一种E字型风冷高频变压器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种E字型风冷高频变压器，包括绕组架、纳米非晶磁芯，绕组架由第一绕组架、第二绕组架组合而成，第一绕组架、第二绕组架连接处由绝缘材料隔开，绕组架截面整体呈E型，绕组架中间为由第一绕组架和第二绕组架上的半圆柱形芯柱拼接而成的圆柱形芯柱，第一绕组架的上部及第二绕组架下部均设有连接柱，纳米非晶磁芯套在芯柱上，在纳米非晶磁芯上绕有一次线圈，第一绕组架上的连接柱、第二绕组架上的半圆柱形芯柱均连接负极输出铜排，第一绕组架上的半圆柱形芯柱、第二绕组架上的连接柱分别连接交流输出铜排。本实用新型专利技术最大化的使二次线圈线径的截面积最大化，降低了电流密度，降低了使用时的温度。

【技术实现步骤摘要】
一种E字型风冷高频变压器
本技术涉及电气设备制造领域，具体为一种E字型风冷高频变压器。
技术介绍
高频开关电源是一种交流变直流，然后经IGBT逆变成高频交流，再经高频变压器变压，然后经快速整流管或肖特基管整流成直流电源,由于其中的功率元器件有发热的现象，按照散热形式一般分为水冷和风冷两种形式，从输出电压高低又分为高电压型和低电压型。风冷低电压大电流型高频变压器，由于采用了非晶材料作为铁芯材料，体积成几十倍的缩小，且是圆柱型或椭圆体型，在上面绕上一次、二次导电线圈就形成的高频变压器。以1500A/12V高频电源为例，目前市场上的此种高频变压器主要有两种制造法，一是在圆柱体磁芯上绕制一次线圈，做好绝缘，再用多股铜线多组绕制二次线圈，此种变压器的缺点是由于变压器二次绕组由多股铜线并联绕组，排布很难均匀，且绕组末端需要焊接线鼻子或连接铜板，使用中发热量高。目前市场上的非晶磁芯形状大多是圆环柱体，圆环的中心面积有限。
技术实现思路
针对上述现有技术中存在的问题，本技术提供一种E字型风冷高频变压器，降低使用时的温度，提高变压器的稳定性和使用寿命。本技术采用的技术方案如下：一种E字型风冷高频变压器，包括绕组架、纳米非晶磁芯，所述绕组架由第一绕组架、第二绕组架组合而成，第一绕组架、第二绕组架连接处由绝缘材料隔开，绕组架截面整体呈E型，绕组架中间为由第一绕组架和第二绕组架上的半圆柱形芯柱拼接而成的圆柱形芯柱，第一绕组架的上部及第二绕组架下部均设有连接柱，在绕组架上形成以芯柱为中心的环形凹槽，所述纳米非晶磁芯套在芯柱上并置于环形凹槽内，在纳米非晶磁芯上绕有一次线圈，第一绕组架上的连接柱、第二绕组架上的半圆柱形芯柱均连接负极输出铜排，第一绕组架上的半圆柱形芯柱、第二绕组架上的连接柱分别连接交流输出铜排。进一步地，所述第一绕组架上的半圆柱形芯柱的长度大于第二绕组架上的半圆柱形芯柱的长度，且第一绕组架上的连接柱的长度与第二绕组架上的半圆柱形芯柱的长度相等，所述负极输出铜排上设有略大于半圆柱形芯柱截面的半圆形开口，第一绕组架上的半圆柱形芯柱穿过半圆形开口且与负极输出铜排不接触或绝缘，负极输出铜排同时连接第一绕组架上的连接柱、第二绕组架上的半圆柱形芯柱。进一步地，第一绕组架上的半圆柱形芯柱的长度与第二绕组架上的连接柱的长度相等。进一步地，所述第一绕组架、第二绕组架的半圆柱形芯及连接柱的端面上设有固定螺孔，所述负极输出铜排、交流输出铜排分别通过螺钉与半圆柱形芯、连接柱固定连接。进一步地，所述第一绕组架、第二绕组架为T2紫铜材质，且由铜材整体经机加工成型，并在表面进行阳极氧化防腐和加强导电工艺处理。进一步地，所述纳米非晶磁芯为圆环状，所述第一绕组架、第二绕组架的连接柱的内侧面为弧形面。本技术的E字型风冷高频变压器，通过第一绕组架、第二绕组架上的半圆柱形芯柱代替二次线圈，最大化的利用了纳米非晶磁芯的有效空间，绕组排布均匀，磁通量利用率高；使二次线圈线径的截面积最大化，降低了电流密度，降低了使用时的温度，提高了变压器的稳定性和使用寿命。附图说明图1是本技术实施例中绕组架的结构示意图。图2是本技术实施例中E字型风冷高频变压器的整体机构示意图。图3是本技术实施例中E字型风冷高频变压器的立体状态示意图。具体实施方式为了便于理解本技术，下文将结合说明书附图和较佳的实施例对本技术作更全面、细致地描述，但本技术的保护范围并不限于以下具体的实施例。如图1—图3所示，本实施例的一种E字型风冷高频变压器，包括绕组架、纳米非晶磁芯6，所述绕组架由第一绕组架1、第二绕组架3组合而成，第一绕组架1、第二绕组架3连接处由绝缘材料2隔开，绕组架截面整体呈E型，绕组架中间为由第一绕组架1和第二绕组架3上的半圆柱形芯柱5拼接而成的圆柱形芯柱，第一绕组架1的上部及第二绕组架3下部均设有连接柱4，在绕组架上形成以芯柱为中心的环形凹槽，所述纳米非晶磁芯6为圆环状，纳米非晶磁芯6套在芯柱上并置于环形凹槽内，所述第一绕组架1、第二绕组架3的连接柱4的内侧面为弧形面，在纳米非晶磁芯6上绕有一次线圈。所述第一绕组架1上的半圆柱形芯柱5的长度大于第二绕组架3上的半圆柱形芯柱5的长度，且第一绕组架1上的连接柱4的长度与第二绕组架3上的半圆柱形芯柱5的长度相等，第一绕组架1上的半圆柱形芯柱5的长度与第二绕组架3上的连接柱4的长度相等。第一绕组架1、第二绕组架3的半圆柱形芯及连接柱4的端面上设有固定螺孔。第一绕组架1上的连接柱4、第二绕组架3上的半圆柱形芯柱5均通过螺钉连接负极输出铜排7，第一绕组架1上的半圆柱形芯柱5、第二绕组架3上的连接柱4分别通过螺钉连接交流输出铜排8。本实施例中，负极输出铜排7上设有略大于半圆柱形芯柱5截面的半圆形开口，第一绕组架1上的半圆柱形芯柱5穿过半圆形开口且与负极输出铜排7不接触或绝缘，负极输出铜排7同时连接第一绕组架1上的连接柱4、第二绕组架3上的半圆柱形芯柱5。所述第一绕组架1、第二绕组架3为T2紫铜材质，且由铜材整体经机加工成型，并在表面进行阳极氧化防腐和加强导电工艺处理。在前述说明书与相关附图中存在的教导的帮助下，本技术所属领域的技术人员将会想到本技术的许多修改和其它实施方案。因此，要理解的是，本技术不限于公开的具体实施方案，修改和其它实施方案被认为包括在所附权利要求的范围内。尽管本文中使用了特定术语，它们仅以一般和描述性意义使用，而不用于限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种E字型风冷高频变压器，包括绕组架、纳米非晶磁芯（6），其特征在于：所述绕组架由第一绕组架（1）、第二绕组架（3）组合而成，第一绕组架（1）、第二绕组架（3）连接处由绝缘材料（2）隔开，绕组架截面整体呈E型，绕组架中间为由第一绕组架（1）和第二绕组架（3）上的半圆柱形芯柱（5）拼接而成的圆柱形芯柱，第一绕组架（1）的上部及第二绕组架（3）下部均设有连接柱（4），在绕组架上形成以芯柱为中心的环形凹槽，所述纳米非晶磁芯（6）套在芯柱上并置于环形凹槽内，在纳米非晶磁芯（6）上绕有一次线圈，第一绕组架（1）上的连接柱（4）、第二绕组架（3）上的半圆柱形芯柱（5）均连接负极输出铜排（7），第一绕组架（1）上的半圆柱形芯柱（5）、第二绕组架（3）上的连接柱（4）分别连接交流输出铜排（8）。/n

