用于低功率的相关双采样放大器制造技术

技术编号:27821566 阅读:51 留言:0更新日期:2021-03-30 10:43
信号采集或调节放大器可以配置和控制为使用差分输入信号的相关双倍采样(CDS)和电容性或其他反馈网络中的存储电容器,低功率运算跨导放大器(OTA)能够在CDS采样之间断电,并且可以以提供良好性能特征的方式运行,同时仍提供低功率或高效功率。放大器和其他信号处理电路可以在需要较少信号测量吞吐量的情况下按比例缩小功率,在需要更多信号测量吞吐量的情况下按比例放大功率。这种灵活性可以帮助使本方法对于广泛的信号采集和测量应用有用。通过缓冲放大器进行预充电可以提供改进的信号采集电路有效输入阻抗。集电路有效输入阻抗。集电路有效输入阻抗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于低功率的相关双采样放大器
[0001]要求优先权
[0002]本申请要求享有2018年8月16日提交的美国专利申请序列号No.16/103,963的优先权权益,其全部内容通过引用合并于此。


[0003]该文件总体上但非限制性地涉及信号处理电路和方法,并且更具体地但非限制性地涉及适用于低功率仪器应用的相关双采样放大器。

技术介绍

[0004]需要传感器和其他模拟输入信号的高质量低功率信号处理,尤其是在电池供电或可植入应用中。许多信号采集和模数信号转换电路不提供准确性和低噪声信号处理性能,同时还提供低功耗。

技术实现思路

[0005]模拟信号处理通道的说明性非限制性示例可以包括:用于对模拟输入信号进行采样的输入放大器电路;模数转换器(ADC)电路,用于将放大器缓冲的模拟输入信号转换为数字值;参考电压电路,用于为ADC提供参考电压以执行模数(A2D)转换;数字后处理电路,用于进一步执行信号处理(例如抽取或其他滤波等);和控制电路,用于ADC的定时操作和信号处理通道中使用的开关电路。
[0006]对于电池供电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.信号采集电路,用于对具有分量Vx和Vy的差分输入信号执行相关双采样(CDS)以进行低功率信号处理,该电路包括:放大器,包括或耦合到反馈网络,该反馈网络包括或耦合到存储电容器,该放大器被配置为在第一和第二放大器输入和放大器输出之间提供增益;初始化开关,布置为在所述输入信号的CDS之前初始化所述存储电容器;和控制电路,被配置为控制多路复用器的操作,以在不重新初始化所述存储电容器或在重新初始化所述存储电容器之前对CDS的各个第一和第二采样将Vx和Vy顺序地耦合到所述第一放大器输入。2.权利要求1所述的电路,包括:第一预充电开关,被配置为被所述控制电路控制,以通过第一缓冲放大器将Vx耦合到所述第一放大器输入,以对所述第一放大器输入进行预充电;第一建立开关,被所述控制电路控制以随后将Vx耦合到所述第一放大器输入而没有所述第一缓冲放大器,以在预充电之后进一步建立所述第一放大器输入;第二预充电开关,被配置为被所述控制电路控制,以通过第二缓冲放大器将Vy耦合到所述第一放大器输入,以对所述第一放大器输入进行预充电;和第二建立开关,被配置为被所述控制电路控制,以随后将Vy耦合到所述第一放大器输入而没有第二缓冲放大器,以在预充电后进一步建立所述第一放大器输入。3.权利要求1或2所述的电路,其中所述初始化开关被布置为在CDS之前初始化所述存储电容器,包括在重新初始化所述存储电容器之前对Vx和Vy中的每一个进行预充电、建立和采样。4.权利要求1至3中任一项所述的电路,其中所述初始化开关位于所述放大器输出和所述第二放大器输入之间。5.权利要求1至4中任一项所述的电路,其中该放大器包括运算跨导放大器(OTA)。6.权利要求1至5中任一项所述的电路,还包括耦合到所述放大器输出的模数转换器(ADC),并且其中所述控制电路被配置为控制ADC以执行Vx和Vy的放大器输出样本的模数转换。7.权利要求6所述的电路,其中所述ADC包括逐次逼近例程(SAR)ADC,并且其中所述控制电路被配置为允许间歇CDS模数转换之间的ADC掉电。8.权利要求5所述的电路,其中所述OTA被配置为在间歇CDS采样之间断电。9.权利要求1至8中任一项所述的电路,其中该放大器包括运算跨导放大器(OTA),并且其中所述反馈网络包括:所述放大器输出和所述第二放大器输入之间的反馈电容器;和存储电容器,位于所述第二放大器输入和地或其他参考节点之间。10.权利要求2所述的电路,其中所述第一和第二缓冲放大器被配置为在间歇CDS采样之间通过所述控制电路断电。11.权利要求1至10中任一项所述的电路,其中所述控制电路被配置为在连续的CDS采样之间将多路复用Vx和Vy的时间序列交替到所述第一输入放大器输入。12.一种用于低功率信号处理的具有分量Vx和Vy的差分输入信号的相关双采样(CDS)的输入信...

【专利技术属性】
技术研发人员:M
申请(专利权)人:美国亚德诺半导体公司
类型:发明
国别省市:

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