一种有机电致发光器件及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

技术编号:27618650 阅读:25 留言:0更新日期:2021-03-10 10:54
本发明专利技术公开了一种有机电致发光器件及其制备方法和显示装置,属于电子显示技术领域,该有机电致发光器件包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层和电子注入层,其中,所述空穴传输层与电子阻挡层之间设置有至少一层中间掺杂层;所述中间掺杂层包括空穴传输材料和电子阻挡材料;所述中间掺杂层中,空穴传输材料和电子阻挡材料的质量比为(40~60):(60~40)。本发明专利技术通过上述方案可提高空穴注入能力,增加激子复合区及改变复合区位置,避免漏电流的形成,可以有效提高有机电致发光器件的发光效率,进一步提高有机电致发光器件的寿命。器件的寿命。器件的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件及其制备方法和显示装置


[0001]本专利技术涉及电子显示
,具体是一种有机电致发光器件及其制备方法和显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板是一种自发光显示面板,OLED显示面板由于具有轻薄、高亮度、低功耗、宽视角、高响应速度以及宽使用温度范围等优点而越来越多地被应用于各种高性能显示领域中。
[0003]随着OLED材料的发展,满足OLED显示面板性能要求的有机材料偏向电子传输型,造成体系内电子偏多,复合区偏左,空穴传输存在积累会造成OLED显示面板寿命变短。现有技术问题描述,通过前期的经验积累,空穴传输层与电子阻挡层界面对空穴积累的程度要强于电子阻挡层和发光层界面的空穴积累,推测空穴传输层与电子阻挡层界面是影响绿光寿命偏短的关键因素。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例的目的在于提供一种有机电致发光器件,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本专利技术实施例提供如下技术方案:
[0006]一种有机电致发光器件,包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层和电子注入层,其中,所述空穴传输层与电子阻挡层之间设置有至少一层中间掺杂层;所述中间掺杂层包括空穴传输材料和电子阻挡材料;所述中间掺杂层中,空穴传输材料和电子阻挡材料的质量比为(40~60):(60~40)。
[0007]作为优选的方案,所述空穴传输材料为基于芳基胺的有机材料、导电聚合物、同时具有共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物中的至少一种。
[0008]作为优选的方案,所述空穴传输材料的结构式为HTL1~HTL8中的至少一种:
[0009][0010]作为优选的方案,所述电子阻挡材料为芳胺类化合物。
[0011]作为优选的方案,所述空穴传输材料的结构式为EBL1~EBL8中的至少一种:
[0012][0013]作为优选的方案,所述中间掺杂层的厚度为10~30nm。
[0014]本专利技术实施例的另一目的在于提供一种上述的有机电致发光器件的制备方法,其包括以下步骤:
[0015]取一带有阳极的基板,并在阳极上蒸镀空穴注入材料,以形成空穴注入层;
[0016]在空穴注入层上蒸镀空穴传输材料,以形成空穴传输层;
[0017]在空穴传输层上按照(40~60):(60~40)的质量比混合蒸镀空穴传输材料和电子阻挡材料,以形成中间掺杂层;
[0018]在中间掺杂层上蒸镀电子阻挡材料,以形成电子阻挡层;
[0019]在电子阻挡层上混合蒸镀发光主体材料和掺杂材料,以形成发光层;
[0020]在发光层上蒸镀电子传输材料,以形成电子传输层;
[0021]在电子传输层上蒸镀电子注入材料,以形成电子注入层;
[0022]在电子注入层上蒸镀阴极材料,以形成阴极,得到所述有机电致发光器件。
[0023]需要说明的是,上述阳极所采用的阳极材料,通常优选具有大功函数的材料使得空穴顺利注入有机材料层。在本
技术实现思路
中能够使用的阳极材料的具体实例包括:金属,例如钒、铬、铜、锌和金,或其合金;金属氧化物,例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO);金属和氧化物的组合,例如ZnO:Al或SnO2:Sb;导电聚合物,例如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(乙烯-1,2-二氧)噻吩](PE DOT)、聚吡咯和聚苯胺,但不限于此。
[0024]空穴注入材料是有利地在低电压下接收来自阳极的空穴的材料,并且空穴注入材料的最高占据分子轨道(HOMO)优选地在阳极材料的功函数与周围有机材料层的HOMO之间。空穴注入材料的具体实例包括金属卟啉、低聚噻吩、基于芳基胺的有机材料、基于六腈六氮杂苯并菲的有机材料、基于喹吖啶酮的有机材料、基于苝的有机材料、蒽醌、以及基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等,但不限于此,并且还可以包含能够进行p掺杂的另外的化合物。作为实施例,优选具体的化合物HIL1~HIL4。
[0025]空穴传输材料是能够接收来自阳极或空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的材料,并且具有高空穴迁移率的材料是合适的。其具体实例包括基于芳基胺的有机材料、导电聚合物、同时具有共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等,但不限于此。作为实施例我们优选了具体的化合物HTL1~HTL4。
[0026]电子阻挡层材料可选择与空穴传输层相同类型的材料。作为实施例我们优选了具体的芳胺类化合物EBL1~EBL4。
[0027]发光层包括发光主体材料和掺杂材料,二者混合质量比例为99.5:0.5~90:10。所述发光层的发光主体材料不受特别限制,可以是磷光材料、荧光材料以及延迟荧光材料;本专利技术的有机EL装置的发光层为蓝色发光材料作为发光主体材料。所述发光主体材料不受特别限制,所述材料的实例包括(但不限于):基于咔唑基团衍生物、芳基硅衍生物、芳族衍生物(蒽、芘、萘、菲、芴等衍生物)、金属络合物衍生物。作为实施例我们优选了具体的化合物EMH1~EMH4。所述掺杂材料包括荧光掺杂和磷光掺杂材料。荧光掺杂材料不受特别限制,所述荧光掺杂材料包括(但不限于):芳烃类化合物、芳胺类化合物、有机硼、硅类、咔唑衍生物。磷光掺杂材料不受特别限制,所述磷光掺杂材料包括(但不限于):含有金属的络合物,优选为含有金属铱的化合物。作为实施例我们优选了具体的荧光掺杂化合物EMD1~EMD4。
[0028]电子传输层可以起到促进电子传输的作用,其所采用的电子传输材料是有利地接收来自阴极的电子并将电子传输至发光层的材料,具有高电子迁移率的材料是合适的。所述材料的实例包括(但不限于):8-羟基喹啉的Al配合物;包含Alq3的配合物;有机自由基化合物;羟基黄酮-金属配合物;含有吸电子基团的杂环化合物(邻菲啰啉、咪唑、吡啶、三唑、三嗪、喹啉等),磷氧基化合物、含硼的化合物、金属络合物等中的任一种,作为实施例优选了具体的化合物ETL1~ETL4。
[0029]空穴阻挡层为阻挡从阳极注入的空穴穿过发光层而进入阴极,由此延长器件的寿命并提高器件的效能的层。本专利技术的空穴阻挡层可设置在发光层之上。作为本专利技术有机电致发光器件的空穴阻挡层材料,可以使用现有技术中公共知的具有空穴阻挡作用的化合物,例如,浴铜灵(BCP)等菲咯啉衍生物、铝(III)双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基酚盐(BAlq)等羟基喹啉衍生物的金属络合物、各种稀土类络合物、噁唑衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物
等,但不限于此。
[0030]电子注入层可以起到促进电子注入的作用。其所采用的电子注入材料优选为这样的化合物:其具有传输电子的能力,具有来自阴极的注入电子效应,对发光层或发光材料具有优异的电子注入效应,并且除此之外,具有优异的薄膜形成能力。其具体实例包括芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、唑、二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件,包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层和电子注入层,其特征在于,所述空穴传输层与电子阻挡层之间设置有至少一层中间掺杂层;所述中间掺杂层包括空穴传输材料和电子阻挡材料;所述中间掺杂层中,空穴传输材料和电子阻挡材料的质量比为(40~60):(60~40)。2.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输材料为基于芳基胺的有机材料、导电聚合物、同时具有共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物中的至少一种。3.根据权利要求2所述的一种有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输材料的结构式为HTL1~HTL8中的至少一种:4.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件,其特征在于,所述电子阻挡材料为芳胺类化合物。5.根据权利要求4所述的一种有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输材料的结构式为EBL1~EBL8中的至少一种:

【专利技术属性】
技术研发人员:邱镇马晓宇王铁姚明明杨勇王伟哲刘长伟
申请(专利权)人:吉林奥来德光电材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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