偏氟乙烯系聚合物粉末、粘合剂组合物、电极合剂以及电极的制造方法技术

本发明专利技术的偏氟乙烯系聚合物粉末为通过激光衍射散射法确定的中位径为50μm以下的偏氟乙烯系聚合物粉末，差示扫描型量热测定中的第一次升温中的最大熔化峰温度Tm1为130℃以上，在一边使用平行平板型流变仪，以5℃/分钟的升温速度将使所述偏氟乙烯系聚合物粉末以6重量％的浓度分散于N‑甲基吡咯烷酮而成的分散液从25℃加热至80℃，一边以100s

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】偏氟乙烯系聚合物粉末、粘合剂组合物、电极合剂以及电极的制造方法
本专利技术涉及一种偏氟乙烯系聚合物粉末及其用途。详细而言，涉及一种偏氟乙烯系聚合物粉末、使用了该偏氟乙烯系聚合物粉末的粘合剂组合物、电极合剂以及电极的制造方法。
技术介绍
主要包含源自偏氟乙烯的重复单元的偏氟乙烯系聚合物被广泛用作锂离子二次电池等电池的粘合剂树脂。需要说明的是，粘合剂树脂是为了使活性物质粘接于集电体而使用的树脂。在专利文献1中，公开了一种在NMP等非质子性极性溶剂中具有优异的溶解性的偏氟乙烯聚合物粉末。此外，公开了一种在23℃下分散于NMP的偏氟乙烯系聚合物粉末。在专利文献2中，公开了一种已热处理的偏氟乙烯系聚合物粉末的制造方法，其特征在于，在该聚合物粉末为125℃以上且低于晶体熔化温度(Tm)的温度下对未热处理的偏氟乙烯系聚合物粉末实施热处理。此外，公开了一种在23℃下分散于NMP的偏氟乙烯系聚合物粉末。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开号WO2011/052666号专利文献2：国际公开号WO2011/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种偏氟乙烯系聚合物粉末，其为通过激光衍射散射法确定的中位径为50μm以下的偏氟乙烯系聚合物粉末，其中，/n差示扫描型量热测定中的第一次升温中的最大熔化峰温度Tm1为130℃以上，/n在一边使用平行平板型流变仪，以5℃/分钟的升温速度将使所述偏氟乙烯系聚合物粉末以6重量％的浓度分散于N-甲基吡咯烷酮而成的分散液从25℃加热至80℃，一边以100s

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180911 JP 2018-1700431.一种偏氟乙烯系聚合物粉末，其为通过激光衍射散射法确定的中位径为50μm以下的偏氟乙烯系聚合物粉末，其中，
差示扫描型量热测定中的第一次升温中的最大熔化峰温度Tm1为130℃以上，
在一边使用平行平板型流变仪，以5℃/分钟的升温速度将使所述偏氟乙烯系聚合物粉末以6重量％的浓度分散于N-甲基吡咯烷酮而成的分散液从25℃加热至80℃，一边以100s-1的剪切速度进行测定并将测定出的值设为剪切粘度时，
达到30℃下的剪切粘度的5倍的剪切粘度的温度为44℃以上且低于80℃。


2.根据权利要求1所述的偏氟乙烯系聚合物粉末，其中，
在由差示扫描型量热测定中的第一次升温而得到的差示扫描型量热测定曲线中，将比差示扫描型量热测定中的第二次升温中的最大熔化峰温度Tm2靠低温侧的峰面积设为ΔH1、将比Tm2靠高温侧的峰面积设为ΔH2时，ΔH2与ΔH1的比例ΔH2/ΔH1为0.3以上且3以下。


3.根据权利要求2所述的偏氟乙烯系聚合物粉末，其中，
所述Tm1与所述Tm2的关系为Tm2+2℃≤Tm1≤Tm2+20℃。


4.一种偏氟乙烯系聚合物粉末的制造方法，其为权利要求1～3中任一项所述的偏氟乙烯系聚合物粉末的制造方法，所述制造方法包括：
准备工序，准备未被加热处理的未处理偏氟乙烯系聚合物粉末；以及
加热处理工序，在将差示扫描型量热测定中的未处理偏氟乙烯系聚合物粉末的第一次升温中的最大熔化峰温度设为Tm时，在Tm℃以上的温度下，对所述未处理偏氟乙烯系聚合物粉末进行加热处理。


5.一种偏氟乙烯系聚合物造粒物的制造方法，其包括使用权利要求1～3中任一项所述的偏氟乙烯系聚合物粉末通过干式造粒法来造粒的造粒工序。


6.一种偏氟乙烯系聚合物造粒物的制造方法，其包括使用权利要求1～3...

【专利技术属性】
技术研发人员：五十嵐民人，池山泰史，小林正太，
申请(专利权)人：株式会社吴羽，
类型：发明
国别省市：日本;JP