用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构及滤波器制造技术

本发明专利技术涉及声表面波滤波器，具体涉及用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构及滤波器，DMS结构包括五阶谐振结构和两个反射栅，第一反射栅与部分谐振结构的地极连接、第二反射栅与部分谐振结构的地极连接，其他谐振结构单独接地；或者所述第一反射栅和第二反射栅共地且与部分谐振结构地极连接，其他谐振结构单独接地，其他谐振结构单独接地，地信号之间形成电位差，既能保证通带性能，又可以提高带外抑制。

【技术实现步骤摘要】
用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构及滤波器
本专利技术属于声表面波滤波器，具体涉及用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构及滤波器。
技术介绍
设计声表滤波器主要有梯形结构与DMS型滤波器，其中DMS型滤波器在低端抑制和体积方面表现较优，因此被广泛应用于滤波器设计之中。在保证通带性能的前提下需要有良好的带外抑制，提高滤波器的使用性能提升其带外抑制和保证通带性能尤为重要。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，以解决上述问题：DMS结构包括五阶谐振结构和两个反射栅，第一反射栅与部分谐振结构的地极连接、第二反射栅与部分谐振结构的地极连接，其他谐振结构单独接地；或者所述第一反射栅和第二反射栅共地且与部分谐振结构地极连接，其他谐振结构单独接地。优选的，所述第一反射栅与第二阶谐振结构地极连接，所述第二反射栅与第五阶谐振结构地极连接。优选的，所述第一反射栅与第二阶谐振结构地极、第四阶谐振结构地极连接，所述第二反射栅与第三阶谐振结构地极、第五阶谐振结构地极连接。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，其特征在于：DMS结构包括五阶谐振结构和两个反射栅，第一反射栅与部分谐振结构的地极连接、第二反射栅与部分谐振结构的地极连接，其他谐振结构单独接地；或者所述第一反射栅和第二反射栅共地且与部分谐振结构地极连接，其他谐振结构单独接地。/n

【技术特征摘要】
1.用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，其特征在于：DMS结构包括五阶谐振结构和两个反射栅，第一反射栅与部分谐振结构的地极连接、第二反射栅与部分谐振结构的地极连接，其他谐振结构单独接地；或者所述第一反射栅和第二反射栅共地且与部分谐振结构地极连接，其他谐振结构单独接地。


2.根据权利要求1所述的用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，其特征在于：所述第一反射栅与第二阶谐振结构地极连接，所述第二反射栅与第五阶谐振结构地极连接。


3.根据权利要求1所述的用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，其特征在于：所述第一反射栅与第二阶谐振结构地极、第四阶谐振结构地极连接，所述第二反射栅与第三阶谐振结构地极、第五阶谐振结构地极连接。


4.根据权利要求1所述的用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，其特征在于：所述第一反射栅和第二反射栅连接、且与第一阶谐振...

【专利技术属性】
技术研发人员：安虹瑾，董元旦，杨涛，安建光，赵孟娟，
申请(专利权)人：成都频岢微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51