【技术实现步骤摘要】
一种双元共蒸的FA基钙钛矿薄膜的制备方法
本专利技术为钙钛矿太阳能电池器件的设计和制备领域，具体涉及一种双元共蒸的FA基钙钛矿薄膜的制备方法。
技术介绍
近年来发现的钙钛矿型太阳能电池由于高转换效率、低成本、环境友善、产品可挠化等优点正在受到越来越广泛的关注。其中，新型钙钛矿性太阳能电池的光电转换效率在短短几年内提升了数倍，表现出非常优异的光电性能，基于钙钛矿型半导体材料的器件设计和制备也越发值得探究，而FA基钙钛矿材料由于其较为优异的稳定性而受到广泛关注。目前FA基钙钛矿型薄膜研究面临的重要问题之一是进行无溶液高质量薄膜的制备，而目前通过蒸镀法进行无溶液高质量薄膜的制备，但是该方法存在成本高的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种双元共蒸的FA基钙钛矿薄膜的制备方法，解决了现有技术中存在的不足。为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：本专利技术提供的一种双元共蒸的FA基钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：利用气相双元共蒸法在基底上制备得到钙钛矿薄膜。
【技术保护点】
1.一种双元共蒸的FA基钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n利用气相双元共蒸法在基底上制备得到钙钛矿薄膜。/n
【技术特征摘要】
1.一种双元共蒸的FA基钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
利用气相双元共蒸法在基底上制备得到钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种双元共蒸的FA基钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，利用气相双元共蒸法在基底上制备得到钙钛矿薄膜，具体方法是：
在30-150℃的温度下，在基底上分别以FAI及I2为蒸发源，制备得到钙钛矿薄膜，其中，FAI及I2的摩尔比(1-2)：(2:-1)；钙钛矿吸光层厚度为300-600nm。
3.根据权利要求1所述的一种双元共蒸的FA基钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，利用气相双元共蒸法在基底上制备得到钙钛矿薄膜，具体方法是：
在120℃的温度下，在基底上分别以FAI及I2为蒸发源，制备得到钙钛矿薄膜，其中，FAI及I2的摩尔比1:1.2；钙钛矿吸光层厚度为300-600nm。
4.一种双元共蒸的FA基太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，在导电电极基底上制备空穴传输层；
步骤2，在空穴传输层上利用气相双元共蒸法制备钙钛矿吸光层；
步骤3，在钙钛矿吸光层上制备电子传输层；
步骤4，在电子传输层上制备金属对电极层，得到基于双元共蒸的FA基钙钛矿薄膜。
5.根据权利要求4所述的一种双元共蒸的...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘家梁，赵志国，秦校军，肖平，赵东明，邬俊波，董超，熊继光，王百月，冯笑丹，梁思超，王森，张杰，
申请(专利权)人：华能新能源股份有限公司，中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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