一种纳米锥形阵列结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种纳米锥形阵列结构及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)利用超快激光对基底进行加工，之后清洗得到中间基底；(2)将步骤(1)得到的中间基底进行等离子体刻蚀，得到所述纳米锥形阵列结构。本发明专利技术提供的方法，采用超快激光在表面制备微纳结构，在等离子体刻蚀过程中并利用微掩模效应在微纳结构区域的增强效果，即利用现有技术中缺陷制备了高深宽比的纳米锥阵列结构，该方法兼容性好、制备区域灵活可控，可极大提升纳米锥阵列结构的制备工艺精度。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米锥形阵列结构及其制备方法
本专利技术涉及微纳加工领域，具体涉及一种纳米锥形阵列结构及其制备方法。
技术介绍
纳米锥阵列结构广泛用于生物传感、光学减反增透、高表面活性电极等。常用制备方法包括通过干法刻蚀或湿法刻蚀结合光刻掩模如电子束光刻，自组装掩模如聚乙烯颗粒，化学生长掩模如阳极氧化铝等。另外，利用晶体的不同晶向化学刻蚀速度差异也可以采用无掩膜刻蚀方法制备纳米锥阵列，此方法常用于太阳能硅片制绒。如CN102779747A公开了，一种纳米柱/针森林结构的加工方法，所述纳米柱/针森林结构的加工方法包括如下步骤：a、准备并清洗所选用的衬底；b、在所述衬底土生长一层多晶硅；c、在所述生长有多晶硅的衬底土生长一层侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖于多晶硅层上；d、对上述覆盖侧墙材料层、多晶硅层的衬底进行多晶硅的各向异性刻蚀；e、调节各向异性刻蚀的时间，直至得到所需的纳米柱/针森林结构。有效的克服电子束光刻和聚焦离子束刻蚀技术在批量加工方面的限制，并可有效降低工艺复杂程度，实现具有高可调控性、均匀性的大面积或图形化纳米结构。<br>CN10438本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于激光辅助干法刻蚀的纳米锥形阵列结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：/n(1)利用超快激光对基底进行加工，之后清洗得到中间基底；/n(2)将步骤(1)得到的所述中间基底进行等离子体刻蚀，得到所述纳米锥形阵列结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于激光辅助干法刻蚀的纳米锥形阵列结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1)利用超快激光对基底进行加工，之后清洗得到中间基底；
(2)将步骤(1)得到的所述中间基底进行等离子体刻蚀，得到所述纳米锥形阵列结构。


2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述超快激光包括飞秒激光、皮秒激光或纳秒激光中的1种；
优选地，步骤(1)所述超快激光的脉宽为10-15-10-9s；
优选地，步骤(1)所述超快激光的波长为300-1100nm；
优选地，步骤(1)所述超快激光的重频为0.1-10kHz。


3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述基底包括碳化硅基底；
优选地，步骤(1)所述基底加工前进行洗涤；
优选地，所述洗涤中的洗涤剂包括丙酮、异丙醇、氢氟酸或水中的1种或至少2种的组合；
优选地，所述洗涤的时间≥30min；
优选地，所述洗涤中的洗涤剂包括丙酮或异丙醇中的1种时采用超声清洗；
优选地，所述超声清洗的时间≥7min。


4.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述清洗中的洗涤剂包括丙酮、异丙醇、氢氟酸或水中的1种或至少2种的组合；
优选地，步骤(1)所述清洗的时间≥30min；
优选地，步骤(1)所述清洗中的洗涤剂包括丙酮或异丙醇中的1种时采用超声清洗；
优选地，所述超声清洗的时间≥7min。


5.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述加工的方式包括点加工、线加工或面加工中的一种；
优选...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐少林，徐康，胡劲，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：广东;44