【技术实现步骤摘要】
一种高介电常数低介电损耗钛酸铜钙陶瓷的烧结方法
本专利技术涉及电介质材料领域，具体涉及一种高介电常数陶瓷的烧结方法。
技术介绍
CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料因具有高的介电常数近年来得到了广泛关注。这种材料不仅具有高达104的介电常数，而且高的介电常数在室温附近很宽的温度范围内具有很好的稳定性，同时还具有电流—电压非线性压敏特性，这些优良的性能使CCTO材料在高密度能量储存、高介电电容器、压敏器件等微电子领域具有广阔的应用前景。但另一方面，CCTO陶瓷材料也具有相对较高的介电损耗，这直接限制了CCTO材料在实际电子器件中的商业化应用。因此，降低CCTO的介电损耗是十分必要的。众多学者对于CCTO材料的巨介电响应机理已经进行了系统的研究。文献研究已经表明CCTO的介电响应主要是源于内部阻挡层电容器模型。该模型表明CCTO陶瓷是由半导化晶粒和绝缘晶界组成，由于晶粒与晶界之间的电导率相差很大而导致大量电荷在晶粒边界处积聚，从而在陶瓷内部形成大量的阻挡层电容器，而表现为高的介电常数。根据这一原理，提高CCTO晶粒...
【技术保护点】
1.一种高介电常数低介电损耗钛酸铜钙（CaCu
【技术特征摘要】
1.一种高介电常数低介电损耗钛酸铜钙（CaCu3Ti4O12,简称CCTO）陶瓷的烧结方法，其特征在于：CCTO陶瓷坯体经过空气气氛下的升温阶段1、空气气氛下的保温阶段1、空气气氛下的升温阶段2、空气气氛下的保温阶段2、富含氧气混合气体气氛下的气相淬火冷却阶段后而烧成CCTO陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种高介电常数低介电损耗CaCu3Ti4O12陶瓷的烧结方法，其特征在于所述CCTO陶瓷坯体在烧成陶瓷的过程中，依次实施以下步骤：
S1实施升温阶段1：将CCTO陶瓷坯体放置于烧结炉中后，在空气气氛下将烧结炉的温度从室温升高到650℃，升温过程中的升温速率为8~10℃/min；
S2实施保温阶段1：在空气气氛下使烧结炉在65...
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