一种火箭自保持供配电控制电路及电气设备制造技术

技术编号:27801901 阅读:24 留言:0更新日期:2021-03-23 18:47
本申请提供一种火箭自保持供配电控制电路及电气设备,供配电控制电路包括第一控制电路以及负载,第一控制电路包括断电信号处理模块、上电信号处理模块、供电自保持模块以及PMOS管驱动模块;上电信号处理模块用于外部上电信号的隔离与接收;断电信号处理模块用于完成外部断电控制信号的隔离与接收;PMOS管驱动模块用于完成PMOS管的通断控制,提供外部负载电流通路;供电自保持模块用于PMOS管导通后实现栅极源极电压自保持和器件闭合保持。本申请通过供电自保持模块,使得控制电路抗干扰能力强,即使上电信号被拉低也不会影响导通状态,实现了高抗干扰能力的火箭火箭供配电控制;同时用PMOS管代替了机械结构的电磁继电器,提高了环境适应性。

【技术实现步骤摘要】
一种火箭自保持供配电控制电路及电气设备
本公开一般涉及火箭电气系统电源供配电控制领域,具体涉及一种火箭自保持供配电控制电路及电气设备。
技术介绍
火箭上电源分为一次电源和二次电源;一次电源由其他的能源转变为电能,通常采用化学电源,如蓄电池和燃料电池;火箭常用的蓄电池有锌银电池、镉镍电池,蓄电池的结构简单、使用方便、可靠性好,和比能量较高,能够在短时间内提供较大的放电电流。目前实现火箭电池一次电源供配电控制主要由两种形式:电磁继电气控制和MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)控制。采用电磁继电气控制时,通过供配电控制设备发送控制信号至继电气的控制端,实现继电气触点位置状态改变,从而实现一次电源供配电通路的开关。该种方案存在两个主要缺点:1)电磁继电气内部存在机械结构,在火箭飞行严酷的振动、冲击环境中存在失效风险;2)为了实现供配电通路的开启保持,配电控制设备需保持控制信号拉高,带来了失效风险。MOSFET是采用半导体开关器件实现供配电控制,供配电控制设备发送控制信号使栅源极电压大于开启电压,从而实现供配电通路开关。该方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种火箭自保持供配电控制电路,其特征在于:包括第一控制电路以及负载,所述第一控制电路包括断电信号处理模块、上电信号处理模块、供电自保持模块以及PMOS管驱动模块;/n所述断电信号处理模块的信号输入端连接断电信号,用于对所述断电控制信号的隔离与接收;所述上电信号处理模块的信号输入端连接上电信号,用于对所述上电信号的隔离与接收;/n所述供电自保持模块包括:第七电阻R7、第八电阻R8、第三光耦N3以及电压源U1;/n所述电压源U1的正极与所述断电信号处理模块的电源输入端1脚以及第七电阻R7的一端连接,所述电压源U1的负极接地;/n所述第七电阻R7的另一端与所述断电信号处理模块的输出端2脚以及第八...

【技术特征摘要】
1.一种火箭自保持供配电控制电路,其特征在于:包括第一控制电路以及负载,所述第一控制电路包括断电信号处理模块、上电信号处理模块、供电自保持模块以及PMOS管驱动模块;
所述断电信号处理模块的信号输入端连接断电信号,用于对所述断电控制信号的隔离与接收;所述上电信号处理模块的信号输入端连接上电信号,用于对所述上电信号的隔离与接收;
所述供电自保持模块包括:第七电阻R7、第八电阻R8、第三光耦N3以及电压源U1;
所述电压源U1的正极与所述断电信号处理模块的电源输入端1脚以及第七电阻R7的一端连接,所述电压源U1的负极接地;
所述第七电阻R7的另一端与所述断电信号处理模块的输出端2脚以及第八电阻R8的一端连接,所述第八电阻R8的另一端连接所述第三光耦N3的集电极;
所述第三光耦N3的发射极以及阴极接地;所述第三光耦N3的发射极连接所述上电信号处理模块的输出端4脚,所述第三光耦N3的集电极连接所述上电信号处理模块的电源输入端3脚;
所述PMOS管驱动模块包括:第一稳压管Z1、PMOS管Q1以及第五电阻R5;
所述第一稳压管Z1与所述第七电阻R7并联;所述PMOS管的栅极与所述第一稳压管Z1的正极连接,所述PMOS管的源极与所述第一稳压管Z1的负极连接,所述PMOS管的漏极与所述第五电阻R5的一端连接,所述第五电阻R5的另一端与所述第三光耦N3的阳极连接;
所述负载的一端与所述PMOS管的漏极连接,所述负载的另一端接地。


2.根据权利要求1所述的火箭自保持供配电控制电路,其特征在于:所述断电信号处理模块包括:第二电阻R2以及第一光耦N1;所述第二电阻R2的一端连接断电信号,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:北京凌空天行科技有限责任公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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