【技术实现步骤摘要】
一种偏振不敏感相位调制器及调制方法
本申请涉及光通信器件
，具体涉及一种偏振不敏感相位调制器及调制方法。
技术介绍
目前，硅基光子学平台作为集成光学平台，由于其与CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺兼容，具有高折射率差，使得硅基光子学平台具有易于大规模制作及易于集成两大优势。硅本身是中心对称的晶体结构，因此硅没有线性电光效应，而线性电光效应是目前高性能光调制器所需的。相关技术中，硅基调制器需要依靠等离子体色散效应，并利用离子注入形成PN结的方式实现，通过改变PN结的载流子浓度来改变硅波导的折射率，进而实现对光波振幅的调制。但是，由于SOI(Silicon-on-insulator，绝缘衬底上的硅)波导的结构特性，横电TE模和横磁TM模在硅波导中的模场分别具有较大的差异，因此，硅基调制器难以实现偏振不敏感的调制效果。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷之一，本申请的目的在于提供一种偏振不敏感相位调制器及调制方...
【技术保护点】
1.一种偏振不敏感相位调制器，其特征在于，其包括：/n脊型波导(4)，其包括平板波导(40)和位于平板波导(40)表面的两个互相平行的调制波导，所述平板波导(40)上设有GSG行波电极结构，每组相邻G电极和S电极之间均设置一个所述调制波导；/n偏振分束器(2)，用于将输入波导(1)的输入光波分成第一模式偏振光和第二模式偏振光，并将第一模式偏振光输出至一个调制波导；/n第一偏振旋转器(3)，其用于入射该第二模式偏振光，并输出第一模式偏振光至另一个调制波导；所述S电极用于加载射频信号后，对两个调制波导内的第一模式偏振光产生相同的相移；/n第二偏振旋转器(5)，其用于入射相移后的...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种偏振不敏感相位调制器，其特征在于，其包括：
脊型波导(4)，其包括平板波导(40)和位于平板波导(40)表面的两个互相平行的调制波导，所述平板波导(40)上设有GSG行波电极结构，每组相邻G电极和S电极之间均设置一个所述调制波导；
偏振分束器(2)，用于将输入波导(1)的输入光波分成第一模式偏振光和第二模式偏振光，并将第一模式偏振光输出至一个调制波导；
第一偏振旋转器(3)，其用于入射该第二模式偏振光，并输出第一模式偏振光至另一个调制波导；所述S电极用于加载射频信号后，对两个调制波导内的第一模式偏振光产生相同的相移；
第二偏振旋转器(5)，其用于入射相移后的一个第一模式偏振光，并输出第二模式偏振光；
偏振合束器(6)，其用于将相移后的另一个第一模式偏振光和第二偏振旋转器(5)输出的第二模式偏振光进行合束。
2.如权利要求1所述的偏振不敏感相位调制器，其特征在于：两个所述调制波导分别为第一调制波导(44)和第二调制波导(45)，所述第一偏振旋转器(3)设置于所述偏振分束器(2)与第二调制波导(45)之间，所述第二偏振旋转器(5)位于所述第一调制波导(44)与偏振合束器(6)之间。
3.如权利要求2所述的偏振不敏感相位调制器，其特征在于：两个所述调制波导分别与偏振合束器(6)之间设有热相移器，每个热相移器分别用于补偿一个调制波导上的初始相位。
4.如权利要求1所述的偏振不敏感相位调制器，其特征在于：
所述脊型波导上掺杂形成第一P型重掺区(411)、第一P型轻掺区(412)、第一N型轻掺区(413)、N型重掺区(414)、第二N型轻掺区(415)、第二P型轻掺区(416)和第二P型重掺区(417)；
所述第一P型轻掺区(412)位于第一P型重掺区(411)和第一N型轻掺区(413)之间，且与第一N型轻掺区(413)相接触形成第一PN结；
所述第二P型轻掺区(416)位于第二N型轻掺区(415)和第二P型重掺区(417)之间，且与第二N型轻掺区(415)相接触形成第二PN结；
技术研发人员：张宇光，肖希，李淼峰，王磊，陈代高，胡晓，
申请(专利权)人：武汉邮电科学研究院有限公司，武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。