用于有机光电装置的化合物、有机光电装置及显示装置制造方法及图纸

公开了一种用于有机光电装置的化合物、有机光电装置及显示装置，所述用于有机光电装置的化合物由化学式1表示。在化学式1中，每个取代基如在说明书中定义的。[化学式1]

【技术实现步骤摘要】
用于有机光电装置的化合物、有机光电装置及显示装置相关申请的引证本申请要求于2019年10月02日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2019-0122526的优先权和权益，其全部内容通过引证并入本文。
公开了用于有机光电装置(optoelectronicdevice，光电子装置，光电器件，光电子器件)的化合物、有机光电装置及显示装置(displaydevice，显示器件)。
技术介绍
有机光电装置(有机光电二极管)是将电能转化为光能(反之亦然)的装置。根据其驱动原理，可以如下所示对有机光电装置进行分类。一种是其中将通过光能产生的激子分离成电子和空穴，并且将电子和空穴分别转移到不同的电极并产生电能的光电装置，而另一种是通过向电极提供电压或电流，从电能产生光能的发光装置。有机光电装置的实例包括有机光电子装置、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机感光鼓。其中，由于对于平板显示器需求的增加，有机发光二极管(OLED)最近引起了人们的注意。有机发光二极管通过对有机发光材料施加电流将电能转化为光，并且有机发光二极管的性能可以受布置在电极之间的有机材料的影响。
技术实现思路
一个实施方式提供了能够实现具有高效率和长寿命的有机光电装置的用于有机光电装置的化合物。另一个实施方式提供了包含用于有机光电装置的化合物的有机光电装置。另一个实施方式提供了包括有机光电装置的显示装置。根据一个实施方式，提供了由化学式1表示的用于有机光电装置的化合物。[化学式1]在化学式1中，A是取代或未取代的C10至C20芳基或取代或未取代的C10至C20杂环基，R1至R8独立地为氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基或者取代或未取代的C6至C20芳基，和R9和R10独立地为氢、氘或未取代的苯基。根据另一个实施方式，有机光电装置包括彼此面对的阳极和阴极、和设置在阳极和阴极之间的至少一个有机层，其中有机层包含用于有机光电装置的化合物。根据另一个实施方式，提供了包括有机光电装置的显示装置。可以实现具有高效率和长寿命的有机光电装置。附图说明图1和图2是分别显示根据一个实施方式的有机发光二极管的截面图。<符号说明>100、200：有机发光二极管105：有机层110：阴极120：阳极130：发光层140：空穴辅助层具体实施方式在下文中，详细描述了本专利技术的实施方式。然而，这些实施方式是示例性的，本专利技术不限于此并且通过权利要求的范围限定本专利技术。如本文所使用的，当未另外提供定义时，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、卤素、羟基、氨基、取代或未取代的C1至C30胺基、硝基、取代或未取代的C1至C40甲硅烷基(silyl，硅烷基)、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基(alkylsilyl，烷基硅烷基)、C6至C30芳基甲硅烷基(arylsilyl，芳基硅烷基)、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、C1至C10三氟烷基、氰基或它们的组合替换。在本专利技术的一个实例中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C6至C30芳基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基或氰基替换。另外，在本专利技术的具体实例中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基或氰基替换。另外，在本专利技术的具体实例中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、C1至C5烷基、C6至C18芳基或氰基替换。另外，在本专利技术的具体实例中，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、联苯基、三联苯基或者萘基替换。如本文所使用的，当未另外提供定义时，“杂”是指在一个官能团中包含选自N、O、S、P和Si中的1至3个杂原子和剩余的碳的基团。如本文所使用的，“芳基”是指包括至少一个烃芳族部分的基团，并且可以包括其中烃芳族部分的所有元素具有形成共轭的p-轨道的基团，例如，苯基、萘基等，其中可以通过σ键连接两个或更多个烃芳族部分的基团，例如，联苯基、三联苯基、四联苯基(quarterphenylgroup)等，和其中两个或更多个烃芳族部分直接或间接稠合以提供非芳族稠环的基团，例如，芴基等。芳基可以包括单环、多环或稠环多环(即，共享相邻的碳原子对的环)官能团。在本说明书中，“杂环基”是杂芳基的一般概念，并且可以在环状化合物，如芳基、环烷基、其稠环或它们的组合中包括选自N、O、S、P和Si的至少一个杂原子来替代碳(C)。当杂环基是稠环时，杂环基的整个环或每个环可以包括一个或多个杂原子。例如，“杂芳基”是指包括选自N、O、S、P和Si的至少一个杂原子的芳基。通过σ键直接连接两个或更多个杂芳基，或者当杂芳基包括两个或更多个环时，两个或更多个环可以是稠合的。当杂芳基是稠环时，每个环可以包括1至3个杂原子。更具体地，取代或未取代的C6至C30芳基可以是取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的并四苯基(naphthacenyl)、取代或未取代的芘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的对三联苯基、取代或未取代的间三联苯基、取代或未取代的邻三联苯基、取代或未取代的基、取代或未取代的三亚苯基(triphenylenegroup，苯并菲基)、取代或未取代的二萘嵌苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的呋喃基或其组合，但不限于此。更具体地，取代或未取代的C2至C30杂环基可以是取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吡唑基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噁唑基、取代或未取代的噻唑基、取代或未取代的噁二唑基、取代或未取代的噻二唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的苯并噁嗪基、取代或未取代的苯并噻嗪基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩噁嗪基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基或取代或未取代的二苯并噻吩基或其组合，但不限于此。在本说明书中，空穴特性是指当施加电场时，提供电子以形成空穴的能力，并且根据最高占有分子轨道(HOMO)水平，由于导电特性，可以容易地将在阳极中所形成的空穴注入发光层并在发光层中传输。另外，电子特性是指当施加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种由化学式1表示的用于有机光电装置的化合物：/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
20191002 KR 10-2019-01225261.一种由化学式1表示的用于有机光电装置的化合物：
[化学式1]



其中，在化学式1中，
A是取代或未取代的C10至C20芳基或者取代或未取代的C10至C20杂环基，
R1至R8独立地为氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基、或者取代或未取代的C6至C20芳基，并且
R9和R10独立地为氢、氘或未取代的苯基。


2.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物，所述化合物由化学式1-1至1-4中的一种表示：






其中，在化学式1-1至1-4中，
A和R1至R10与权利要求1中限定的相同。


3.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物，其中，A是取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或者取代或未取代的二苯并噻吩基。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李韩壹，金旭，金亨宣，梁容卓，尹祉儿，李美真，林水龙，郑成显，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR