图案化屏蔽结构制造技术

一种图案化屏蔽结构设置于一电感器结构与一基板之间。图案化屏蔽结构包含一屏蔽层以及一第一堆叠结构。屏蔽层沿一平面延伸。第一堆叠结构朝一第一方向堆叠于屏蔽层上。第一方向垂直于平面。堆叠结构用以强化屏蔽效果且呈交叉状。

【技术实现步骤摘要】
图案化屏蔽结构
本公开中所述实施例内容涉及一种半导体技术，且特别涉及一种应用于集成电感的图案化屏蔽结构。
技术介绍
随着集成电路技术的发展，集成电路中电子元件的尺寸越来越小。然而，当电子元件的尺寸越来越小，可能会伴随许多负面影响。例如，当电感器运行时，基板所产生的涡电流将会影响到电感器的品质因素值(Q值)。由此可知见，现有方式仍存在不便与缺陷，而有待改进。为了解决上述问题，相关领域莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来仍未发展出适当的解决方案。
技术实现思路
本公开内容的一实施方式涉及一种图案化屏蔽结构。图案化屏蔽结构设置于一电感器结构与一基板之间。图案化屏蔽结构包含一屏蔽层以及一第一堆叠结构。屏蔽层沿一平面延伸。第一堆叠结构朝一第一方向堆叠于屏蔽层上。第一方向垂直于平面。堆叠结构用以强化屏蔽效果且呈交叉状。本公开内容的一实施方式涉及一种图案化屏蔽结构。图案化屏蔽结构设置于一电感器结构与一基板之间。图案化屏蔽结构包含一屏蔽层以及一堆叠结构。屏蔽层包含一主干部以及多个支干部。堆叠结构设置于主干部上。堆叠结构用以强化屏蔽效果。综上所述，通过将堆叠结构设置于屏蔽层上，可强化图案化屏蔽结构的屏蔽效果。附图说明为让本公开的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，附图说明如下：图1是依照本公开一些实施例所示出的一基板、一图案化屏蔽结构以及一电感器结构的示意图；图2是依照本公开一些实施例所示出的一电感器结构的示意图；图3是依照本公开一些实施例所示出的一图案化屏蔽结构的示意图；图4是对应图3的剖面线的剖面图；图5是依照本公开一些实施例所示出的一图案化屏蔽结构的示意图；图6是依照本公开一些实施例所示出的一图案化屏蔽结构的示意图；图7是对应图6的剖面线的剖面图；图8是依照本公开一些实施例所示出的一图案化屏蔽结构的示意图；以及图9是依照本公开一些实施例所示出的一图案化屏蔽结构的示意图。符号说明120：基板140、140A：电感器结构160、160A、160B、160C、160D、160E：图案化屏蔽结构162：屏蔽层1621：主干部1622：支干部164A、164B、164C、164D：堆叠结构1641：第一部1642：第二部1643：第三部1644：第四部S1、S2：节段O：开口IN：输入端X、Y、Z、K、L：方向FF、GG：剖面线M1、M2、M3、M4、M5、M6：金属层V1、V2：连接通孔D1、D2、D3、D4、D5、D6：长度具体实施方式下文是举实施例配合附图作详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本公开所涵盖的范围，而结构运行的描述非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等技术效果的装置，皆为本公开所涵盖的范围。另外，附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。为使便于理解，下述说明中相同元件或相似元件将以相同的符号标示来说明。请参考图1以及图2。图1是依照本公开一些实施例所示出的基板120、电感器结构140以及图案化屏蔽结构160的示意图。如图1所示，基板120、电感器结构140以及图案化屏蔽结构160设置在由方向X与方向Y所形成的平面上。方向X垂直于方向Y。请一并参考图1以及图2。图2是依照本公开一些实施例所示出的电感器结构140A的示意图。在一些实施例中，图2的电感器结构140A用以实现图1的电感器结构140，但本公开不以此为限。如图2所示，电感器结构140呈螺旋状。电感器结构140中形成开口O。开口O的两侧分别为金属节段S1以及金属节段S2。在相关技术中，若未在基板120与电感器结构140之间设置图案化屏蔽结构，电感器结构140运行时所产生的磁场会造成基板120上产生涡电流。而涡电流会影响到电感器结构140的品质因素值(Q值)。然而，在图1中，在基板120与电感器结构140之间设置图案化屏蔽结构160。图案化屏蔽结构160接地。图案化屏蔽结构160可降低电感器结构140的金属节段S1与金属节段S2之间的互感，以避免基板120产生上述的涡电流，进而有效地维持电感器结构140的品质因素值(Q值)。上述关于电感器结构140A的形状或配置仅为示例。电感器结构140A的各种形状或配置皆在本公开所涵盖的范围内。请参考图3。图3是依照本公开一些实施例所示出的图案化屏蔽结构160A的示意图。在一些实施例中，图3的图案化屏蔽结构160A用以实现图1的图案化屏蔽结构160，但本公开不以此为限。如图3所示，图案化屏蔽结构160A包含屏蔽层162以及堆叠结构164A。屏蔽层162沿由方向X与方向Y所形成的平面延伸。屏蔽层162包含主干部1621以及多个支干部1622。这些支干部1622连接主干部1621。如图3所示，屏蔽层162呈放射状且堆叠结构164A呈交叉状。堆叠结构164A朝方向Z堆叠于屏蔽层162的主干部1621上。方向Z垂直于由方向X与方向Y所形成的平面。在一些其他的实施例中，堆叠结构164A可朝屏蔽层162的下方堆叠。另外，如图3所示，堆叠结构164A的宽度略大于主干部1621的宽度。上述关于屏蔽层162的形状或配置仅为示例。屏蔽层162的各种形状或配置皆在本公开所涵盖的范围内。通过将堆叠结构164A设置于对应于开口O的位置，堆叠结构164A可有效地降低电感器结构140的金属节段S1与金属节段S2之间的互感，以避免产生上述涡电流。如此，可强化图案化屏蔽结构160A的屏蔽效果，进而有效地维持电感器结构140的品质因素值(Q值)。请参考图4。图4是对应图3的剖面线FF的剖面图。如图4所示，屏蔽层162设置于金属层M1。堆叠结构164A包含多个金属结构。所述金属结构分别设置于金属层M2、M3、M4、M5以及M6且所述金属结构具有相同形状。在一些实施例中，堆叠结构164A可仅包含两层金属结构。在一些其他的实施例中，堆叠结构164A优选是包含六层以上的金属结构。任意两个相邻的金属结构之间具有至少一连接通孔V1。连接通孔V1连接该两个相邻的金属结构。举例而言，连接通孔V1连接金属层M6以及金属层M5，连接通孔V1连接金属层M5以及金属层M4，以此类推。而电感器结构140设置于金属层M6之上。举例而言，电感器结构140可设置于金属层(M7)(图未示)以及金属层(M8)(图未示)。请再次参考图3。堆叠结构164A的各金属结构包含第一部1641以及第二部1642。第一部1641沿方向X延伸。第二部1642沿方向Y延伸。换句话说，第一部1641与第二部1642交叉设置。另外，第一部1641的长度D2以及第二部1642的长度D1皆短于屏蔽层162的边长长度D3。请同时参考图2以及图3。如图2所示，电感器结构140A包含输入端IN。图3的堆叠结构164A于由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图案化屏蔽结构，设置于一电感器结构与一基板之间，该图案化屏蔽结构包含：/n一屏蔽层，沿一平面延伸；以及/n一第一堆叠结构，朝一第一方向堆叠于该屏蔽层之上，该第一方向垂直于该平面，该第一堆叠结构呈交叉状且用以强化屏蔽效果。/n

