一种聚乙烯抗静电母粒及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种抗静电母粒，特别是一种聚乙烯抗静电母粒及其制备方法。按重量百分比计，所述聚乙烯抗静电母粒的原料包括：线型低密度聚乙烯粉末70‑80%，抗静电剂8‑18%，助剂8‑14%，经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝3‑8%，原料的百分含量之和为100%。选择合适的抗静电母粒的原料并结合聚乙烯抗静电母粒的制备方法，选择合适的工艺参数后，将制备的母粒用于薄膜生产，采用本发明专利技术的母粒制备的薄膜同时具有良好的透过率和抗静电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种聚乙烯抗静电母粒及其制备方法
本专利技术涉及一种抗静电母粒，特别是一种聚乙烯抗静电母粒及其制备方法。
技术介绍
聚乙烯是由乙烯单体自由聚合形成的聚合物，缩写为PE（polyethylene)。聚乙烯使用时对周围环境和人体无毒、无害，因而被广泛用于化工材料、机器制造、食品加工等方面。其中线型低密度聚乙烯（LLDPE）熔融温度较高，且热稳定、强度、加工性、光泽度良好，常用于购物袋、食品包装等薄膜制品中。现有线型低密度聚乙烯电绝缘性较高，在薄膜加工或使用时由于摩擦、挤压等产生静电荷，静电荷的聚集容易造成吸尘、电击等问题，限制了其使用范围。包装行业对薄膜的透明度也提出了越来越高的要求，制备出抗静电性能良好且光学性能优异的薄膜是急待解决的问题。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的之一在于提供一种聚乙烯抗静电母粒；本专利技术的目的之二在于提供一种聚乙烯抗静电母粒的制备方法，以制备出抗静电性能良好且光学性能优异的薄膜。为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种聚乙烯抗静电母粒，其特征在于，按重量百分比计，所述聚乙烯抗静电母粒的原料包括：线型低密度聚乙烯粉末70-80%，抗静电剂8-18%，助剂8-14%，经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝3-8%，原料的百分含量之和为100%。优选地，所述的线型低密度聚乙烯为DFDA7042。优选地，所述的抗静电剂为抗静电剂SN或ECH抗静电剂。优选地，所述的抗静电剂为ECH抗静电剂，其含量为12-15%。优选地，经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝含量为5-6%，经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝的是采用8wt.%的钛酸酯偶联剂对纳米氧化铝进行改性后得到。改性的纳米氧化铝表面结构发生变化，与聚乙烯更为匹配。抗静电剂与适当加入改性的纳米氧化铝等起协同作用，保证了用聚乙烯抗静电母粒及聚乙烯制备得到的薄膜的抗静电、光学等性能。本专利技术还涉及一种如上所述的聚乙烯抗静电母粒的制备方法，包括以下步骤：按比例称取线型低密度聚乙烯粉末、抗静电剂、助剂、经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝，将所述的线型低密度聚乙烯粉末、抗静电剂、助剂、经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝在混合机中均匀混合，然后经双螺杆挤出机挤出，经冷却后干燥，再用切粒机切粒，即得聚乙烯抗静电母粒。优选地，所述混合时间为5-10分钟；双螺杆挤出机的工作段温度为140-160℃，螺杆转速为145-165r/min。优选地，双螺杆挤出机的工作段温度为145-155℃，螺杆转速为155-160r/min。工作段温度、螺杆转速影响母粒的抗静电、光学性能，最终影响到采用母粒制备薄膜的抗静电、光学性能。测试聚乙烯抗静电母粒对薄膜的抗静电、光学性能的影响。按照质量百分比，将96%的线型低密度聚乙烯DFDA7042与4%聚乙烯抗静电母粒混合均匀，制备成薄膜，进行抗静电、光学性能测试。表面电阻率按照GB/T1410-2006测试，透光率按照GB2410-1980测试。制备成的薄膜透光率在89.3-89.9%之间。薄膜抗静电性能测试温度为20℃，湿度为60%，薄膜厚度为35μm。制备得到的薄膜立刻测量，其表面电阻值为1.2-1.5×1010Ω，放置30天，其表面电阻值为7.8-9.5×108Ω，30天后薄膜的表面电阻值降低较少，基本趋于平稳。采用本专利技术的母粒可保证制备的薄膜同时具有良好的透过率和抗静电性能。本专利技术的有益效果：1、本专利技术提供了一种聚乙烯抗静电母粒，原料包括：线型低密度聚乙烯粉末70-80%，抗静电剂8-18%，助剂8-14%，经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝3-8%，改性的纳米氧化铝表面结构发生变化，与聚乙烯更为匹配。抗静电剂与适当加入改性的纳米氧化铝等起协同作用，保证了用聚乙烯抗静电母粒及聚乙烯制备得到的薄膜的抗静电、光学等性能。2、本专利技术提供的聚乙烯抗静电母粒的制备方法，母粒的成分结合合适的双螺杆挤出机的工作段温度、螺杆转速等工艺参数后，将制备的母粒用于薄膜生产，得到的薄膜透光率在89.3-89.9%之间，得到的薄膜立刻测量，其表面电阻值为1.2-1.5×1010Ω，薄膜放置30天，其表面电阻值在7.8-9.5×108Ω之间，采用本专利技术的母粒可保证制备的薄膜同时具有良好的透过率和抗静电性能。