一种SMD固态电容器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种SMD固态电容器及其制造方法。所述制造方法包括以下步骤：将阳极箔、阴极箔及电解纸共同组成芯包；然后将芯包进行分散液的含浸处理；通过分段分时加热聚合以在芯包内形成导电聚合物；将聚合后的芯包组立封口、老化；其中，分段分时加热聚合是指依次35~45℃加热55~65min、45~55℃加热85~95min、55~65℃加热85~95min、65~75℃加热25~35min、145~155℃加热25~35min、160~170℃加热10~20min、175~185℃加热10~20min、205~215℃加热5~15min。本发明专利技术制造方法采用了特定的分段分时加热聚合，比同样的规格尺寸不仅提高了含浸容量引出率的问题，能够明显改善固态电容器耐回流焊及漏电回升问题，又能够避免高温处理对电容器氧化膜的伤害，同时还不影响产品寿命，而且明显提升了静电容量、有效降低了损耗DF值和阻抗ESR。

【技术实现步骤摘要】
一种SMD固态电容器及其制造方法
本专利技术涉及电解电容器
，尤其是涉及一种SMD固态电容器及其制造方法。
技术介绍
固态电容器拥有低ESR、高频特性好，小型化等优点，在目前的市场上应用越来越广，特别是在电子行业发展日新月异的今天，各类高端电源、电子产品对电容器的要求越来越高，固态电容器的应用前景也越来越大。相对于插件式固态电容器，SMD固态电容器能提高电子产品的生产效率，实现大规模自动化生产，节约人力、时间等，特别是欧美工厂机械成本低，人工比较贵，对SMD贴片安装工艺有更迫切的需求，这必将刺激SMD固态电容器的市场快速发展，前景十分广阔。目前市场上主要的SMD固态电容器的供应商为日本松下、chenmicon、nichicon，台资如立隆，裕邦，万裕等，而大陆尚处短板。SMD固态电容目前处于电容行业技术的领先地位，是行业公认最具发展前景的国际化高技术产业之一，直接引导着电容行业未来的的发展方向，各国尤其是亚洲各主要电容器厂商非常重视此固态电容行业的发展，不惜投入资金进行研发。温度和时间是SMD固态电容器聚合生成导电高分子的两个重要影响因素。当聚合反应在较低的温度下进行时，反应是在一种比较平和的状态下进行，生成的聚合物分子量大、分子结构单一、规整性好，这种结构的聚合物具有相对较高的电导率。而且从宏观上来看，芯包内形成的聚合物膜表面平滑，与介质层的表面结合更加紧密，容量引出率更高，而高温下的聚合产物则刚好相反。但低温聚合反应需要很长的时间才能反应完全，并且原位聚合条件下，低温聚合时容易在芯包中残留未反应的单体、氧化剂以及溶剂，对电容器的电性能造成不利影响，比如DF值偏大、静电容量下降和ESR的上升等。
技术实现思路
为了弥补已有技术的缺陷，本专利技术提供一种SMD固态电容器及其制造方法，本专利技术制造方法采用了特定的分段分时加热聚合，比同样的规格尺寸不仅提高了含浸容量引出率的问题，能够明显改善固态电容器耐回流焊及漏电回升问题，又能够避免高温处理对电容器氧化膜的伤害，同时还不影响产品寿命，而且明显提升了静电容量、有效降低了损耗（DF值）和阻抗ESR。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种SMD固态电容器的制造方法，其包括以下步骤：将阳极箔、阴极箔及电解纸共同组成芯包；然后将所述芯包进行分散液的含浸处理；通过分段分时加热聚合以在所述芯包内形成导电聚合物；将聚合后的芯包组立封口、老化；其中，所述分段分时加热聚合是指依次35~45℃加热55~65min、45~55℃加热85~95min、55~65℃加热85~95min、65~75℃加热25~35min、145~155℃加热25~35min、160~170℃加热10~20min、175~185℃加热10~20min、205~215℃加热5~15min。作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的制造方法的一种优选实施方式，所述分段分时加热聚合是指依次40℃加热60min、50℃加热90min、60℃加热90min、70℃加热30min、150℃加热30min、165℃加热15min、180℃加热15min、210℃加热10min。作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的制造方法的一种优选实施方式，所述芯包含浸单体前还包括含浸前处理剂步骤。作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的制造方法的一种优选实施方式，所述前处理剂为表面活性剂与硅烷偶联剂的混合溶液。作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的制造方法的一种优选实施方式，所述含浸前处理剂步骤之前还包括对所述芯包进行化成处理，以修复阳极箔表面的氧化膜。作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的制造方法的一种优选实施方式，所述分散液的含浸处理为单独含浸单体分散液和单独含浸氧化剂分散液。作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的制造方法的一种优选实施方式，所述含浸单体分散液和含浸氧化剂分散液的顺序不限制。