一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术实施例提供的选择性发射极太阳能电池的制备方法，包括：在半导体基片表面的第一区域以及第二区域形成具有若干凸起的绒面，其中，凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状；对凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，以及形成仅覆盖第一区域的第一氧化层；利用第一氧化层为掩膜再次蚀刻半导体基片表面，以将位于第二区域的凸起蚀刻形成金字塔结构，并将第二区域上的第一掺杂层经蚀刻形成掺杂浓度小于第一掺杂层的第二掺杂层。此外，本发明专利技术实施例还提供一种选择性发射极太阳能电池。本发明专利技术实施例提供的选择性发射极太阳能电池及其制备方法，减小选择性发射极太阳能电池在应用时的复合损失。择性发射极太阳能电池在应用时的复合损失。择性发射极太阳能电池在应用时的复合损失。

【技术实现步骤摘要】
一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及光伏新能源领域，特别涉及一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着光伏产业的不断发展，组件对于高效电池的需求量越来越大，尤其是对高开压电池片的需求，在高效电池的工业化生产中，选择性发射极太阳能电池被广泛的应用。选择性发射极太阳能电池的结构特征为在金属栅线接触区域形成高掺杂深扩区，在非接触区域形成低掺杂浅扩区，通过对发射区选择性掺杂，在栅线接触区和非接触区域实现不同的扩散效果，从而实现降低串联电阻，提升电池效率。
[0003]目前，在选择性发射极太阳能电池的制造过程中，对半导体基片的栅线接触区和非接触区进行扩散以形成不同的扩散效果的掺杂层之前，常对半导体基片表面的栅线接触区和非接触区蚀刻形成具有若干金字塔结构的绒面作为陷光结构，以提升陷光作用；此时，对半导体基片的栅线接触区和非接触区进行扩散以形成不同的扩散效果的掺杂层时，由于栅线接触区的掺杂元素的掺杂浓度较高，且掺杂元素容易在金字塔结构缺陷处(即金字塔结构的尖处)剧集，进而使得选择性发射极太本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：蚀刻半导体基片表面的第一区域以及第二区域，在所述半导体基片表面的第一区域以及第二区域形成具有若干凸起的绒面，其中，所述凸起在所述半导体基片厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状；对所述凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，以及形成仅覆盖所述第一区域的第一氧化层，其中，所述第一掺杂层包括有P型掺杂元素或者N型掺杂元素；利用所述第一氧化层为掩膜再次蚀刻所述半导体基片表面，以将位于所述第二区域的凸起蚀刻形成金字塔结构，并将所述第二区域上的第一掺杂层经蚀刻形成掺杂浓度小于所述第一掺杂层的第二掺杂层；去除所述第一氧化层以保留所述第一区域的第一掺杂层，所述选择性发射极结构包括所述第一区域的第一掺杂层和所述第二区域的第二掺杂层。2.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对所述凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，以及形成仅覆盖所述第一区域的第一氧化层，具体包括：对所述凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，形成覆盖所述绒面的第二氧化层；在所述第二氧化层上形成仅覆盖所述第一区域的掩蔽层；以所述掩蔽层为掩膜蚀刻所述第二氧化层至露出所述半导体基片，使所述第二氧化层经蚀刻形成仅覆盖所述第一区域的第一氧化层；去除所述掩蔽层。3.根据权利要求2所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二氧化层在所述半导体基片厚度方向上的厚度尺寸为50nm-150nm。4.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述蚀刻半导体基片表面的第一区域以及第二区域，具体包括：将所述半导体基片放置在温度为65℃-85℃的第一制绒液中，蚀刻所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈石，杨洁，王钊，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：