一种用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法技术

本发明专利技术公开一种用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法，真空封装焊接设备包括真空腔和设置在所述真空腔内的管壳治具组件、锗窗治具组件和遮挡组件，管壳治具组件上设置有管壳，所述管壳上有焊料，锗窗治具组件上设置锗窗，锗窗上有吸气剂；所述焊接方法包括以下步骤：步骤S1，真空封装焊接设备对所述真空腔进行抽真空处理，并执行除湿过程；步骤S2，真空封装焊接设备执行激活吸气剂的过程；步骤S3，真空封装焊接设备执行焊接所述管壳和锗窗的过程。本申请增加了吸气剂热激活工艺，吸气剂能有效地吸着某些气体分子获得或维持真空以及纯化气体环境，锗窗和管壳焊接时通过激活的吸气剂来为此纯化密闭空间，提了升焊接成品的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法
本专利技术涉及芯片焊接
，具体的说涉及一种用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法。
技术介绍
真空封装焊接设备的封装情况受到真空及纯化气体的环境的影响非常大，现有的真空焊接设备均是焊接时将焊接环境中的气体抽出后再进行焊接，但是不可能将焊接环境抽成纯真空，其中还包含了一定量的空气，无法保证焊接环境的真空以及纯化气体的环境，不能保证接成品的稳定性和可靠性。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于芯片可靠性封用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法，提升了焊接成品的稳定性和可靠性。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供了以下技术方案：一种用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法，真空封装焊接设备包括真空腔和设置在所述真空腔内的管壳治具组件、锗窗治具组件和遮挡组件，所述管壳治具组件上设置有管壳，所述管壳上有焊料，所述锗窗治具组件上设置锗窗，所述锗窗上有吸气剂；所述焊接方法包括以下步骤：步骤S1，真空封装焊接设备对所述真空腔进行抽真空处理，并执行除湿过程；步骤S2，真空封装焊接设备执行激活吸气剂的过程；步骤S3，真空封装焊接设备执行焊接所述管壳和锗窗的过程。优选的，步骤S1包括以下步骤：步骤S11，真空封装焊接设备对真空腔进行抽真空处理；步骤S12，真空封装焊接设备控制管壳治具组件移动至靠近锗窗治具组件的除湿工位；步骤S13，真空封装焊接设备控制加热所述锗窗治具组件至设定温度T1，保持设定时间t1，且使得管壳温度低于设定温度T2。优选的，步骤S13之后还包括步骤S14：真空封装焊接设备控制冷却锗窗治具组件，直至管壳温度降至设定温度T3。优选的，步骤S2包括以下步骤：步骤S21，真空封装焊接设备控制管壳治具组件移动至远离所述锗窗治具组件的初始位置；步骤S22，真空封装焊接设备控制遮挡组件由初始位置平移至将管壳治具组件和锗窗治具组件隔开的遮挡位置；步骤S23，真空封装焊接设备控制加热锗窗治具组件至设定温度T4，保持预设时间t2，并使得管壳小于设定温度T5。优选的，步骤S23之后还包括步骤S24：真空封装焊接设备控制冷却所述锗窗治具组件至设定温度T6。优选的，步骤S3包括以下步骤：步骤S31，真空封装焊接设备控制遮挡组件平移至初始位置；步骤S32，真空封装焊接设备控制管壳治具组件移动至和锗窗治具组件相贴合；步骤S33，真空封装焊接设备控制加热锗窗治具组件至设定温度T7,并保持设定时间t3。优选的，在步骤S33中，真空封装焊接设备调节加热参数，使得管壳温度不高于设定温度T8。优选的，在步骤S33之后还包括步骤S34:真空封装焊接设备控制对锗窗治具组件进行冷却，使得管壳治具组件的温度低于设定温度T9。优选的，在步骤S34之后还包括步骤S35:真空封装焊接设备保持冷却锗窗治具组件，停止对所述真空腔进行抽真空处理，并控制向真空腔内回填惰性气体，在惰性气体回填至预设值时，控制真空腔泄压，将管壳温度降低至设定温度T10。优选的，真空封装焊接设备包括和所述锗窗治具组件接触的冷却管路，以及设置在所述冷却管路背离所述锗窗治具组件一侧的加热管；所述冷却管路上连接有吹除装置；真空封装焊接设备通过控制向冷却管路通入冷却液实现对锗窗治具组件的冷却；真空封装焊接设备通过控制开启加热管加热锗窗治具组件；其中，在加热锗窗治具组件之前，真空封装焊接设备还控制吹除装置吹除冷却管路内的冷却液。通过采用上述技术方案，使得本专利技术具有以下有益效果：本申请的用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法的，增加了吸气剂热激活工艺，吸气剂能有效地吸着某些气体分子获得或维持真空以及纯化气体环境，锗窗和管壳焊接时通过激活的吸气剂来为此纯化密闭空间，提了升焊接成品的稳定性和可靠性。下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的描述。附图说明附图作为本申请的一部分，用来提供对本专利技术的进一步的理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，但不构成对本专利技术的不当限定。显然，下面描述中的附图仅仅是一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。在附图中：图1是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备初始状态时的状态示意图；图2是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备管壳治具组件下降且抽真空时的状态示意图；图3是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备除湿加热时的状态示意图；图4是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备除湿后冷却时的状态示意图；图5是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备除湿后管壳治具组件上升恢复初始状态时的状态示意图；图6是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备遮挡组件进行遮蔽时的状态示意图；图7是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备加热激活吸气剂时的状态示意图；图8是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备吸气剂激活后降温时的状态示意图；图9是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备遮挡组件复位后的状态示意图；图10是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备管壳治具组件下降与锗窗治具组件贴合时的状态示意图；图11是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备加热焊接时的状态示意图；图12是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备焊接后冷却时的状态示意图；图13是本专利技术提供的用于芯片可靠性真空封装焊接设备惰性气体回填时的状态示意图。图中，管壳治具组件1、锗窗治具组件2、遮挡组件3、壳体4、气动真空系统5、升降系统6、垂直运动电机61、升降丝杠62、升降螺母63、升降板64、水平运动系统7、水平运动电机71、水平丝杠72、与水平运动螺母73、滑板74、加热管8、冷却管路9、支撑轴10、惰性气体回填装置11。需要说明的是，这些附图和文字描述并不旨在以任何方式限制本专利技术的构思范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本专利技术的概念。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法，其特征在于，真空封装焊接设备包括真空腔和设置在所述真空腔内的管壳治具组件、锗窗治具组件和遮挡组件，所述管壳治具组件上设置有管壳，所述管壳上有焊料，所述锗窗治具组件上设置锗窗，所述锗窗上有吸气剂；/n所述焊接方法包括以下步骤：/n步骤S1，真空封装焊接设备对所述真空腔进行抽真空处理，并执行除湿过程；/n步骤S2，真空封装焊接设备执行激活吸气剂的过程；/n步骤S3，真空封装焊接设备执行焊接所述管壳和锗窗的过程。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法，其特征在于，真空封装焊接设备包括真空腔和设置在所述真空腔内的管壳治具组件、锗窗治具组件和遮挡组件，所述管壳治具组件上设置有管壳，所述管壳上有焊料，所述锗窗治具组件上设置锗窗，所述锗窗上有吸气剂；
所述焊接方法包括以下步骤：
步骤S1，真空封装焊接设备对所述真空腔进行抽真空处理，并执行除湿过程；
步骤S2，真空封装焊接设备执行激活吸气剂的过程；
步骤S3，真空封装焊接设备执行焊接所述管壳和锗窗的过程。


