一种中子单色器用非完美单晶片的高温成型设备制造技术

一种中子单色器用非完美单晶片的高温成型设备由加热电炉、温度控制系统、模具系统、加载系统、真空保护系统、操作台、辅助系统组成；具有在两个固定工位之间切换所需的平移和垂直升降功能；由玻璃罩与阻挡法兰形成所需的真空腔，玻璃罩一端封闭，一端通孔，通孔端朝下并处于液面之下，玻璃罩上装配有操作手套；弯曲和整平模具别置于操作台的不同工位的玻璃罩内。采用了操作手套，非完美单晶片的移位和装片可在高温的真空状态下进行，无须等至冷却至室温再进行操作，可极大地减少冷却等待和加热时间。时间。时间。

【技术实现步骤摘要】
一种中子单色器用非完美单晶片的高温成型设备


[0001]本专利技术属于一种薄片的高温成型装置，尤其涉及到一种中子单色器用非完美单晶片的高温成型设备。

技术介绍

[0002]反应堆和加速器提供的慢中子通常都具有连续的能谱，而中子散射实验须提供某个一个很窄特定波长范围的“单色中子”。利用晶体的Bragg相干散射从白光中子源，通过反射和透射来获得所需“单色中子”，这是中子散射频谱仪最常用的方法。中子单色器就是利用晶体的Bragg反射形成所需“单色中子”。因此，中子单色器是中子散射频谱仪上一种常见的中子光学组件，对频谱仪的分辨率和入射中子束强度有着重要影响，被称为中子散射频谱仪的“心脏”。为提高出射中子的强度，通常采用非完美晶体仍然是中子单色器或中子分析器的首要选择。
[0003]人工单晶是由尺寸非常小嵌镶块组成，嵌镶块内具有完美的周期分布的点阵结构，但镶嵌块之间存在厚度为几埃的无序原子层。为了获取足够的中子强度，单色器用的嵌镶晶体宽度必须匹配入射束的水平发散，约为0.3
‑
05
°
。而人工单晶的嵌镶度非常小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中子单色器用非完美单晶片的高温成型设备由加热电炉、温度控制系统、模具系统、加载系统、真空保护系统、操作台、辅助系统组成；其特征在于，加热电炉的最高加热温度不高于1350
°
，炉膛为圆柱形且炉口朝下，加热电炉具有两个固定工位之间切换所需的平移与升降或炉膛开闭功能；真空系统由玻璃罩、玻璃罩支撑板、真空泵、真空计、连接接头、管路组成；进一步，所述玻璃罩与阻挡法兰形成所需的真空腔，玻璃罩主体为圆柱体，一端为穹顶封闭，另一端为通孔，玻璃罩在处于保护状态时，玻璃罩呈立式放置并使通孔端朝下，通孔端处于操作台的水冷套箱内的玻璃罩支撑板所支撑，本工位处于工作状态时，水冷套箱内的液面始终高于玻璃罩的通孔端面，在玻璃罩的圆柱面开设有操作口，操作口装配有不透气材质的手套，手套与玻璃罩之间采用法兰+胶接的密封方式。2.根据权利要求1所述操作台，其特征在于操作台的主体为水冷套箱结构，水冷套箱开设有环形槽，环形槽下设置有玻璃罩支撑板，玻璃罩支撑板带动玻璃罩上下移动。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗奕兵，谢炜，仝永钢，余小峰，华熳煜，曹太山，
申请(专利权)人：长沙理工大学，
类型：发明
国别省市：