显示设备制造技术

技术编号:27827159 阅读:18 留言:0更新日期:2021-03-30 11:14
一种显示设备,其包含光发射器,该光发射器包含光发射器部分(31,32,33)的套组(3),其中该套组的至少一个光发射器部分(31)经配置成发射具有激发波长的光,及包含色彩转换层,该色彩转换层包含转换层部分(21,22)的套组(2)。该套组(2)的至少一个转换层部分(21)包含含有固体聚合物组合物的膜,其中该固体聚合物组合物包含发光晶体(11),其中该发光晶体(11)具有钙钛矿结构,且选自式(I)化合物:M

【技术实现步骤摘要】
显示设备
[0001]本申请为申请号为201680081207.3、申请日为2016年12月21日、专利技术名称为“显示设备”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及发光晶体(LC)领域。本专利技术提供一种显示设备。

技术介绍

[0003]显示器为我们的世界重要的完整部分且以不同尺寸运用于广泛范围的电子设备中。尤其彩色显示器是非常流行的,导致产生各种技术以使其色域(即可显示的色彩的宽谱)最大化。
[0004]为了显示广泛的色彩,大部分常见的显示器技术诸如液晶显示器(LCD)技术依赖用于过滤各个光源的红、绿及蓝光的彩色滤光器整合。因而通过控制红、绿及蓝光的强度而实现所期望的色调。
[0005]此显示器的色域限制在由各个光源所发射的色谱,此光源典型地未集中在主要红、蓝、及绿波长,因此使得显示高度饱和的色彩是不可能的。
[0006]本专利技术的公开内容
[0007]根据本专利技术的方面,提供了一种显示设备。该显示设备包含光发射器,该光发射器包含光发射器部分的套组,及包含色彩转换层,该色彩转换层包含转换层部分的套组,该套组的至少一个转换层部分经配置成响应于被套组的至少一个相应光发射器部分发射的光的激发而发出波长的光。套组的至少一个光发射器部分经配置成发射具有激发波长的光。此发射的光的激发了至少一个色彩转换层中的发光晶体,其响应于激发,发射不同于优选蓝光的较短激发波长(在400至490nm之间的范围内的波长)的波长的光。
[0008]为了提供主题(subject)发光性质,主题色彩转换部分包含发光晶体,此发光晶体响应于激发而发射限定波长的光。发光晶体可包埋在包含紧邻发光晶体的聚合物的固体聚合物组合物中。固体聚合物组合物以膜形式促成色彩转换部分。
[0009]适当的发光晶体具有钙钛矿结构。此钙钛矿结构本身是已知的且被描述成具有通式M1M2X3的立方、准立方(pseudocubic)、四方或斜方形晶体,其中M1为配位数12的阳离子(立方八面体(cuboctaeder))且M2为配位数6的阳离子(八面体(octaeder))且X为在晶格的立方、准立方、四方或斜方形位置中的阴离子。这些结构中,所选的阳离子或阴离子可被其他离子替代(随机或规则地),仍保留其晶体结构。此发光晶体的制造是已知的,例如来自Protesescu等人(Nano Lett.,2015,15,3692

