一种音频芯片的检测方法及检测设备技术

本发明专利技术提供一种音频芯片的检测方法及检测设备,用于对待测音频芯片进行电学功能检测和失效原因分析，包括装夹步骤一、电测步骤、评价步骤一、成像步骤一、评价步骤二、装夹步骤二、成像步骤二、分析步骤，其中成像步骤由成像设备和透视成像夹具对待测音频芯片的引脚外观连接情况和封装内部结构情况进行成像并得到成像结果，从而通过成像分析手段实现了对音频芯片在电学功能检测过程中是否存在由于连接问题导致的不良品误判的校核过程，并为进一步分析封装内部导致失效或功能参数低下的积电路结构提供了分析基础，提高了音频芯片的生产效率和制造工艺改进能力。产效率和制造工艺改进能力。产效率和制造工艺改进能力。

【技术实现步骤摘要】
一种音频芯片的检测方法及检测设备


[0001]本专利技术涉及音频芯片的生产检测领域，尤其涉及一种音频芯片的检测方法及检测设备。

技术介绍

[0002]在工业产品的量化生产过程中，为了保证出厂产品的质量，会在生产各阶段中对产品的半成品或成品进行测量和检测。对于芯片类产品，其在完成产品总封装后，会经由质量检验流程对其进行功能检测，以确保芯片产品的各项功能技术指标符合技术要求。通常，这个质量检验流程包括电学检测步骤，其经由人工或自动化设备将芯片产品与电学检测设备或检具电性连接，再由设备运行或开启针对该芯片产品预先设计好的功能检测程序或功能检测电路，通过测量芯片产品所反馈的电学参数来判断芯片产品是否满足设计要求，是否为良品或次品。
[0003]作为芯片产品与外界电路的连接环节，芯片针脚通常具有低强度、易弯折的机械性能，在上述质量检验过程中经常，由于人工装夹操作或非高精自动化设备的装夹误差，易发声芯片针脚与检具的连接不良，使得检测设备反馈错误的性能参数，最终导致对芯片产品质量检验结果的误判。并且，在生产过程中，应当对次品的产出成因开展分析，以确保排出生产设备的系统性误差和改进生产过程，但是由于芯片产品的封装总成，由于其主要功能性部件均封装于芯片总成内部，难以对其内部真实结构和状态进行高效的可视化捕捉和分析。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中的上述缺点，本专利技术提供一种音频芯片的检测方法，用于对待测音频芯片进行电学功能检测和失效原因分析，包括：
[0005]装夹步骤一S110：由电测夹具将待测音频芯片转移至电测治具进行装夹；
[0006]电测步骤S120：所述电测治具对所述待测音频芯片进行电学功能检测，以判断所述待测音频芯片的电学功能是否合格。
[0007]评价步骤一S130：根据所述电学功能检测的检测结果判断检测流程是否结束，若所述电学功能检测的检测结果为合格，则判断所述待测音频芯片为良品，并结束检测流程；若所述电学功能检测的检测结果为不合格，则继续进行检测流程。
[0008]成像步骤一S140：由直接成像设备对所述待测音频芯片的引脚外观连接情况进行直接成像并得到直接成像结果。
[0009]评价步骤二S150：根据所述直接成像结果判断所述待测音频芯片的引脚与所述电测治具间是否存在连接不良；若是，则返回装夹步骤一S110；若否，则继续依次进行装夹步骤二S160及后续步骤。
[0010]装夹步骤二S160：由转移夹具夹取所述待测音频芯片并与透视成像夹具组合。
[0011]成像步骤二S170：由透视成像设备和所述透视成像夹具对所述待测音频芯片的封
装内部结构情况进行透视成像并得到透视成像结果。
[0012]分析步骤S180：由分析设备根据所述透视成像结果判断所述待测音频芯片的封装内部结构情况，并分析所述待测音频芯片的失效原因。
[0013]优选地，所述透视成像步骤采用超声波成像手段对所述待测音频芯片的封装内部结构进行成像。
[0014]优选地，所述透视成像设备以所述待测音频芯片的基板异于封装表面的一侧平面作为透视成像平面。
[0015]优选地，所述透视成像结果的显示精度为0.04微米。
[0016]优选地，所述分析步所骤通过分析所述待测音频芯片的封装内部载带、键合线以及引线的键合状态判断所述待测音频芯片的失效原因。
[0017]优选地，所述分析步所骤通过分析所述待测音频芯片的封装内部积体电路的各层组件的状态判断所述待测音频芯片的失效原因。
[0018]优选地，所述积体电路的各层组件包括扩散层、灌输层、多晶硅层、金属层和接触层。
[0019]优选地，所述积体电路的各层组件的状态包括所述各层组件的尺寸状态和所述各层组件之间的连接状态。
[0020]优选地，所述检测方法还包括交叉分析步骤，所述交叉分析步骤结合所述电学功能检测所得到的电学参数与所述分析步骤所得到的状态参数，对所述待测音频芯片的制造工艺进行评价，并得到工艺调整参数。
[0021]本专利技术还提供了一种音频芯片的检测设备，用于上述音频芯片的检测方法，其具体包括：
[0022]电测夹具，用于将待测音频芯片转移至电测治具；电测治具，用于装夹所述待测音频芯片并对所述待测音频芯片进行电学功能检测，判断所述待测音频芯片的电学功能是否合格；处理模块，用于根据所述电学功能检测的检测结果判断检测流程是否结束，若所述电学功能检测的检测结果为合格，则判断所述待测音频芯片为良品，并结束检测流程；若所述电学功能检测的检测结果为不合格，则继续进行检测流程；以及，用于根据所述直接成像结果判断所述待测音频芯片的引脚与所述电测治具间是否存在连接不良，并依照判断结果决定检测流程的走向；直接成像设备，用于对所述待测音频芯片的引脚外观连接情况进行直接成像和透视成像并得到直接成像结果；转移夹具，用于将所述待测音频芯片与所述电测治具进行分离，并将所述待测音频芯片与所述透视成像夹具进行装配；透视成像夹具，用于对所述待测音频芯片进行装夹以供成像设备对所述待测音频芯片进行成像处理；透视成像设备，用于在所述透视成像夹具的配合下对所述待测音频芯片的封装内部结构情况进行透视成像并得到透视成像结果；分析设备，用于根据所述透视成像结果判断所述待测音频芯片的封装内部结构情况，并分析所述待测音频芯片的失效原因。
