一种功率放大器的功率检测电路及方法技术

技术编号:27750793 阅读:44 留言:0更新日期:2021-03-19 13:46
本申请实施例公开了一种功率放大器的功率检测电路及方法,功率检测电路包括:偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路;偏置电路与整流电路和直流抵消电路分别连接,直流抵消电路与偏移补偿电路和整流电路分别连接,增益控制电路与整流电路和功率放大器分别连接。

【技术实现步骤摘要】
一种功率放大器的功率检测电路及方法
本申请实施例涉及功率放大器检测
,尤其涉及一种功率放大器的功率检测电路及方法。
技术介绍
现代通信系统采用了越来越复杂的调制方式,使得对射频功率放大器(radiofrequencypoweramplifier,RFPA)的线性度性能要求越来越高,为了保证PA的效率的同时提高功率放大器的线性度性能是亟待解决的问题。应用于无线通信系统中实现线性偏置的现有功率检测电路通常由偏置电路、增益控制电路和整流电路构成,如图1所示,当有射频信号输入时,通过整流电路将射频信号转变为直流电流,整流电路输出的电流包括静态电流和直流电流,即经过增益控制电路放大输出的检测电流至少包括静态电流,因此,利用检测电流对功率放大器进行电流补偿的范围有限,并且,由于不同放大器的补偿需求会根据输入功率产生变化,传统的功率检测电路对不同放大器的补偿作用功能较为单一,灵活性较低。
技术实现思路
本申请实施例提供一种功率放大器的功率检测电路及方法,在现有的功率检测电路的基础上添加了直流抵消电路和偏移补偿电路,不仅能够实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率放大器的功率检测电路,其特征在于,所述功率检测电路包括:偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路;/n所述偏置电路与所述整流电路和所述直流抵消电路分别连接,所述偏置电路,用于为所述整流电路和所述直流抵消电路分别提供偏置电压;/n所述整流电路在所述偏置电压的作用下,产生静态电流,所述整流电路,用于将输入的射频信号转换为直流电流,并将所述直流电流与所述静态电流叠加,得到第一电流;/n所述直流抵消电路与所述偏移补偿电路和所述整流电路分别连接;所述直流抵消电路,用于提供抵消电流对所述第一电流中的所述静态电流进行抵消,所述偏移补偿电路,用于提供偏移补偿电流对所述第一电流进...

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器的功率检测电路,其特征在于,所述功率检测电路包括:偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路;
所述偏置电路与所述整流电路和所述直流抵消电路分别连接,所述偏置电路,用于为所述整流电路和所述直流抵消电路分别提供偏置电压;
所述整流电路在所述偏置电压的作用下,产生静态电流,所述整流电路,用于将输入的射频信号转换为直流电流,并将所述直流电流与所述静态电流叠加,得到第一电流;
所述直流抵消电路与所述偏移补偿电路和所述整流电路分别连接;所述直流抵消电路,用于提供抵消电流对所述第一电流中的所述静态电流进行抵消,所述偏移补偿电路,用于提供偏移补偿电流对所述第一电流进行偏移补偿;
所述增益控制电路与所述整流电路和功率放大器分别连接,所述增益控制电路,用于对所述第一电流,经所述抵消电流抵消和所述偏移补偿电流偏移补偿得到的第二电流进行放大,得到检测电流,并将所述检测电流输入所述功率放大器,以对所述功率放大器进行电流补偿。


2.根据权利要求1所述的功率检测电路,其特征在于,所述偏置电路包括第一镜像恒流源和第一NMOS电流镜;
所述第一镜像恒流源由第一输入级和第一输出级构成,所述第一输入级包括参考电流源、第一PMOS电流镜,所述第一输出级包括第二PMOS电流镜;
所述第一PMOS电流镜的源极和所述第二PMOS电流镜的源极接入电源;
所述第一PMOS电流镜的漏极接入参考电流源,且与所述第一PMOS电流镜栅极连接;
所述第二PMOS电流镜的栅极与所述第一PMOS电流镜的栅极连接,且所述第二PMOS电流镜的漏极与所述第一NMOS电流镜的漏极连接;
所述第一NMOS电流镜的栅极与所述第一NMOS电流镜的漏极、所述直流抵消电路、以及所述整流电路分别连接,源极接地;
所述第一输入级和所述第一输出级的电流传输比,等于所述第一PMOS电流镜的宽长比与所述第二PMOS电流镜的宽长比的比值。


3.根据权利要求1所述的功率检测电路,其特征在于,所述增益控制电路包括第二镜像恒流源;
所述第二镜像恒流源由第二输入级和第二输出级构成,所述第二输入级包括第三PMOS电流镜,所述第二输出级包括第四PMOS电流镜;
所述第三PMOS电流镜的源极和所述第四PMOS电流镜的源极接入电源;
所述第三PMOS电流镜的漏极与所述第三PMOS电流镜的栅极、所述整流电路、以及所述直流抵消电路分别连接;
所述第四PMOS电流镜的栅极与所述第三PMOS电流镜的栅极连接,所述第四PMOS电流镜的漏极与功率放大器连接;
所述第二输入级和所述第二输出级的电流传输比,等于所述第三PMOS电流镜的宽长比与所述第四PMOS电流镜的宽长比的比值。


4.根据权利要求1所述的功率检测电路,其特征在于,所述整流电路包括固定电阻、电容和第二NMOS电流镜;
所述电容一端接入所述射频信号,另一端与所述第二NMOS电流镜的栅极连接;
所述固定电阻的一端所述第二NMOS电流镜的栅极连接,另一端与所述偏置电路连接;
所述第二NMOS电流镜的漏极,与所述直流抵消电路和所述增益控制电路分别连接,所述第二NMOS电流镜的源极接地。


5.根据权利要求1所述的功率检测电路,其特征在于,所述直流抵消电路包括第三镜像恒流源和第三NMOS电流镜;
所述第三镜像恒流源由第三输入级和第三输出级构成,所述第三输入级包括第五PMOS电流镜,所述第三输出级包括第六PMOS电流镜;
所述第五PMOS电流镜的源极和所述第六PMOS电流镜的源极接入电源;
所述第五PMOS电流镜的栅极与所述第五PMOS电流镜的漏极,以及所述第六PMOS电流镜的栅极分别连接;所述第五PMOS电流镜的漏极与所述第三NMOS电流镜的漏极、以及所述偏...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭振飞苏强刘传兵
申请(专利权)人:广州慧智微电子有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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