具体实施方式以下通过实施例形式的具体实施方式，对本专利技术的上述内容作进一步的详细说明。但具体实施方式本质上被认为是例示性的而非限制性的。实施例1、聚乙烯抗静电母粒的原料包括：线型低密度聚乙烯粉末70%，抗静电剂8%，助剂14%，经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝8%；线型低密度聚乙烯粉末为DFDA7042粉末，抗静电剂为抗静电剂SN；按比例称取线型低密度聚乙烯粉末、抗静电剂、助剂、经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝；将所述的线型低密度聚乙烯粉末、抗静电剂、助剂、经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝在混合机中均匀混合，混合时间为5分钟，然后经双螺杆挤出机挤出，双螺杆挤出机的工作段温度为140℃，螺杆转速为165r/min；经冷却后干燥，再用切粒机切粒，即得聚乙烯抗静电母粒。实施例2、聚乙烯抗静电母粒的原料包括：线型低密度聚乙烯粉末70%，抗静电剂18%，助剂9%，经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝3%；线型低密度聚乙烯粉末为DFDA7042粉末，抗静电剂为抗静电剂SN；按比例称取线型低密度聚乙烯粉末、抗静电剂、助剂、经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝；将所述的线型低密度聚乙烯粉末、抗静电剂、助剂、经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝在混合机中均匀混合，混合时间为5分钟，然后经双螺杆挤出机挤出，双螺杆挤出机的工作段温度为140℃，螺杆转速为165r/min；经冷却后干燥，再用切粒机切粒，即得聚乙烯抗静电母粒。实施例3、聚乙烯抗静电母粒的原料包括：线型低密度聚乙烯粉末80%，抗静电剂8%，助剂8%，经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝4%；线型低密度聚乙烯粉末为DFDA7042粉末，抗静电剂为抗静电剂SN；按比例称取线型低密度聚乙烯粉末、抗静电剂、助剂、经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝；将所述的线型低密度聚乙烯粉末、抗静电剂、助剂、经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝在混合机中均匀混合，混合时间为10分钟，然后经双螺杆挤出机挤出，双螺杆挤出机的工作段温度为160℃，螺杆转速为145r/min；经冷却后干燥，再用切粒机切粒，即得聚乙烯抗静电母粒。实施例4、聚乙烯抗静电母粒的原料包括：线型低密度聚乙烯粉末72%，抗静电剂14%，助剂9%，经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝5%；线型低密度聚乙烯粉末为DFDA7042粉末，抗静电剂为ECH抗静电。按比例称取线型低密度聚乙烯粉末、抗静电剂、助剂、经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝；将所述的线型低密度聚乙烯粉末、抗静电剂、助剂、经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝在混合机中均匀混合，混合时间为5分钟，然后经双螺杆挤出机挤出，双螺杆挤出机的工作段温度为140℃，螺杆转速为165r/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚乙烯抗静电母粒，其特征在于，按重量百分比计，所述聚乙烯抗静电母粒的原料包括：线型低密度聚乙烯粉末70-80%，抗静电剂8-18%，助剂8-14%，经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝3-8%，原料的百分含量之和为100%。/n

【技术特征摘要】
1.一种聚乙烯抗静电母粒，其特征在于，按重量百分比计，所述聚乙烯抗静电母粒的原料包括：线型低密度聚乙烯粉末70-80%，抗静电剂8-18%，助剂8-14%，经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝3-8%，原料的百分含量之和为100%。


2.根据权利要求1所述的聚乙烯抗静电母粒，其特征在于，所述的线型低密度聚乙烯为DFDA7042。


3.根据权利要求1所述的聚乙烯抗静电母粒，其特征在于，所述的抗静电剂为抗静电剂SN或ECH抗静电剂。


4.根据权利要求1所述的聚乙烯抗静电母粒，其特征在于，所述的抗静电剂为ECH抗静电剂，其含量为12-15%。


5.根据权利要求1所述的聚乙烯抗静电母粒，其特征在于，所述的经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝含量为5-6%，经钛酸酯偶联剂改性的纳米氧化铝的是采用8wt.%的钛酸酯偶联剂对纳米氧化铝进行改性后得到。


6.根据权利要求1所述的聚乙烯抗静电母粒的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓峰，
申请(专利权)人：张晓峰，
类型：发明
国别省市：河南;41