[0023]优选地，所述透视成像设备为超声波成像设备。
[0024]优选地，所述透视成像夹具为底部形状与所述待测音频芯片基板形状相匹配的凹槽形结构，所述底部设置有与所述待测音频芯片的引脚相匹配的通孔，所述待测音频芯片的引脚能够穿过所述通孔；所述底部涂覆有超声波成像耦合剂。
[0025]优选地，所述底部为厚度不超过0.012毫米的柔性薄膜结构，所述透视成像设备与
所述柔性薄膜结构间通过超声波成像耦合剂相接触。
[0026]优选地，所述底部具有能够滑动开启的滑动结构，所述滑动结构开启后，所述透视成像设备与所述待测音频芯片的基板异于封装表面的一侧平面间通过超声波成像耦合剂相接触。
[0027]优选地，柔性薄膜结构的整体渗透系数不大于4.8cm/s。
[0028]本专利技术针对音频芯片电学功能检测环节的误判和失效原因分析问题，在音频芯片的电学功能检测中加入成像检测和分析手段，通过成像分析校核音频芯片在电学功能检测过程中是否存在由于连接问题导致的不良品误判，节省人工，降低良品误判比例，提高了生产效率；同时，借助透视成像手段对失效产品的封装内部积电路结构开展分析，以判断导致产品失效或功能指标低下的结构原因，为进一步的工艺分析和工艺改进提供数据分析基础，提高了音频芯片制造的工艺改进能力。
附图说明
[0029]图1为本专利技术实施例音频芯片的检测方法流程简图。
[0030]图2为本专利技术实施例音频芯片的检测设备的结构简图。
[0031]图3为音频芯片封装内部结构示意图。
[0032]图4为音频芯片封装内部积体电路结构示意本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种音频芯片的检测方法，用于对待测音频芯片进行电学功能检测和失效原因分析，其特征在于，包括：装夹步骤一S110：由电测夹具将待测音频芯片转移至电测治具进行装夹；电测步骤S120：所述电测治具对所述待测音频芯片进行电学功能检测，以判断所述待测音频芯片的电学功能是否合格；评价步骤一S130：根据所述电学功能检测的检测结果判断检测流程是否结束，若所述电学功能检测的检测结果为合格，则判断所述待测音频芯片为良品，并结束检测流程；若所述电学功能检测的检测结果为不合格，则继续进行检测流程；成像步骤一S140：由直接成像设备对所述待测音频芯片的引脚外观连接情况进行直接成像并得到直接成像结果；评价步骤二S150：根据所述直接成像结果判断所述待测音频芯片的引脚与所述电测治具间是否存在连接不良；若是，则返回装夹步骤一S110；装夹步骤二S160：由转移夹具夹取所述待测音频芯片并与透视成像夹具组合；成像步骤二S170：由透视成像设备和所述透视成像夹具对所述待测音频芯片的封装内部结构情况进行透视成像并得到透视成像结果；分析步骤S180：由分析设备根据所述透视成像结果判断所述待测音频芯片的封装内部结构情况，并分析所述待测音频芯片的失效原因。2.根据权利要求1所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述成像步骤二采用超声波成像手段对所述待测音频芯片的封装内部结构进行透视成像。3.根据权利要求2所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述透视成像设备以所述待测音频芯片的基板异于封装表面的一侧平面作为透视成像平面。4.根据权利要求1所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述透视成像结果的显示精度为0.04微米。5.根据权利要求1所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述分析步所骤通过分析所述待测音频芯片的封装内部载带、键合线以及引线的键合状态判断所述待测音频芯片的失效原因。6.根据权利要求1所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述分析步所骤通过分析所述待测音频芯片的封装内部积体电路的各层组件的状态判断所述待测音频芯片的失效原因。7.根据权利要求6所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述积体电路的各层组件包括扩散层、灌输层、多晶硅层、金属层和接触层。8.根据权利要求6所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述积体电路的各层组件的状态包括所述各层组件的尺寸状态和所述各层组件之间的连接状态。9.根据权利要求1所述音频芯片的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括交叉...

【专利技术属性】
技术研发人员：边仿，
申请(专利权)人：头领科技昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：