电压参考生成器及生成参考电压的方法技术

根据本发明专利技术的一个实施例，参考电压生成器生成随温度变化的参考电压。例如，参考电压生成器可以生成随温度升高而降低的参考电压。参考电压生成器配置成能够有选择地改变参考电压的温度系数，以致于在选择的温度值下，参考电压是与温度系数无关的相同电压值。

Voltage reference generator and method for generating reference voltage

In accordance with one embodiment of the present invention, a reference voltage generator generates a reference voltage that varies with temperature. For example, a reference voltage generator may generate a reference voltage that decreases with increasing temperature. The reference voltage generator is configured to selectively change the temperature coefficient of the reference voltage so that the reference voltage is the same voltage value independent of the temperature coefficient at the selected temperature value.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电压参考生成器以及生成参考电压的方法技术背景参考电压生成器用于各种应用。例如，液晶显示器(LCD)使用参考电压生成器生成由LCD的栅极驱动器和数据或源极驱动器所使用的驱动器电压。在许多这样的应用中，希望提供随温度变化的参考电压，以抗击温度可能对该应用产生的可能的不利影响。图1说明了一种传统的参考电压生成器，其相对温度改变所生成的参考电压。如图中所示，该传统参考电压生成器包括电流反射镜51、与绝对温度成比例的(PTAT)电路52以及与绝对温度互补的(CTAT)电路53。电流反射镜51包括串联在电源电压VDD和地VSS之间的第一PMOS晶体管TP1、第一NMOS晶体管TN1以及第一电阻器R1。电流反射镜51还包括串联在电源电压VDD和地VSS之间的第二PMOS晶体管TP2和第二NMOS晶体管TN2。第一PMOS晶体管TP1的栅极连接到第二PMOS晶体管TP2的栅极。相类似，第一NMOS晶体管TN1的栅极连接到第二NMOS晶体管TN2的栅极。第一PMOS晶体管TP1的漏极还连接到第一PMOS晶体管TP1的栅极，并且第二NMOS晶体管TN2的漏极连接到第二NMOS晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种参考电压生成器，包括：参考电压生成电路，生成随温度变化的参考电压，所述参考电压生成电路配置成选择性地改变所述参考电压的温度系数，以致在被选择的温度值下，所述参考电压为与温度系数无关的相同电压值。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金亨来，崔伦竞，赵民洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]