【技术特征摘要】
1.一种图案化屏蔽结构，设置于一电感器结构与一基板之间，该图案化屏蔽结构包含：
一屏蔽层，沿一平面延伸；以及
一第一堆叠结构，朝一第一方向堆叠于该屏蔽层之上，该第一方向垂直于该平面，该第一堆叠结构呈交叉状且用以强化屏蔽效果。


2.如权利要求1所述的图案化屏蔽结构，其中该第一堆叠结构的长度短于该屏蔽层的边长长度。


3.如权利要求1所述的图案化屏蔽结构，其中该第一堆叠结构包含多个第一金属结构，且所述多个第一金属结构分别设置于多个金属层，其中该屏蔽层设置于一第一金属层，所述多个第一金属结构分别设置于一第二金属层、一第三金属层、一第四金属层、一第五金属层以及一第六金属层。


4.如权利要求3所述的图案化屏蔽结构，其中所述多个第一金属结构的任意两个相邻者之间设有至少一连接通孔，且该连接通孔连接所述两个相邻者。


5.如权利要求3所述的图案化屏蔽结构，其中所述多个第一金属结构各包含一第一部以及一第二部，且该第一部与该第二部交叉设置，其中该第一部沿一第二方向延伸，该第二部沿一第三方向延伸，其中该第二方向垂直于该第三方向，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜孝璁，施冠宇，蔡志育，陈家源，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71