作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的制造方法的一种优选实施方式，所述分散液为单体和氧化剂的混合溶液。作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的制造方法的一种优选实施方式，所述单体是3,4-乙烯二氧噻吩溶液；所述氧化剂溶液选自对甲苯磺酸、对甲苯磺酸钠、对甲苯磺酸铁、对甲苯磺酸铵中的一种或多种。作为本专利技术提供的所述的SMD固态电容器的制造方法的一种优选实施方式，所述将阳极箔、阴极箔及电解纸共同组成芯包是指将阳极箔、阴极箔及电解纸折叠成芯包或卷绕成芯包。一种SMD固态电容器，其通过如上述的制造方法制得。本专利技术具有如下有益效果：本专利技术制造方法采用了特定的分段分时加热聚合，比同样的规格尺寸不仅提高了含浸容量引出率的问题，能够明显改善固态电容器耐回流焊及漏电回升问题，又能够避免高温处理对电容器氧化膜的伤害，同时还不影响产品寿命，而且在缩短聚合时间的同时明显提升了静电容量（提了升49.49%）、有效降低了损耗（DF值，降低了31.65%）和阻抗ESR（降低了16.93%）。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术进行详细的说明，实施例仅是本专利技术的优选实施方式，不是对本专利技术的限定。实施例1一种SMD固态电容器的制造方法，该制造方法包括以下步骤：（1）将阳极箔、阴极箔和电解纸裁切成预设尺寸，并且在阳极箔和阴极箔上固定连接阳极引线和阴极引线；将阳极箔、电解纸和阴极箔卷绕成芯包；（2）对所述芯包进行化成处理，以修复阳极箔表面的氧化膜；（3）含浸前处理剂，并且干燥；所述前处理剂为表面活性剂与硅烷偶联剂的混合溶液；（4）分散液含浸：①将步骤（3）的芯包含浸单体溶液，干燥；②含浸氧化剂；（5）通过分段分时加热聚合以在所述芯包内形成导电聚合物；具体地，所述分段分时加热聚合是指依次40℃加热60min、50℃加热90min、60℃加热90min、70℃加热30min、150℃加热30min、165℃加热15min、180℃加热15min、210℃加热10min；聚合时间合计为340min；（6）将聚合后的芯包组立封口、老化。实施例2本实施例与实施例1不同之处在于：所述分段分时加热聚合是指依次45℃加热55min、55℃加热85min、65℃加热95min、75℃加热25min、145℃加热35min、170℃加热10min、175℃加热20min、215℃加热5min。实施例3本实施例与实施例1不同之处在于：所述分段分时加热聚合是指依次35℃加热65min、45℃加热95min、55℃加热85min、65℃加热35min、155℃加热25min、160℃加热20min、185℃加热10min、205℃加热10min。实施例4本实施例与实施例1不同之处在于：（4）分散液含浸：①将步骤（3）的芯包含浸氧化剂溶液，干燥；②含浸单体。实施例5本实施例与实施例1不同之处在于：（4）分散液含浸：将步骤（3）的芯包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SMD固态电容器的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：将阳极箔、阴极箔及电解纸共同组成芯包；然后将所述芯包进行分散液的含浸处理；通过分段分时加热聚合以在所述芯包内形成导电聚合物；将聚合后的芯包组立封口、老化；其中，/n所述分段分时加热聚合是指依次35~45℃加热55~65min、45~55℃加热85~95min、55~65℃加热85~95min、65~75℃加热25~35min、145~155℃加热25~35min、160~170℃加热10~20min、175~185℃加热10~20min、205~215℃加热5~15min。/n

【技术特征摘要】
1.一种SMD固态电容器的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：将阳极箔、阴极箔及电解纸共同组成芯包；然后将所述芯包进行分散液的含浸处理；通过分段分时加热聚合以在所述芯包内形成导电聚合物；将聚合后的芯包组立封口、老化；其中，
所述分段分时加热聚合是指依次35~45℃加热55~65min、45~55℃加热85~95min、55~65℃加热85~95min、65~75℃加热25~35min、145~155℃加热25~35min、160~170℃加热10~20min、175~185℃加热10~20min、205~215℃加热5~15min。


2.根据权利要求1所述的SMD固态电容器的制造方法，其特征在于，所述分段分时加热聚合是指依次40℃加热60min、50℃加热90min、60℃加热90min、70℃加热30min、150℃加热30min、165℃加热15min、180℃加热15min、210℃加热10min。


3.根据权利要求1所述的SMD固态电容器的制造方法，其特征在于，所述芯包含浸单体前还包括含浸前处理剂步骤。


4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈桃桃，刘泳澎，伍小军，
申请(专利权)人：肇庆绿宝石电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44