【技术特征摘要】
1.一种E字型风冷高频变压器，包括绕组架、纳米非晶磁芯（6），其特征在于：所述绕组架由第一绕组架（1）、第二绕组架（3）组合而成，第一绕组架（1）、第二绕组架（3）连接处由绝缘材料（2）隔开，绕组架截面整体呈E型，绕组架中间为由第一绕组架（1）和第二绕组架（3）上的半圆柱形芯柱（5）拼接而成的圆柱形芯柱，第一绕组架（1）的上部及第二绕组架（3）下部均设有连接柱（4），在绕组架上形成以芯柱为中心的环形凹槽，所述纳米非晶磁芯（6）套在芯柱上并置于环形凹槽内，在纳米非晶磁芯（6）上绕有一次线圈，第一绕组架（1）上的连接柱（4）、第二绕组架（3）上的半圆柱形芯柱（5）均连接负极输出铜排（7），第一绕组架（1）上的半圆柱形芯柱（5）、第二绕组架（3）上的连接柱（4）分别连接交流输出铜排（8）。


2.如权利要求1所述的一种E字型风冷高频变压器，其特征在于：所述第一绕组架（1）上的半圆柱形芯柱（5）的长度大于第二绕组架（3）上的半圆柱形芯柱（5）的长度，且第一绕组架（1）上的连接柱（4）的长度与第二绕组架（3）上的半圆柱形芯柱（5）的长度相等，所述负极输出铜排（7）上设有略大于半圆柱形芯柱...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭委琪，
申请(专利权)人：湘潭方正电气成套设备有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43