3696)。
[0010]有利地,发光晶体选自式(I)化合物:
[0011]M
1a
M
2b
X
c
(I),其中
[0012]M1表示Cs,
[0013]M2表示Pb,
[0014]X独立地表示选自由Cl、Br、I、氰根、及硫氰酸根所组成的组的阴离子,
[0015]a表示1,
[0016]b表示1,
[0017]c表示3。
[0018]独立地意指X可选自上述命名的一种阴离子或者可为大于一种上述阴离子的组合。术语硫氰酸根应包括共振结构,即硫氰酸根及异硫氰酸根。
[0019]本专利技术的实施方式中,在钙钛矿结构内,M1可经至多30摩尔%的一种或多种其他具有配位数12的金属掺杂。有利地,M1经至多10摩尔%的一种或多种此金属掺杂。适当的金属M1选自由以下所组成的组:Rb、K、Na、及Li。
[0020]本专利技术的实施方式中,在钙钛矿结构内,M2可掺杂至多30摩尔%的一种或多种其他具有配位数6的金属。有利地,M2经至多10摩尔%的一种或多种此金属掺杂。适当的金属M2选自由以下所组成的组:Ge、Sn、Sb及Bi。
[0021]本专利技术的实施方式中,X选自Cl、Br及I中的一种;或者X独立地表示Cl、Br及I中的两种;或者X表示Cl、Br及I。Cl、Br、I、氰根及硫氰酸根的量可通过常规实验诸如此领域中已知的MS或XRF测定;小的Cl阴离子将发射移向蓝色,大的I阴离子朝向红色,而中等尺寸的Br阴离子朝向可见光谱的绿色部分。
[0022]发光晶体具有3nm至3000nm之间的尺寸,且尤其在5至100nm之间。
[0023]因此,优选地使用铯铅卤化物纳米晶体和/或掺杂型铯铅卤化物纳米晶体(其具有钙钛矿结构)作为发光晶体。具有特定波长的光的发射取决于在上述限制条件内的发光晶体材料的选择,且可取决于发光晶体的尺寸。
[0024]色彩转换层包含至少一个且优选地多个色彩转换层部分的套组。转换层部分应理解是单独地将蓝光由指定的光发射器部分转换成专用的(dedicated)颜色的部分。因此,转换层部分的膜仅仅包含一种类型的根据式(I)所选的用于发射专用色光的发光晶体。
[0025]光发射器包含至少一个且优选地多个光发射器部分的套组。光发射器部分应理解是单独地可寻址和/或可控制以发光的部分。多个发射器部分因此单独地可控制以使得例如这些光发射器部分的各个部分可被控制发光,而同时其余部分可被控制不发光或发出不同强度的光。具体地,每一光发射器部分提供有单独接点以接受控制信号。
[0026]在优选实施方式中,多个光发射器部分提供于相应的套组中且多个转换层部分提供于相应的套组中。此处,专用的光发射器部分被指定至一个转换层部分以激发其内所含的发光晶体。如果光发射器部分的数目等同于转换层部分的数目,则光发射器部分与转换层部分之间为一对一的关联,使得每一转换层部分具有其自己的指定光发射器部分。然而,非常优选的是光发射器部分的数目超过转换层部分的数目,以使得转换层部分具有指定的光发射器部分,而有一些光发射器部分并不具有指定的转换层部分。这些剩下的光发射器部分的发出这样的光,该光可能不被任何色彩转换部分所转换,但可用于将激发波长加至整体发光光谱中,例如作为之后会被引入的像素的一部分,此像素为可调谐的而发出各种颜色/波长的光且此像素可有助于显示器。
[0027]在不同实施方式中,单一光发射器部分与多个转换层部分组合地提供于相应的套组中。此实施方式中,优选地提供其他控制元件(诸如液晶)于朝向每一转换层部分的激发光路径中以控制每个转换层部分的激发。
[0028]至少一个且优选地每一个转换层部分均包含膜。各膜包含固体聚合物组合物,其
中该固体聚合物组合物包含指定的发光晶体。优选地,膜经定义为具有的长度及宽度的至少一者(且优选地二者)超过膜的高度/厚度。本上下文中的膜也可称为元件。膜的尺寸可包括膜的厚度,该厚度小于、等于或大于膜的长度及宽度中的各者。
[0029]在优选实施方式中,色彩转换层包含第一转换层部分,该第一转换层部分包括第一膜。第一膜经配置成发射红光,优选地响应于来自于光发射器的蓝光的激发。第一膜包含第一固体聚合物组合物,接着此第一固体聚合物组合物包含第一发光晶体。第一发光晶体的红光发射性质优选地是因为适当地选择限定尺寸的材料组合物所致。红光被视为是具有590nm至700nm范围间的峰值波长的光。
[0030]除了第一转换层部分之外,色彩转换层优选地还包含第二转本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备,其包含光发射器,包含光发射器部分(31,32,33)的套组(3),其中该套组的至少一个光发射器部分(31)经配置成发射具有激发波长的光,色彩转换层,包含转换层部分(21,22)的套组(2),其中该套组(2)的至少一个转换层部分(21)包含含有固体聚合物组合物的膜,其中该固体聚合物组合物包含发光晶体(11)其中该发光晶体(11)

具有钙钛矿结构

选自式(I)化合物:CsPbX3(I),其中Cs任选地经至多30摩尔%的一种或多种其他具有配位数12的金属掺杂,Pb任选地经至多30摩尔%的一种或多种具有配位数6的金属掺杂,X独立地表示选自由Cl、Br、I、氰根、及硫氰酸根所组成的组的阴离子,

具有3nm至3000nm之间的尺寸,

响应于被套组(3)的至少一个相应光发射器部分(31)发射的光的激发而发出波长的光,其中激发波长比该波长短;且其中该聚合物是交联的。2.根据权利要求1的显示设备,其中该转换层部分仅仅包含一种类型的根据式(I)的用于发射专用色光的发光晶体。3.根据前述权利要求中一项的显示设备,其中该发光晶体(11)具有5nm至100nm之间的尺寸;和/或其中该发光晶体(11)的量低于2.0g/m2,优选地低于1.5g/m2。4.根据前述权利要求中任一项的显示设备,其中每转换层部分(21)的发光晶体(11)选自由以下所组成的组

CsPbBr
x
I3‑
x
,其中0≤x<2,

CsPbCl
y
Br3‑
y

z
I
z
,其中0<y<1,2≤z≤3

y,各自用于发射红光,或

CsPbBr
x
I3‑
x
,其中2≤x≤3

CsPbCl
y
Br
z
I3‑
y

z
,其中0<y<1,1<z≤3

y,各自用于发射绿光。5.根据前述权利要求中任一项的显示设备,其中该固体聚合物组合物包含选自由以下所组成的组的聚合物:丙烯酸酯聚合物、碳酸酯聚合物、砜聚合物、环氧聚合物、乙烯基聚合物、氨基甲酸酯聚合物、酯聚合物...

【专利技术属性】
技术研发人员:N
申请(专利权)人:凡泰姆股份公司
类型:发明
国别省市:

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