【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造微结构的方法本专利技术涉及一种用于在衬底中制造具有膜状的、跨接式或悬伸式的面的微结构、尤其MEMS和MOEMS(微机电系统和微光机电系统)的方法,所述面是由于通过蚀刻过程导致的材料弱化、通过材料去除来在衬底中产生凹空(腔)而获得的。这类微结构例如作为基于这样的微机电系统(MEMS)的压力检测装置或麦克风已知,其中,提供跨接式结构,跨接式结构作为膜构成微机械系统的基础。因此,重要的方面是有针对性的材料弱化,通过该材料弱化提供易弯曲的面。因此,悬伸式或跨接式的结构最佳地适合于麦克风或传感器。在实践中,目前几乎唯一使用的用于制造这样的结构的方法是深反应离子刻蚀(英文:deepreactiveionetching,缩写:DRIE),该方法可实现受控的去除,以便将层厚度减小至希望的残留厚度。该方法目前只能与硅结合使用,这导致高的材料成本。例如,专利文献US4,236,137A公开了一种半导体测压传感器。此外,专利文献US5,178,016A和US6,093,579A公开了半导体压力传感器。专利文献DE102017216418A1涉及一种具有加长的浅多边形腔的压力检测装置、尤其基于微机械系统(MEMS)的压力检测装置。该压力检测装置具有硅载体衬底、在硅载体衬底的上侧中形成的加长的浅多边形腔、嵌入的二氧化硅层、形成在该二氧化硅层上的装置层以及至少四个结合片,这些结合片在装置层的上侧中形成并且布置在该上侧上。该至少四个结合片与加长的浅多边形腔隔开。更准确地说,至少四个结合片与加长的浅多边形腔如此隔开,使得这些结合片不与加长的浅 ...
【技术保护点】
1.一种用于在衬底(1)中制造具有膜状的、跨接式或悬伸式的面(2)的微结构的方法,所述面是由于通过蚀刻过程导致的材料弱化、通过材料去除来在衬底(1)中产生凹空(3)而获得的,其特征在于,在通过由玻璃、尤其石英玻璃构成的衬底(1)形成的玻璃衬底中制造所述微结构,方式是:在第一步骤中,将修饰部(4)借助于激光辐射沿着优选环形闭合的周围轮廓引入衬底(1)中,并且将至少一个膜层(7)面状地施加到衬底(1)上来制造跨接式或悬伸式的面(2),其中,在衬底(1)和膜层(7)之间将牺牲层(6)至少包围在包围所述修饰部(4)的周围轮廓(5)的局部面中,其中,随后使衬底(1)的背离膜层(7)的一侧受到蚀刻作用,通过该蚀刻作用主要沿着激光修饰的区域的周围轮廓(5)进行材料去除,直至达到牺牲层(6),从而导致牺牲层(6)的溶解或减少,并且最终导致衬底(1)的被周围轮廓(5)包围的轮廓的连接部从周围的衬底(1)以及从膜层(7)分离。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180809 DE 102018119405.6;20190320 DE 102019107111.一种用于在衬底(1)中制造具有膜状的、跨接式或悬伸式的面(2)的微结构的方法,所述面是由于通过蚀刻过程导致的材料弱化、通过材料去除来在衬底(1)中产生凹空(3)而获得的,其特征在于,在通过由玻璃、尤其石英玻璃构成的衬底(1)形成的玻璃衬底中制造所述微结构,方式是:在第一步骤中,将修饰部(4)借助于激光辐射沿着优选环形闭合的周围轮廓引入衬底(1)中,并且将至少一个膜层(7)面状地施加到衬底(1)上来制造跨接式或悬伸式的面(2),其中,在衬底(1)和膜层(7)之间将牺牲层(6)至少包围在包围所述修饰部(4)的周围轮廓(5)的局部面中,其中,随后使衬底(1)的背离膜层(7)的一侧受到蚀刻作用,通过该蚀刻作用主要沿着激光修饰的区域的周围轮廓(5)进行材料去除,直至达到牺牲层(6),从而导致牺牲层(6)的溶解或减少,并且最终导致衬底(1)的被周围轮廓(5)包围的轮廓的连接部从周围的衬底(1)以及从膜层(7)分离。
2.一种用于在尤其由石英玻璃构成的玻璃衬底中制造具有膜状的、跨接式或悬伸式的面(2)的微结构的方法,所述面是由于通过蚀刻过程导致的材料弱化、通过材料去除来在玻璃衬底中产生至少一个凹空(3)而获得的,所述方法具有以下方法步骤:
·将修饰部(4)借助于激光辐射沿着至少一个优选环形闭合的周围轮廓(5)引入玻璃衬底中;
·在包围所述修饰部(4)的周围轮廓(5)的第一区域中,将牺牲层(6)施加到玻璃衬底上;
·在包围第一区域的第二区域中,将膜层(7)施加到所述牺牲层(6)上;
·从玻璃衬底的背离膜层(7)的一侧对玻璃衬底进行蚀刻,从而材料去除至少基本上沿着激光修饰的区域的修饰部的周围轮廓(5)进行,直至达到牺牲层(6),从而导致牺牲层(6)的溶解或减少,并且最终导致玻璃衬底(1)的被周围轮廓(5)包围的轮廓的连接部从周围的玻璃衬底(1)以及从膜层(7)分离。
3.根据前述权利要求中至少一项所述的方法,其特征在于,在借助于激光辐射将所述修饰部(4)引入玻璃衬底中之后,首先使玻璃衬底的至少一个外表面受到蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员:R奥斯索尔特,N阿姆布罗西乌斯,
申请(专利权)人:LPKF激光电子股份公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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