N阶补偿温度独立的参考电压的产生方法及装置制造方法及图纸

一种参考电压产生器包含有多个信号产生器，用来产生Ｎ＋１个分别对应Ｎ＋１个不同的温度相依特性值的信号；耦接于该多个信号产生器的合成模块，用来合成该Ｎ＋１个信号以产生合成信号；以及耦接于该合成模块的信号至电压转换器，用来根据该合成信号产生补偿参考电压。每一信号产生器包含有Ｎ＋１个具有ｐ－ｎ结的元件，每个元件都具有对应于ｐ－ｎ结的跨压的特定温度相依特性值（例如晶体管的基极－发射极电压）。藉由调整该Ｎ＋１个信号，可以产生具有Ｎ阶温度补偿且对应预定值的参考电压。

Method and device for generating independent temperature reference voltage of N order compensation temperature

A reference voltage generator includes a plurality of signal generator, used to generate N + 1 N + 1 respectively corresponding to different temperature dependent characteristics of the signal; synthesis module is coupled to the plurality of signal generator, used to synthesize the N + 1 signal to generate a composite signal; and is coupled to the signal to the synthesis of voltage converter module, according to the synthetic signal to generate a compensated reference voltage. Each signal generator includes a N + 1 with the P N node elements, each element has a specific temperature corresponding to the P n voltage across the junction dependent characteristics (such as transistor base emitter voltage). By adjusting the N 1 signal can be generated with N order temperature compensation and the reference voltage corresponding to a predetermined value.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是与电子电路相关，尤指一种产生具有N阶温度补偿的参考电压产生方法与装置。
技术介绍
能带隙参考电压电路(bandgap reference voltage circuits)广泛地应用于各类应用范围，以便在温度范围内提供稳定的参考电压。该能带隙参考电压电路的操作原理是以热电压(thermal voltage)VT的正温系数(positivetemperature coefficient)来补偿基极-发射极结电压VBE的负温系数(negative temperature coefficient)，其中热电压VT是等于kT/q。一般而言，基极-发射极结电压VBE对温度的变化大约是-1.5mV/℃，而VT对温度的变化大约是+0.086mV/℃，所以，将这两项结合可以得到能带隙电压VBGVBG＝K1VBE+K2VT方程式(1)其中K1和K2为比例常数，以确保上述正、负热因子(thermal factor)能彼此相消，以及使得能带隙电压能任意地调整以适应各种应用需求。第1图为典型能带隙参考电压电路100的电路图。能带隙参考电压电路100包含多个PMOS晶体管M1、M2、M3，多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有Ｎ阶温度补偿的参考电压产生器，其包含有：多个信号产生器，用来产生多个信号，该多个信号分别对应多个温度相依特性值；合成模块，耦接于该多个信号产生器，用来合成该多个信号以产生合成信号；以及信号至电压转换器，耦接于 该合成模块，用来根据该合成信号产生补偿参考电压。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱永明，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]