一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。所述阵列基板中第一薄膜晶体管包括多个第一通孔和多个第二通孔，第一通孔贯穿至少一个第一绝缘层，第二通孔贯穿至少一个第二绝缘层，源漏金属层通过第一通孔和第二通孔与第一有源层电连接；第一通孔的侧壁与第一通孔的底面之间的夹角为第一夹角，第二通孔的侧壁与第二通孔的底面之间的夹角为第二夹角，第一夹角和第二夹角不相等，第二薄膜晶体管包括第三通孔，第三通孔贯穿至少一个第二绝缘层，源漏金属层通过第三通孔与第二有源层电连接。本发明专利技术实施例提供的技术方案，避免了源漏金属层与第一有源层之间通孔的刻蚀残留或过刻蚀问题出现。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，用户对显示装置的性能要求越来越高，薄膜晶体管是显示面板的主要驱动元件，直接关系到高性能显示装置的发展方向。有源层材料不同的薄膜晶体管的器件性能优势不同，为综合利用各类薄膜晶体管的性能优势来提升显示装置的驱动能力，目前已出现同时包括两种薄膜晶体管的显示面板，该两种薄膜晶体管的有源层材料不同。为避免其中一种薄膜晶体管的高温制程影响另一种薄膜晶体管的有源层性能，通常将后者的有源层设置于前者栅极靠近源漏金属层的一侧，且为减少制备工艺中的掩膜次数，将两个薄膜晶体管的源漏金属层同层设置。上述结构中，有源层距离源漏金属层较远的薄膜晶体管中，连接有源层和源漏金属层的通孔的深度大，刻蚀工艺难度大，刻蚀时间过短易出现刻蚀残留，刻蚀时间过长会导致该薄膜晶体管的有源层被过刻蚀。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，以避免源漏金属层与第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基板以及形成于所述基板上的多个第一薄膜晶体管和所述多个第二薄膜晶体管；/n其中，所述第一薄膜晶体管的有源层位于第一有源层，栅极位于第一栅极金属层，源极和漏极位于源漏金属层；/n所述第二薄膜晶体管的有源层位于第二有源层，栅极位于第二栅极金属层，源极和漏极位于所述源漏金属层；/n沿垂直于所述基板的方向，所述第一有源层、所述第一栅极金属层、所述第二有源层、所述第二栅极金属层和所述源漏金属层依次层叠；/n所述第一有源层和所述第二有源层之间设置有至少一个第一绝缘层，所述第二有源层与所述源漏金属层之间设置有至少一个第二绝缘层；/n所述第一薄膜晶体管还包括多个第一通孔...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板以及形成于所述基板上的多个第一薄膜晶体管和所述多个第二薄膜晶体管；
其中，所述第一薄膜晶体管的有源层位于第一有源层，栅极位于第一栅极金属层，源极和漏极位于源漏金属层；
所述第二薄膜晶体管的有源层位于第二有源层，栅极位于第二栅极金属层，源极和漏极位于所述源漏金属层；
沿垂直于所述基板的方向，所述第一有源层、所述第一栅极金属层、所述第二有源层、所述第二栅极金属层和所述源漏金属层依次层叠；
所述第一有源层和所述第二有源层之间设置有至少一个第一绝缘层，所述第二有源层与所述源漏金属层之间设置有至少一个第二绝缘层；
所述第一薄膜晶体管还包括多个第一通孔和多个第二通孔，所述第一通孔贯穿所述至少一个第一绝缘层，所述第二通孔贯穿所述至少一个第二绝缘层，所述源漏金属层通过所述第一通孔和所述第二通孔与所述第一有源层电连接；所述第一通孔的侧壁与所述第一通孔的底面之间的夹角为第一夹角，所述第二通孔的侧壁与所述第二通孔的底面之间的夹角为第二夹角，所述第一夹角和所述第二夹角不相等；
所述第二薄膜晶体管还包括第三通孔，所述第三通孔贯穿所述至少一个第二绝缘层，所述源漏金属层通过所述第三通孔与所述第二有源层电连接。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二通孔位于所述第一通孔内，部分所述第二绝缘层延伸至所述第二通孔的内壁与所述第一通孔的内壁之间。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一夹角大于所述第二夹角。


4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二通孔的内壁与所述第一通孔的内壁之间还设置有氧化物半导体有源层，所述氧化物半导体有源层与所述第一通孔的内壁相邻设置。


5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物半导有源层为铟镓锌氧化物层。


6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一通孔的内壁包括第一子部，所述第一子部复用为所述第二通孔的部分内壁；所述氧化物半导体有源层覆盖所述第一通孔中除所述第一子部外的内壁。


7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿垂直于所述基板的方向，所述第一通孔和所述第二通孔依次层叠。


8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一夹角小于所述第二夹角。


9.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的有源层材料为铟镓锌氧化物。


10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物半导体有源层和所述第二有源层同层设置。


11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的有源层的材料为低温多晶硅。


12.根据权利要求11所述阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个有机发光元件和多个像素驱动电路，所述像素驱动电路与所述有机发光元件一一对应电连接，所述像素驱动电路包括至少一个所述第一薄膜晶体管和一个所述第二薄膜晶体管，所述至少一个第一薄膜晶体管包括驱动晶体管，所述第二薄膜晶体管为阈值补偿晶体管，所述阈值补偿晶体管与所述驱动晶体管的栅极电连接。


13.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴嘉翔，郑珊珊，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35