.1-2μm。


2.如权利要求1所述的用于ITO导电膜的保护膜,其特征在于:所述抗静电层(2)的厚度为0.1-0.5μm。


3.如权利要求1所述的用于ITO导电膜的保护膜,其特征在于:所述基材(1)的...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘楷楷董红星
申请(专利权)人:宁波惠之星新材料科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1