一种提升封装能力的OLED结构和制备方法技术

本发明专利技术属于显示领域，提供了一种提升封装能力的OLED结构，包括从上至下顺序层叠的基底、阳极、复合有机层、阴极以及封装层，所述基底与所述阳极接触的一面设有基底凹凸结构，以上各层基底的凹凸结构的凹凸方向相同。以基底构形为出发点，对OLED器件进行优化，凹凸构形可显著降低各膜层的表面应力，防止膜层的解体和滑移，使膜层更加稳定，增加器件的寿命，提升产品的良率水平；同时凹凸的表面构造，也可降低各有机层间的波导模式，减少了阴极表面的等离子模式，从而使OLED内部产生的光更多的发射出来，增大光取出效率。本发明专利技术还提供了一种制备提升封装能力的OLED结构的方法。备提升封装能力的OLED结构的方法。备提升封装能力的OLED结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
一种提升封装能力的OLED结构和制备方法


[0001]本专利技术涉及显示领域，具体而言，涉及到一种OLED结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]有机电致发光二极管（OLED）具有低能耗、自发光、广视角等优异特性，在显示行业得到了广泛的应用，如OLED电视、平板电脑等，随着经济社会的需求以及科技的进步，OLED更向高清晰度、曲面化以及小尺寸发展。
[0003]为了OLED性能满足不同的需求，现有技术中通常在基底上层层沉积各功能膜层，但是往往各膜层表面应力较大，层膜数量越多，相互间的应力增加（可达500 Mpa以上），较大的应力会导致膜层易破裂解体，若此时膜层与膜层之间的结合力较弱，则会加速膜层的解体，增加封装难度，甚至导致封装失效，引入水汽和氧气，造成器件损坏和报废，影响产品的良率水平。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术的不足，本专利技术提供了一种膜层应力小结合力强、高封装能力且提高器件内部光取出效率的提升封装能力的OLED结构和制备方法。
[0005]一种提升封装能力的OLED结构，包括从上至下顺序层叠的基底、阳极、复合有机层、阴极以及封装层，所述基底与所述阳极接触的一面设有基底凹凸结构，所述阳极、所述复合有机层、所述阴极以及所述封装层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同。
[0006]在一些较优的实施例中，所述凹凸结构为周期性结构，凸起部高度为1
‑
10μm，凹陷部深度为1
‑
10μm。
[0007]在一些较优的实施例中，所述阳极厚度为50
‑
300 nm。
[0008]在一些较优的实施例中，所述阴极为金属层或金属合金层，所述厚度为10
‑
150 nm，所述阴极透光率不低于90%。
[0009]在一些较优的实施例中，所述复合有机层包括真空蒸镀形成背离所述基底方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，所述复合层的厚度为100
‑
400 nm。
[0010]在一些较优的实施例中，所述封装层为复合封装层，其厚度为100
‑
1630 nm。
[0011]在一些较优的实施例中，所述复合封装层包括由金属氧化物封装层和无机硅化物封装层，所述金属氧化物封装层的厚度为20
‑
130 nm，所述无机硅化物封装层厚度为80
‑
1500 nm。
[0012]在一些较优的实施例中，所金属氧化物封装层包括氧化铝、氧化钛或氧化锆一种或几种，所述无机硅化物封装层氮化硅、氧化硅或碳化硅的一种。
[0013]一种提升封装能力的OLED结构的制备方法，包括如下步骤：取基底，在其一面刻出凹凸纹路的表面构造形成基底凹凸结构；
在基底凹凸机构上溅射沉积形成阳极；在阳极上依次沉积形成复合有机层和阴极；在阴极层上用原子沉积法与化学气相沉积法交替形成封装层；所述阳极、所述复合有机层、所述阴极以及所述封装层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同。
[0014]在一些较优的实施例中，在阴极层上用原子沉积法与化学气相沉积法交替形成封装层的步骤为使金属氧化物的前驱体交替在阴极上吸附反应，形成多层金属氧化物封装层，采用低温等离子体增强化学沉积法，金属氧化物封装层上通过化学吸附反应沉积无机硅化物，形成一层无机硅化物封装层。
[0015]与现有技术相比，有以下的有益效果及优点：本专利技术的基底与所述阳极接触的一面设有基底凹凸结构，所述阳极、复合有机层、阴极以及封装层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同，以基底构形为出发点，对OLED器件进行优化，凹凸构形可显著降低各膜层的表面应力，防止膜层的解体和滑移，使膜层更加稳定，增加器件的寿命，提升产品的良率水平；同时凹凸的表面构造，也可降低各有机层间的波导模式，减少了阴极表面的等离子模式，从而使OLED内部产生的光更多的发射出来，增大光取出效率。
