【技术实现步骤摘要】
一种复合纳米材料及对应的新型纳米涂层
本专利技术涉及新材料科技
,具体为一种复合纳米材料及对应的新型纳米涂层。
技术介绍
传统等离子粉末喷涂制备的保护涂层受限于涂层孔隙率的影响涂层使用寿命有限,随着半导体加工技术的不断提高,传统粉末喷涂很难满足高阶半导体工艺制备过程中的要求,目前常规的耐等离子体轰击的材料有氧化钛,氧化铝,氧化钇等,其中氧化钇材料为目前主流的设备保护材料,常规的制备工艺是将氧化钇的微米粉末通过传统的送粉设备送入等离子枪体内进行加热,并最终喷涂到工件的表面,由于涂层是微米粉末制备所以涂层的孔隙率很高,设备内的刻蚀气体会通过这些空隙加速对保护涂层的侵蚀作用,这样带来的结果就是:1.由于刻蚀反应可能会剥离涂层,使原本洁净的设备腔室受到污染,并且污染到产品,产品受到污染后就不能再使用。2.即使涂层剥落下的颗粒被设备本身的自洁系统清除掉,但也因为涂层本身的孔隙虽短了设备部件的使用寿命,而采用PVD镀膜工艺虽然能够大幅提高涂层的孔隙率但因制备价格非常昂贵,并且制备的涂层厚度很有限,虽能短时间内对设备基材进行很好的保护,但是由于其自身厚度有限,在较短的使用时间内就需要更换,为此我们提出一种复合纳米材料及对应的新型纳米涂层用于解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种复合纳米材料及对应的新型纳米涂层,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种复合纳米材料,制备方法如下:S11、含钇类卤素化合物的制备将高纯含钇类卤素 ...
【技术保护点】
1.一种复合纳米材料,其特征在于,制备方法如下:/nS11、含钇类卤素化合物的制备/n将高纯含钇类卤素化合物原料放入纳米卧式砂磨机内,进行研磨,将研磨后的浆料注入比例为1:250的粘结试剂,放入低温搅拌桶搅拌,并通过蠕动泵将浆料注入造粒塔造粒、分离获得高纯含钇类卤素化合颗粒,将颗粒物放至入低温烤箱内排除粘接试剂,烘烤成品后将其倒入纯水中进行搅拌,并倒入尼龙滤网内,将滤除颗粒物小于7微米以下的颗粒物液体保留待用;/nS12、氧化钇原料与含铝氧化物原料的制备/n将氧化钇原料和含铝氧化物原料按照60:40的质量比例倒入纳米卧式砂磨机内研磨,并在研磨过程中加入比例为1:180的分散试剂,待研磨后颗粒粒径到达500纳米至800纳米的时候停止研磨;/nS13、原料混合/n将氧化钇原料与含铝氧化物原料的化合物与含钇类卤素化合物按照5:1的体积比例混合倒入搅拌桶内,以60转/分的速度进行混合搅拌,并加入中和试剂,搅拌时间30分钟,搅拌完后再次加入比例为1:250的颗粒分散试剂,继续搅拌5分钟,制得复合纳米材料混合物浆料,并装入玻璃容器内待用。/n
【技术特征摘要】
1.一种复合纳米材料,其特征在于,制备方法如下:
S11、含钇类卤素化合物的制备
将高纯含钇类卤素化合物原料放入纳米卧式砂磨机内,进行研磨,将研磨后的浆料注入比例为1:250的粘结试剂,放入低温搅拌桶搅拌,并通过蠕动泵将浆料注入造粒塔造粒、分离获得高纯含钇类卤素化合颗粒,将颗粒物放至入低温烤箱内排除粘接试剂,烘烤成品后将其倒入纯水中进行搅拌,并倒入尼龙滤网内,将滤除颗粒物小于7微米以下的颗粒物液体保留待用;
S12、氧化钇原料与含铝氧化物原料的制备
将氧化钇原料和含铝氧化物原料按照60:40的质量比例倒入纳米卧式砂磨机内研磨,并在研磨过程中加入比例为1:180的分散试剂,待研磨后颗粒粒径到达500纳米至800纳米的时候停止研磨;
S13、原料混合
将氧化钇原料与含铝氧化物原料的化合物与含钇类卤素化合物按照5:1的体积比例混合倒入搅拌桶内,以60转/分的速度进行混合搅拌,并加入中和试剂,搅拌时间30分钟,搅拌完后再次加入比例为1:250的颗粒分散试剂,继续搅拌5分钟,制得复合纳米材料混合物浆料,并装入玻璃容器内待用。
2.根据权利要求1所述的一种复合纳米材料,其特征在于:所述高纯含钇类卤素化合物原料、氧化钇原料和含铝氧化物原料为直接购买的纯度为99.995%的精炼原料,所述高纯含钇类卤素化合物原料的颗粒大小1微米-5微米,所述氧化钇原料的颗粒大小1微米-5微米,所述含铝氧化物原料为含铝65%和含35%稀土元素的化合物,颗粒大小为1微米-3微米。
3.根据权利要求1所述的一种复合纳米材料,其特征在于:步骤S11中,高纯含钇类卤素化合物原料在纳米卧式砂磨机内研磨分两个阶段,以研磨沙砾颗粒直径3000微米的氧化铝颗粒研磨240分钟,取出浆料并将其倒入另一台,以研磨沙砾颗粒直径1000微米的氧化锆颗粒中研磨120分钟,并在研磨过程中加入比例为1:150的分散试剂进行颗粒分散。
4.根据权利要求1所述的一种复合纳米材料,其特征在于:步骤S11中,研磨后的浆料注入比例为1:250的粘结试剂,放入低温搅拌桶,此时固体颗粒物的直径在150纳米至400纳米范围内,搅拌温度为5℃-8℃;造粒塔内,造粒鼓风温度为95℃,蠕动泵流量为50ml/min,通过旋风分离获得高纯含钇类卤素化合颗粒粒径...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈长,王成杰,
申请(专利权)人:苏州艾美科新材料技术有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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