数据处理方法、装置、存储介质及处理器制造方法及图纸

本申请公开了一种数据处理方法、装置、存储介质及处理器。该方法包括：接收数据读取命令，并基于数据读取命令确定待读取数据的存储地址，其中，存储地址为固态硬盘的闪存阵列中的地址；在存储地址下存在异常数据的情况下，确定异常数据所在的目标逻辑存储单元，其中，逻辑存储单元由闪存阵列的每个闪存单元中相同序列的块中的相同序列的线位单元构成；基于目标逻辑存储单元中存储的数据，对存储地址下存储的数据进行校正，得到校正后的数据；将校正后的数据发送至主机。通过本申请，解决了相关技术中固态硬盘的保护方案中采用较大存储空间存储纠错检验数据，固态硬盘的可用存储空间较小的问题。

【技术实现步骤摘要】
数据处理方法、装置、存储介质及处理器
本申请涉及固态硬盘
，具体而言，涉及一种数据处理方法、装置、存储介质及处理器。
技术介绍
目前，固态硬盘已经被广泛应用于各种数据读取场景之中，随着固态硬盘存储数据的爆发式增长，保证用户数据安全成为固态硬盘的关键。随着固态硬盘所使用的存储介质nand闪存制造工艺的进步，nand闪存的类型已经从SLC(sing-levelcell，单层次存储单元)、MLC(multi-levelcell，双层次存储单元)、TLC(triple-levelcell，三层次存储单元)变化为QLC(quad-levelcell，四层次存储单元)类型。随着nand闪存类型的变化，nand闪存的存储密度越来越高，容量越来越大，同时，nand闪存的可靠性却越来越差，表现为数据出错率越来越高。在相关技术中，为了满足用户数据的可靠性需求，固态硬盘内部控制程序(firmware)提供了各种级别的数据保护策略。具体地，firmware首先会对用户数据进行ECC校验(错误检查和纠正校验)，对于校验失败的数据，会使用nand闪存厂商提供的readretry(读取重试)功能重新从nand闪存读取数据，在一些固态硬盘中，固态硬盘控制器还会对readretry纠错失败的数据进行进一步的LDPC(低密度奇偶检验)软解码纠错。但是，随着nand闪存的更新换代，对数据纠错的要求越来越高，尤其当nand介质来到TLC和QLC时代的时候，上述数据保护机制已经难以满足用户数据安全的需求。为了进一步满足用户数据安全的需求，相关技术中出现了通过固态硬盘的部分存储空间存储用来纠错的数据，提高了数据纠错率，但是使得固态硬盘的实际可用空间将大大减少。针对相关技术中固态硬盘的保护方案中采用较大存储空间存储纠错检验数据，固态硬盘的可用存储空间较小的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
本申请提供一种数据处理方法、装置、存储介质及处理器，以解决相关技术中固态硬盘的保护方案中采用较大存储空间存储纠错检验数据，固态硬盘的可用存储空间较小的问题。根据本申请的一个方面，提供了一种数据处理方法。该方法包括：接收数据读取命令，并基于数据读取命令确定待读取数据的存储地址，其中，存储地址为固态硬盘的闪存阵列中的地址；在存储地址下存在异常数据的情况下，确定异常数据所在的目标逻辑存储单元，其中，逻辑存储单元由闪存阵列的每个闪存单元中相同序列的块中的相同序列的线位单元构成，逻辑存储单元中包括用于存储原始数据的第一线位单元和用于存储校验数据的第二线位单元，校验数据为所有第一线位单元存储的原始数据的逻辑计算的结果；基于目标逻辑存储单元中存储的数据，对存储地址下存储的数据进行校正，得到校正后的数据；将校正后的数据发送至主机。可选地，在存储地址下存在异常数据的情况下，确定异常数据所在的目标逻辑存储单元包括：确定异常数据在闪存阵列中对应的目标线位单元，并确定目标线位单元所属的目标逻辑存储单元。可选地，基于目标逻辑存储单元中存储的数据，对存储地址下存储的数据进行校正，得到校正后的数据包括：确定逻辑计算对应的反向逻辑计算；对第一线位单元存储的多个原始数据以及第二线位单元存储的校验数据执行反向逻辑计算，得到异常数据对应的目标原始数据；将存储地址下存储的数据中的异常数据替换为目标原始数据，得到校正后的待读取数据。可选地，在存储地址下存在异常数据的情况下，确定异常数据所在的目标逻辑存储单元之前，该方法还包括：获取闪存阵列的每个闪存单元中相同序列的块中的相同线位单元，得到多组线位单元，其中，每组线位单元中包含不同闪存单元中的线位单元；在每组线位单元包含的多个线位单元中分别确定多个预设线位单元，并基于多个预设线位单元确定逻辑存储单元，其中，逻辑存储单元中包括多个第一线位单元和一个第二线位单元，第二线位单元为逻辑存储单元中的最后一个线位单元。可选地，在每组线位单元包含的多个线位单元中分别确定多个预设线位单元，并基于多个预设线位单元确定逻辑存储单元包括：将一组线位单元中的每个线位单元均确定为预设线位单元，并基于多个预设线位单元确定逻辑存储单元。可选地，在每组线位单元包含的多个线位单元中分别确定多个预设线位单元，并基于多个预设线位单元确定逻辑存储单元包括：将一组线位单元中的多个线位单元中奇数序列的线位单元确定为第一预设线位单元，得到多个第一预设线位单元，并基于多个第一预设线位单元确定第一逻辑存储单元；将一组线位单元中的多个线位单元中偶数序列的线位单元确定为第二预设线位单元，得到多个第二预设线位单元，并基于多个第二预设线位单元确定第二逻辑存储单元。可选地，在每组线位单元包含的多个线位单元中分别确定多个预设线位单元，并基于多个预设线位单元确定逻辑存储单元包括：确定存在相互干扰现象的相邻线位单元的个数；以相邻线位单元的个数为单位，对一组线位单元中的多个线位单元依次进行切分，得到多个线位单元集合；将每个线位单元集合中相同序列的线位单元确定为预设线位单元，得到多组预设线位单元，并基于每组预设线位单元分别确定一个逻辑存储单元，其中，一组预设线位单元中包含不同线位单元集合中的线位单元。根据本申请的另一方面，提供了一种数据处理装置。该装置包括：接收单元，用于接收数据读取命令，并基于数据读取命令确定待读取数据的存储地址，其中，存储地址为固态硬盘的闪存阵列中的地址；第一确定单元，用于在存储地址下存在异常数据的情况下，确定异常数据所在的目标逻辑存储单元，其中，逻辑存储单元由闪存阵列的每个闪存单元中相同序列的块中的相同序列的线位单元构成，逻辑存储单元中包括用于存储原始数据的第一线位单元和用于存储校验数据的第二线位单元，校验数据为所有第一线位单元存储的原始数据的逻辑计算的结果；校正单元，用于基于目标逻辑存储单元中存储的数据，对存储地址下存储的数据进行校正，得到校正后的数据；发送单元，用于将校正后的数据发送至主机。根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种非易失性存储介质，非易失性存储介质包括存储的程序，其中，程序运行时控制非易失性存储介质所在的设备执行一种数据处理方法。根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种电子装置，包含处理器和存储器；存储器中存储有计算机可读指令，处理器用于运行计算机可读指令，其中，计算机可读指令运行时执行一种数据处理方法。通过本申请，采用以下步骤：接收数据读取命令，并基于数据读取命令确定待读取数据的存储地址，其中，存储地址为固态硬盘的闪存阵列中的地址；在存储地址下存在异常数据的情况下，确定异常数据所在的目标逻辑存储单元，其中，逻辑存储单元由闪存阵列的每个闪存单元中相同序列的块中的相同序列的线位单元构成，逻辑存储单元中包括用于存储原始数据的第一线位单元和用于存储校验数据的第二线位单元，校验数据为所有第一线位单元存储的原始数据的逻辑计算的结果；基于目标逻辑存储单元中存储的数据，对存储地址下存储的数据进行校正，得到校正后的数据；将校正后的数据发送至主机，解决了相关技术中固态硬盘的保护方案中采用较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种数据处理方法，其特征在于，包括：/n接收数据读取命令，并基于所述数据读取命令确定待读取数据的存储地址，其中，所述存储地址为固态硬盘的闪存阵列中的地址；/n在所述存储地址下存在异常数据的情况下，确定所述异常数据所在的目标逻辑存储单元，其中，逻辑存储单元由所述闪存阵列的每个闪存单元中相同序列的块中的相同序列的线位单元构成，所述逻辑存储单元中包括用于存储原始数据的第一线位单元和用于存储校验数据的第二线位单元，所述校验数据为所有所述第一线位单元存储的原始数据的逻辑计算的结果；/n基于所述目标逻辑存储单元中存储的数据，对所述存储地址下存储的数据进行校正，得到校正后的数据；/n将所述校正后的数据发送至主机。/n

【技术特征摘要】
1.一种数据处理方法，其特征在于，包括：
接收数据读取命令，并基于所述数据读取命令确定待读取数据的存储地址，其中，所述存储地址为固态硬盘的闪存阵列中的地址；
在所述存储地址下存在异常数据的情况下，确定所述异常数据所在的目标逻辑存储单元，其中，逻辑存储单元由所述闪存阵列的每个闪存单元中相同序列的块中的相同序列的线位单元构成，所述逻辑存储单元中包括用于存储原始数据的第一线位单元和用于存储校验数据的第二线位单元，所述校验数据为所有所述第一线位单元存储的原始数据的逻辑计算的结果；
基于所述目标逻辑存储单元中存储的数据，对所述存储地址下存储的数据进行校正，得到校正后的数据；
将所述校正后的数据发送至主机。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述存储地址下存在异常数据的情况下，确定所述异常数据所在的目标逻辑存储单元包括：
确定所述异常数据在所述闪存阵列中对应的目标线位单元，并确定所述目标线位单元所属的所述目标逻辑存储单元。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述目标逻辑存储单元中存储的数据，对所述存储地址下存储的数据进行校正，得到校正后的数据包括：
确定所述逻辑计算对应的反向逻辑计算；
对所述第一线位单元存储的多个原始数据以及所述第二线位单元存储的校验数据执行所述反向逻辑计算，得到所述异常数据对应的目标原始数据；
将所述存储地址下存储的数据中的所述异常数据替换为所述目标原始数据，得到所述校正后的待读取数据。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述存储地址下存在异常数据的情况下，确定所述异常数据所在的目标逻辑存储单元之前，所述方法还包括：
获取所述闪存阵列的每个闪存单元中相同序列的块中的相同线位单元，得到多组线位单元，其中，每组线位单元中包含不同闪存单元中的线位单元；
在所述每组线位单元包含的多个线位单元中分别确定多个预设线位单元，并基于所述多个预设线位单元确定所述逻辑存储单元，其中，所述逻辑存储单元中包括多个所述第一线位单元和一个所述第二线位单元，所述第二线位单元为所述逻辑存储单元中的最后一个线位单元。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述每组线位单元包含的多个线位单元中分别确定多个预设线位单元，并基于所述多个预设线位单元确定所述逻辑存储单元包括：
将一组线位单元中的每个线位单元均确定为所述预设线位单元，并基于所述多个预设线位单元确定所述逻辑存储单元。

【专利技术属性】
技术研发人员：柳擎，吴彬，尚召，陈磊，
申请(专利权)人：北京泽石科技有限公司，泽石科技武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11