【技术实现步骤摘要】
一种应用于电力产品的反激电路零电压开通控制方法
[0001]本专利技术涉及开关电源
，尤其涉及一种应用于电力产品的反激电路零电压开通控制方法。
技术介绍
[0002]随着现代集成技术的不断发展，对电源的功率密度要求不断提高，即在单位体积内要求变换器所能输出的功率越来越高，目前变换器功率密度主要受限于变换器使用的器件和变换器的工作效率。影响变换器的效率的主要因素是功率管的导通损耗和开关损耗，而导通损耗的影响因素主要是功率管本身的特性，很难通过外部控制方法来降低。因此，降低功率管的损耗的有效方法就是通过控制手段来降低功率管的开关损耗，从而减少单位提升功率密度。
[0003]现有的反激变换器通过变压器原边电感和MOS的输出电容自由谐振在开关电压波形振荡谷底导通实现近似零电压开通，以降低开关损耗，但是在高压输入时MOS的开关损耗仍然较大。
[0004]反激式开关电源主功率的开关损耗随着开关频率的不断提高而变得越来越高，这严重影响开关电源向高频化，高效率，高功率密度的方向发展。因此，开关电源的开关损耗是制约开关电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用于电力产品的反激电路零电压开通控制方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1：初级主开关MOS管VT1打开，初级电感电流以的斜率开始线性上升，副边同步整流MOS管VT2的漏极电压被钳位在初级主开关MOS管VT1关断，此过程结束，变压器能量由初级传到次级；步骤2：初级主开关MOS管VT1关断后其结电容上的电压被钳位在Vin+nVo(忽略漏感振荡的影响)，变压器次级电流Is首先经副边同步整流MOS管VT2的体二极管续流，在副边同步整流MOS管VT2的漏极产生一个负压
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Vf，控制模块中的电压检测模块检测到这个负向电压之后触发驱动模块1打开副边同步整流MOS管VT2；步骤3：次级电流经过副边同步整流MOS管VT2续流，初级主开关MOS管VT1关断后其结电容上的电压仍然继续保持在Vin+nVo，次级电流开始以的斜率下降，副边同步整流MOS管VT2的漏极电压为
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I
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【专利技术属性】
技术研发人员：范建华，王清金，丰明刚，朱建航，张胜强，秦振，徐怀海，
申请(专利权)人：青岛鼎信通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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