半导体元件被覆用玻璃以及使用其的半导体被覆用材料制造技术

本发明专利技术的半导体元件被覆用玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有SiO

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体元件被覆用玻璃以及使用其的半导体被覆用材料
本专利技术涉及半导体元件被覆用玻璃以及使用其的半导体被覆用材料。
技术介绍
对于硅二极管、晶体管等半导体元件而言，通常，半导体元件的包含P-N结部的表面被玻璃被覆。由此，能够实现半导体元件表面的稳定化，抑制经时的特性劣化。作为半导体元件被覆用玻璃所要求的特性，可举出：(1)热膨胀系数适合半导体元件的热膨胀系数，以使得不产生因与半导体元件的热膨胀系数差而导致的裂缝等；(2)为了防止半导体元件的特性劣化而能够于低温(例如900℃以下)进行被覆；(3)不含对半导体元件表面带来不良影响的碱成分等杂质；等等。以往，作为半导体元件被覆用玻璃，已知ZnO-B2O3-SiO2系等锌系玻璃、PbO-SiO2-Al2O3系玻璃、PbO-SiO2-Al2O3-B2O3系玻璃等铅系玻璃，现在，从操作性的观点出发，PbO-SiO2-Al2O3系玻璃、PbO-SiO2-Al2O3-B2O3系玻璃等铅系玻璃成为主流(例如，参照专利文献1～4)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开昭本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件被覆用玻璃，其特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有SiO

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181004 JP 2018-1891561.一种半导体元件被覆用玻璃，其特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有SiO218％～43％、B2O35％～21％、Al2O38％～21％、ZnO10％～25％、MgO+CaO10％～25％，且实质上不含铅成分。

【专利技术属性】
技术研发人员：广濑将行，
申请(专利权)人：日本电气硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP