【技术实现步骤摘要】
基于表面微应变信号的IGBT键合引线故障诊断方法
[0001]本专利技术属于IGBT键合引线故障诊断
,更为具体地讲,涉及一种基于表面微应变信号的IGBT键合引线故障诊断方法。
技术介绍
[0002]当前,对绝缘栅双极性晶体管(IGBT)功率模块的高可靠性设计需求愈发强烈,而其小批量、高价值、强定制化和强环境约束的特征,使得传统电子产品依赖大批量试验暴露缺陷
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不断改进优化
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基于数理统计和概率并联的可靠性建模评估方法不再适用。因此必须从影响IGBT可靠性的物理本质出发,获取物理参量信息,明确多物理场效应到封装模块性能的不确定性关系。
[0003]作为最新一代的复合全控型功率半导体器件,IGBT将功率和双极晶体管的优点集于一身,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等特点,其封装级失效主要为键合引线故障和焊料层疲劳。引线键合技术是当今最重要的电子封装技术之一,键合引线主要起流通电流的作用,90%以上的芯片均采用引线键合技术。模块承受持续的高温、低温的变换产生交变的热应力,造成的剥离效应累积到一定程度后,就会造成键合引线脱落或者断裂。当一根键合引线失效时,流过其他键合引线的电流增大且发热增加,加速IGBT模块失效,直接影响IGBT模块的可靠性,因此对键合引线故障的诊断研究在IGBT失效模型研究上有重大意义。
[0004]因为键合引线失效直接影响IGBT封装的热应力变化,所以许多学者从温度场和应力场进行研究,目前的研 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于表面微应变信号的IGBT键合引线故障诊断方法,包括以下步骤:(1)、获取IGBT表面微应变信号1.1)、建立IGBT几何模型,包括模块的基座铜底板、DBC焊料层、DBC衬底、IGBT芯片焊料层、IGBT芯片,DBC衬底等,利用COMSOL Multiphysics5.5对各层结构分别建立对应的模型,设置形状、材料和参数;1.2)、添加电场、热场、力场,对每个物理场设定边界条件,完成热
‑
力
‑
电多物理场的耦合,并在电场中添加激励条件为一定大小、频率、占空比的PWM方波电流;1.3)、对模型进行网格剖析并进行计算,得到仿真结果,选取每根键合线引脚附近处的Z轴位移变化保存为一组数据。分别设置键合线不同故障类型,重复上述步骤,得到键合线故障的表面位移变化数据即表面微应变信号;(2)、故障特征分析2.1)、计算时域常用特征参数,包括有量纲参数:峰值、均值、斜度、均方根值和方差,无量纲参数:峰值因子、峭度指标、波形指标等;2.2)、、分析信号的频域特征,对信号进行傅里叶变换2.2)、、分析信号的频域特征,对信号进行傅里叶变换计算频域特征参数,如主频幅值、频率方差、均方频率等;2.3)、特征参数选取,将故障参数和正常状态的参数作对比,适当选取能表征故障类别的特征参数;(3)、构建分类模型3.1)、构建样本3.1.1)、根据步骤1.3)中的测量方法,将故障一共分为n类,每种类别对应的标签为y
n
∈{1,2,...,N};3.1.2)、将每种类别下特征向量作为一个样本,如X
n
=(x1,x2,...,x
m
)
T
是一个六维向量,x
i
是第i个引脚处的位移幅值,X
n
是第n个样本;3.1.3)、在样本后面加上对应的类别,构建样例为(X
n
,y
n
),所有样例的集合就构成了样本集S={(X1,y1),(X2,y2)...,(X
N
,y
N
)};(3.2)、多分类问题转化为二分类问题基于一类对余类方法(OVA),将步骤3.1.1)中的多分类问题转化为二分类问题,即对于每一个类将其作为+1类,其余四类的所有样本当成
‑
1类,这样就将多分类问题转化成了二分类问题,从而转化成了二次规划问题求解;3.3)、数学建模3.3.1)、公式表征利用(3.2)中的OVA方法,每次将样本集分为两大类x1和x2,在此二维空间下建立直线方程x2=ax1+b,写成向量积的形式令令得到该二维空间中的决策面ω
T
·
x+b=0,该决策面将x1和x2...
【专利技术属性】
技术研发人员:白利兵,陈聪,程玉华,罗俊,王家豪,张杰,周权,田露露,米金华,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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