压电MEMS麦克风及其阵列和制备方法技术

本发明专利技术提供了一种压电MEMS麦克风及其阵列和制备方法，所述压电MEMS麦克风包括具有背腔的基底及固定于所述基底上的压电振膜，所述压电振膜包括固定于所述基底的振膜层及固定于所述振膜层上的压电层，所述压电层连续弯折形成波浪形结构，所述波浪形结构包括自所述压电层背离所述振膜层的第一表面朝向所述振膜层凹陷的若干第一凹槽以及自所述压电层靠近所述振膜层的第二表面背离所述振膜层凹陷的若干第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽交错设置。通过以上方式，提高了压电层在外界声压下的形变和位移量，从而增加了电压输出，有效的提高了压电MEMS麦克风的灵敏度，另外，在一定程度上降低压电层的残余应力，延长了压电MEMS麦克风使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
压电MEMS麦克风及其阵列和制备方法
本专利技术涉及声电
，具体涉及一种压电MEMS麦克风及其阵列和制备方法。
技术介绍
MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)麦克风是一种利用微机械加工技术制作出来的电能换声器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、轻薄化发展，MEMS麦克风被越来越广泛地运用到这些设备上。压电式MEMS麦克风相比于传统的电容式MEMS麦克风具有很多优势，包括防尘性和防水性以及较高的最大输出声压(AOP)等。请参阅图1，为现有技术的MEMS麦克风，图1中基底为C，压电单元A和振膜B依次叠设在基底C上，压电单元A都是平整的分布在振膜B上方。现有结构在外界声压的作用下，首先是振膜发生形变，然后带动其上方的压电单元也发生变形，由于压电单元A都是平坦分布，其中间部位产生的形变量不是很大，导致产生的输出电压也较小，因此灵敏度较低。因此，有必要提供一种新的压电MEMS麦克风及其阵列和制备方法以解决上述问题。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种压电MEMS麦克风，包括具有背腔的基底及固定于所述基底上的压电振膜，所述压电振膜包括固定于所述基底的振膜层及固定于所述振膜层上的压电层，其特征在于，所述压电层连续弯折形成波浪形结构，/n所述波浪形结构包括自所述压电层背离所述振膜层的第一表面朝向所述振膜层凹陷的若干第一凹槽以及自所述压电层靠近所述振膜层的第二表面背离所述振膜层凹陷的若干第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽交错设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种压电MEMS麦克风，包括具有背腔的基底及固定于所述基底上的压电振膜，所述压电振膜包括固定于所述基底的振膜层及固定于所述振膜层上的压电层，其特征在于，所述压电层连续弯折形成波浪形结构，
所述波浪形结构包括自所述压电层背离所述振膜层的第一表面朝向所述振膜层凹陷的若干第一凹槽以及自所述压电层靠近所述振膜层的第二表面背离所述振膜层凹陷的若干第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽交错设置。


2.根据权利要求1所述的压电MEMS麦克风，其特征在于，所述振膜层包括与所述第一凹槽对应的若干避位槽以及设于相邻避位槽之间的若干间隔部，若干间隔部靠近所述压电层的表面齐平。


3.根据权利要求2所述的压电MEMS麦克风，其特征在于，所述第一凹槽容置于所述避位槽内，所述间隔部与所述第二凹槽相抵接。


4.根据权利要求2所述的压电MEMS麦克风，其特征在于，所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述避位槽呈U型。


5.根据权利要求1所述的压电MEMS麦克风，其特征在于，所述压电层包括依次叠设于所述振膜层上的下电极层、上电极层以及夹设于所述上电极层和所述下电极层之间的第一压电层。


6.根据权利要求1所述的压电MEMS麦克风，其特征在于，所述压电层包括依次叠设于所述振膜层上的下电极层...

【专利技术属性】
技术研发人员：童贝，沈宇，石正雨，段炼，
申请(专利权)人：瑞声新能源发展常州有限公司科教城分公司，瑞声科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32