一种中子单色器用非完美单晶片的加工设备制造技术

一种中子单色器用非完美单晶片的加工设备由加热电炉、温度控制系统、模具系统、加载系统、真空保护系统、操作台、辅助系统组成；加热电炉炉口朝下，真空系统由玻璃罩、真空泵及其附件组成；模具系统和夹持部分均内置于玻璃罩，夹持部分主体为旋转杆和由两个平行四边形机构组成的夹钳，旋转杆为套管结构，旋转杆可绕自身轴线旋转。该机构简单，可在视频监控系统帮助下在炉内进行坯料的移送和翻转，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种中子单色器用非完美单晶片的加工设备
本专利技术属于一种薄片的高温成型装置，尤其涉及到一种中子单色器用非完美单晶片的加工设备。
技术介绍
反应堆和加速器提供的慢中子通常都具有连续的能谱，而中子散射实验须提供某个一个很窄特定波长范围的“单色中子”。利用晶体的Bragg相干散射从白光中子源，通过反射和透射来获得所需“单色中子”，这是中子散射频谱仪最常用的方法。中子单色器就是利用晶体的Bragg反射形成所需“单色中子”。因此，中子单色器是中子散射频谱仪上一种常见的中子光学组件，对频谱仪的分辨率和入射中子束强度有着重要影响，被称为中子散射频谱仪的“心脏”。为提高出射中子的强度，通常采用非完美晶体仍然是中子单色器或中子分析器的首要选择。人工单晶是由尺寸非常小嵌镶块组成，嵌镶块内具有完美的周期分布的点阵结构，但镶嵌块之间存在厚度为几埃的无序原子层。为了获取足够的中子强度，单色器用的嵌镶晶体宽度必须匹配入射束的水平发散，约为0.3-05°。而人工单晶的嵌镶度非常小，需要增加几十倍后才能用作中子单色器。在晶体中引入大的嵌镶结构被称为嵌镶延展技术，增加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中子单色器用非完美单晶片的加工设备由加热电炉、温度控制系统、模具系统、加载系统、真空保护系统、操作台、辅助系统组成；/n其特征在于，加热电炉的最高加热温度不高于1350°，炉膛为圆柱形且炉口朝下，加热电炉具有垂直升降或部分炉膛可旋转具有开闭功能；真空系统由玻璃罩、玻璃罩支撑板、真空泵、真空计、连接接头、管路组成；/n进一步，所述玻璃罩主体为圆柱体，一端为穹顶封闭，另一端为通孔，玻璃罩在处于保护状态时，玻璃罩通孔端朝下立式放置于玻璃罩支撑板之上，在玻璃罩的圆柱面开设有操作口，操作口装配有不透气材质的手套；/n进一步， 所述操作台的主体为水冷套箱结构，水冷套箱开设有环形槽，环形槽下设置有玻...

【技术特征摘要】
1.一种中子单色器用非完美单晶片的加工设备由加热电炉、温度控制系统、模具系统、加载系统、真空保护系统、操作台、辅助系统组成；
其特征在于，加热电炉的最高加热温度不高于1350°，炉膛为圆柱形且炉口朝下，加热电炉具有垂直升降或部分炉膛可旋转具有开闭功能；真空系统由玻璃罩、玻璃罩支撑板、真空泵、真空计、连接接头、管路组成；
进一步，所述玻璃罩主体为圆柱体，一端为穹顶封闭，另一端为通孔，玻璃罩在处于保护状态时，玻璃罩通孔端朝下立式放置于玻璃罩支撑板之上，在玻璃罩的圆柱面开设有操作口，操作口装配有不透气材质的手套；
进一步，所述操作台的主体为水冷套箱结构，水冷套箱开设有环形槽，环形槽下设置有玻璃罩支撑板；
所述辅助系统包含绝热垫、置放架、保护层、夹持部分、视频监控。


2.根据权利要求1所述保护层，其特征在于，保护层为复合结构包含绝热的外层、散热的内层、隔离的中间层，散热层的散热介质为水，散热的主要方向为垂直向下，保护层包覆玻璃罩操作口及以下的外壳部分。

【专利技术属性】
技术研发人员：罗奕兵，谢炜，仝永钢，余小峰，曹太山，华熳煜，
申请(专利权)人：长沙理工大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43