【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制备方法
本专利技术属于显示
,具体涉及一种发光器件及其制备方法。
技术介绍
近年来,量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodes,QLED)及有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。QLED或OLED是由两个电极和在电极与发光层之间添加各种功能层形成的类似“三明治”的薄膜叠层结构,这些功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等。各薄膜层的成膜质量和界面结合会极大程度地影响器件的各项性能。目前的器件和相关材料大都是在低温条件下(≤300℃)制备,对设备要求相应的降低,有利于简化工艺和降低成本。然而,低温法制备的电子传输层材料,其表面缺陷多,电子迁移率低,且成膜过程中易出现成膜不均匀、存在针孔等现象;传统阴极材料,特别是金属电极材料,易受到水、氧等环境因素的影响;此外,传统阴极材料与电子传输层材料在材料结构和性能方面差异较大,形成 ...
【技术保护点】
1.一种发光器件,包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层,其特征在于,所述阴极的材料包括阴极纳米材料和分散在所述阴极纳米材料之间的聚多巴胺或多巴胺。/n
【技术特征摘要】
1.一种发光器件,包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层,其特征在于,所述阴极的材料包括阴极纳米材料和分散在所述阴极纳米材料之间的聚多巴胺或多巴胺。
2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述阴极中的聚多巴胺或多巴胺的质量与阴极纳米材料的质量比为(0.1-100):1;和/或,
所述阴极的厚度为10-1000nm。
3.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述阴极中的聚多巴胺或多巴胺的质量与阴极纳米材料的质量比为(0.5-30):1;和/或,
所述阴极的厚度为20-200nm。
4.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述阴极与所述发光层之间设置有电子功能层;和/或,
所述阳极和所述发光层之间设置有空穴功能层。
5.如权利要求1-4任一项所述的发光器件,其特征在于,所述阴极纳米材料选自金属纳米材料、碳纳米材料和金属氧化物纳米材料中的至少一种;和/或,
所述阴极还含有用于调控所述多巴胺自聚的调节剂。
6.如权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述金属纳米材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca和Mg中的至少一种;和/或,
所述碳纳米材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯和碳纤维中的至少一种;和/或,
所述金属氧化物纳米材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO和AMO中的至少一种;和/或,
所述调节剂选自三(羟甲基)氨基甲烷、邻苯二甲酸氢钾、邻苯...
【专利技术属性】
技术研发人员:王劲,杨一行,
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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