2.根据权利要求1所述的一种用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法，其特征在于，步骤S1包括以下步骤：
步骤S11，真空封装焊接设备对真空腔进行抽真空处理；
步骤S12，真空封装焊接设备控制管壳治具组件移动至靠近锗窗治具组件的除湿工位；
步骤S13，真空封装焊接设备控制加热所述锗窗治具组件至设定温度T1，保持设定时间t1，且使得管壳温度低于设定温度T2。


3.根据权利要求2所述的一种用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法，其特征在于，步骤S13之后还包括步骤S14：真空封装焊接设备控制冷却锗窗治具组件，直至管壳温度降至设定温度T3。


4.根据权利要求1所述的一种用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法，其特征在于，步骤S2包括以下步骤：
步骤S21，真空封装焊接设备控制管壳治具组件移动至远离所述锗窗治具组件的初始位置；
步骤S22，真空封装焊接设备控制遮挡组件由初始位置平移至将管壳治具组件和锗窗治具组件隔开的遮挡位置；
步骤S23，真空封装焊接设备控制加热锗窗治具组件至设定温度T4，保持预设时间t2，并使得管壳小于设定温度T5。


5.根据权利要求4所述的一种用于芯片可靠性真空封装焊接设备的封装方法，其特征在于，步骤S...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓燕，张延忠，赵永先，
申请(专利权)人：北京中科同志科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11