[0016]本专利技术提供了提升封装能力的OLED结构的制备方法，采用本专利技术形成的OLED结构封装能力提升，外量子效率提高。
附图说明
[0017]图1为本专利技术的基底表面剖面图；图2为本专利技术的OLED结构剖面图；图3为本专利技术的OLED制作流程示意图；图4为封装能力测试对比图；图5应力对比趋势对比图；图6为外量子趋势对比图。
[0018]图中：1为基底、2为基底凹凸结构、3为阳极3、4为复合有机层、5为阴极、6为封装层。
具体实施方式
[0019]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本专利技术， 并不用于限定本专利技术。
[0020]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0021]请参阅图1和图2，一种提升封装能力的OLED结构，包括从上至下顺序层叠基底1、阳极3、复合有机层4、阴极5以及封装层6，所述基底与所述阳极3接触的一面设有基底凹凸结构2，所述阳极3、复合有机层4、金属阴极5以及封装层6均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同。
[0022]本专利技术中凹凸结构可以圆形、椭圆、圆弧、矩形、梯型及正多边形等规则形状也可
以为或其他不规则形状，可以为周期性的也可以为非周期性的，所以凹凸结构的形状可选择性广泛，可以根据生产需求和制备工艺选择适用的凹凸结构。具体的，凹凸结构为周期性结构，凸起部高度为1
‑
10μm，凹陷部深度为1
‑
10μm。减少内部应力，保证水氧阻隔力。
[0023]具体的，所述阳极3厚度为50
‑
300 nm。提高韧性，保证基本凹凸结构不断裂，该阳极3膜为非透明的，具有较高的光反射效率和抗腐蚀能力，可以让光尽可能的从阴极侧（显示侧）发出，增强产品的亮度。
[0024]具体的，所述阴极5为金属层或金属合金层，所述厚度为10
‑
150 nm，所述阴极透光率不低于90%，光学传递效果好，同时释放应力。
[0025]更具体的，复合有机层4包括真空蒸镀形成背离所述基底方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，所述复合层的厚度为100
‑
400 nm。
[0026]具体的，所述封装层6为复合封装层，其厚度为100
‑
1630 nm，保证封装能力。
[0027]具体的，所述复合封装层6包括由金属氧化物封装层和无机硅化物封装层，所述金属氧化物封装层的厚度为20
‑
130 nm，所述无机硅化物封装层厚度为80
‑
1500 nm。进一步提高封装膜的抗弯折力。
[0028]具体的，所金属氧化物封装层包括氧化铝、氧化钛或氧化锆一种或几种，所述无机硅化物封装层氮化硅、氧化硅或碳化硅的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，包括从上至下顺序层叠的基底、阳极、复合有机层、阴极以及封装层，所述基底与所述阳极接触的一面设有基底凹凸结构，所述阳极、所述复合有机层、所述阴极以及所述封装层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同。2.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述凹凸结构为周期性结构，凸起部高度为1
‑
10μm，凹陷部深度为1
‑
10μm。3.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述阳极厚度为50
‑
300 nm。4.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述阴极为金属层或金属合金层，所述厚度为10
‑
150 nm，所述阴极透光率不低于90%。5.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述复合有机层包括真空蒸镀形成背离所述基底方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，所述复合层的厚度为100
‑
400 nm。6.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述封装层为复合封装层，其厚度为100
‑
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【专利技术属性】
技术研发人员：王绍华，王健波，吴远武，吴迪，
申请(专利权)人：湖畔光电科技江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：